【技术实现步骤摘要】
一种减少BBO晶体中间包络的籽晶杆
本专利技术涉及一种人工晶体生长领域，尤其涉及一种减少BBO晶体中间包络的籽晶杆。
技术介绍
低温相偏硼酸钡β-BaB2O4是一种非常重要的新型非线性晶体，具有宽的透光范围，大的有效倍频系数，大的双折射率和高的激光损伤阈值，广泛运用于激光倍频，目前还未见有性能更好的材料取代它。该晶体目前采用顶部籽晶法生长，晶体生长过程通过籽晶杆散热等带走热量，实现晶体生长。生长出来晶体经常中间包络严重，无法利用。
技术实现思路
本专利技术籽晶杆内部设计为U形中空管结构，开口封闭，左右两侧分别为进水口和出水口，水流不间断地经过进水口进入U形管内，经过出水口流出。利用水流不断的带走热量，加快籽晶杆散热，减少BBO晶体中间包络。附图说明图1是本专利技术籽晶杆示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做进一步说明：实施方式一：将BBO原料碳酸钡，硼酸，氟化钠按比例混匀利用化料炉熔透，装入坩埚底部内嵌圆锥体的铂金坩埚中，将坩埚置于熔盐炉中，升温至1100℃，原料达到熔融状态，将熔体温度降至1000℃下籽晶，将固定有BBO籽晶的籽晶杆缓慢下沉至熔体液面，以5转/分的速度旋转籽晶杆，当晶体生长快至坩埚壁时，籽晶杆停止转动，进水口开始通水，出水口开始接水，并开始1℃/d速率降温，经过5个月，取出晶体，晶体中间包络明显减少。
【技术保护点】
1.一种减少BBO晶体中间包络的籽晶杆，其特征在于，所述籽晶杆内部为U形中空管，开口封闭，左右两侧分别为进水口和出水口，水流不间断地经过进水口进入U形管内，经过出水口流出。/n
【技术特征摘要】
1.一种减少BBO晶体中间包络的籽晶杆，其特征在于，所述籽晶杆内部为U形中空管，开口封...
【专利技术属性】
技术研发人员：王昌运，陈伟，张星，陈秋华，
申请(专利权)人：福建福晶科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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