提供前馈首要原则的制造控制方法及装置制造方法及图纸

一种方法，包括：　　　　在包括多个工具（１０）的一制造系统（１０）中处理一工件；　　　　接收有关该处理的工件制造数据；　　　　基于该工件制造数据而仿真在该制造系统（１０）中的更进一步的处理；　　　　基于该仿真而预期该更进一步的处理的至少一个过程参数；以及　　　　基于该预期的过程参数而在至少一个该工具（３０）中处理该工件。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术有关一种制造半导体装置的领域，尤指一种提供前馈首要原则的制造控制方法及装置。
技术介绍
在半导体产业中具有一种持续的驱动作用，以增加例如微处理器、内存装置及类似的集成电路装置的品质、可靠性以及生产量。此驱动作用系由消费者对更高品质且更易操作的计算机以及电子产品的需求所刺激。这些需求导致在半导体装置(例如，晶体管)的制造上以及集成电路装置结合此种晶体管的制造上不断的改进。此外，降低典型晶体管组件的制造缺陷也有助于降低每一晶体管的整体成本以及集成电路装置结合此种晶体管的成本。大体来说，一组处理步骤系在晶圆上使用不同过程工具而进行者，其中该等过程工具包括微影步进对准机、蚀刻工具、沉积工具、研磨工具、快速热处理工具、植入工具等。用于改进半导体处理线的操作的技术包括使用全厂(factory wide)控制系统，以自动地控制不同处理工具的操作。该制造工具与制造框架或处理模块的网络连通。每一制造工具通常连接至设备界面，而该设备界面系连接至有助于连通该制造工具与该制造框架间的加工界面。该加工界面通常可为高阶过程控制(Advanced Process Control，APC)系统的一部份。该高阶过程控制系统基于制造模型而开始控制命令集(control script)，而该控制命令集可为自动选取执行过程所需的数据的软件程序。通常，半导体装置系透过数个过程用的多个制造工具而进行制造，并产生有关经过程的半导体装置的品质的数据。预处理及/或后处理度量衡数据系供应至该等工具的过程控制器。过程控制器基于性能模型以及度量衡信息计算操作方法参数，以试图令后处理结果尽可能接近目标值。在此方式中的降低变异能使生产量增加、成本降低、装置性能提高等，而等于可增加收益。在典型的半导体制造工厂中，晶圆系以群组方式进行过程，称为批次(lot)。在特定批次中的晶圆通常经历相同的处理环境。在某些工具中，所有在批次中的晶圆系同时进行过程，在其它工具中的晶圆系个别进行过程但在相同条件之下(例如，使用相同的操作方法)。典型地，同一批次的晶圆在其处理周期一开始时系优先配置的。例如，可基于在该批次中的晶圆数量或者是该批次的状态为测试或试验者而进行优先配置。在过程期间，所发生的不同事件将可能影响正在制造的装置的性能。换言之，在过程步骤中的变异导致装置性能的变异。诸如特征关键尺寸、掺杂程度、接触电阻、颗粒污染等因素，均将对装置的最终性能产生潜在的影响。装置典型地系以等级量测(grade measurement)而分出等级，而这将有效地决定其市场价值。大体而言，装置的等级(grade)越高，则该装置越有价值。由于非常多数的变量将影响装置的性能特征，因此难以在对装置进行电性测试之前便预测该装置的等级。典型地系在过程后段才对经过程的晶圆进行晶圆电性测试(Wafer electrical test，WET)量测，有时则在该处理已完成数周后才进行晶圆电性测试量测。当一个或多个处理步骤生产出该晶圆电性测量测指示系不能接受的晶圆时，该等所制晶圆必须报废。然而，在此段时间中，可能经过很长的一段时间未发现或未校正当处理，而导致许多晶圆报废、浪费很多材料、以及减少整体生产量。而且，在数个步骤中某些符合规格(in-spec)的结合处理可能导致由电性或性能的观点所观视的产品仍为目标错误者。对大量晶圆所作的一致性控制需要考虑到许多过程复杂性，而这些过程的控制典型地需要全自动化的实施方式。在上述典型的过程控制方案中，可应用经验模型来预测及控制该控制工具的反应。在一些情况下，当经验模型无法精确地表示系统中不同因素的相互影响时，将因错综复杂的反应而降低预测精确度。例如，许多因素影响晶体管的表现，这些因素例如包括在栅极电极堆栈的过程膜层厚度、栅极电极关键尺寸、植入剂量与能量、以及植入区域面积。这些本质上影响晶体管性能的不同因素间的相互影响将降低用以控制晶体管制造的经验模型所能获得的精确度。本专利技术系克服或至少降低以上所提出的一个或多个问题的影响。
技术实现思路
本专利技术的一个态样为一种方法，该方法包括在包含多个工具的制造系统中处理工件。系选取有关该处理的工件制造数据。基于该工件制造数据而仿真在该制造系统中更进一步的处理。基于该仿真而预期该更进一步的处理的至少一个过程参数。基于该预期的过程参数而在至少一个该工具中对该工件进行过程。本专利技术的一个态样为一种系统，该系统包括多个工具以及仿真单元，其中该等工具系架构以处理工件。该仿真单元系架构以选取有关该处理的工件过程数据、基于该工件过程数据仿真该工件的更进一步的处理、以及基于该仿真而预期该更进一步的处理的至少一个过程参数，其中，至少一个工具系架构以基于该预期的过程参数而对该工件进行过程。本专利技术将由下列说明并参考所附图式而更易于了解，图式中标示相同组件符号者系代表相同的组件。在本专利技术系容许有不同的修改以及其它的形式之际，本专利技术的特定实施例在此已为例表示于该等图标中，并且于此详细说明。然而，应了解的是，在此所描述的特定实施例并非用以限定本专利技术为所揭示的特定形式，相反地，在不背离本专利技术的精神与范畴之内的所有修改、等效、及其它替代者，均包含于由所附的权利要求书所定义的本专利技术中。附图说明图1是根据本专利技术一个说明的实施例的制造系统的简化方块示意图；以及图2是根据本专利技术另一个说明的实施例的控制制造系统的方法的流程方块图。具体实施例方式本专利技术的说明实施例系描述如下。为使本专利技术更于清楚易懂，所有实际实施时的特征并未于此说明书中描述。应了解的是，在任何此种实际的实施例的研发中，为达成研发者在每一实施方式中所不同的特定目标(诸如与有关系统及有关商务兼容的限制)，必须制作为数众多的特定实施方式决定。再者，须了解的是，此研发成果可为复杂而耗时的，然而对熟习该项技艺者而言，在了解本专利技术揭露的优点后仅为例行事务。参阅第1图，系提供说明制造系统10的简化方块图。在该说明的实施例中，该制造系统10系适用于过程半导体晶圆，然而，本专利技术并非以此为限，并且系可应用于其它类型的制造环境以及其它类型的工件。网络20使该制造系统10的不同组件互相连接，并允许该制造系统10的不同组件交换信息。该说明的制造系统10包含多个过程工具30，每一个过程工具30系耦合至对接该网络20的计算机40。该制造系统10也包括耦合至对接该网络20的计算机60的一个或多个度量衡(metrology)工具50。该度量衡工具50可用以量测在该过程工具30中进行过程的晶圆的输出特性，以产生度量衡数据。虽然该工具30及50系以透过计算机40及60而对接该网络20为例作说明者，但该工具30及50也可包括对接该网络20的整合电路，以省略对计算机40及60的需求。制造执行系统(Manufacturing Execution System，MES)服务器70藉由指示该制造系统10的流程以指示制造系统10的高阶操作。该制造执行系统服务器70监视在该制造系统10中不同实体的状态，包括该工具30及50。该过程工具30可为诸如微影步进对准机、蚀刻工具、沉积工具、研磨工具、快速热处理工具、植入工具等过程工具。该度量衡工具50可为诸如光学量测工具、电性量测工具、扫描电子显微镜、气体分析仪等的量测工具。数据库服务器80系设置为存储有关不同实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，包括在包括多个工具(10)的一制造系统(10)中处理一工件；接收有关该处理的工件制造数据；基于该工件制造数据而仿真在该制造系统(10)中的更进一步的处理；基于该仿真而预期该更进一步的处理的至少一个过程参数；以及基于该预期的过程参数而在至少一个该工具(30)中处理该工件。2.如权利要求1所述的方法，其中，预期该更进一步的处理的至少一个过程参数还包括预期该更进一步的处理的过程目标以及预期该工具(30)的操作方法参数。3.如权利要求1所述的方法，还包括基于该工件制造数据而仿真在该制造系统中完整的处理，藉由选取有关该工件的过程流程数据；结合该工件制造数据与该过程流程数据；以及基于该结合的数据而仿真该更进一步的处理。4.如权利要求1所述的方法，其中，接收该工件制造数据还包括接收至少一有关该工件的度量衡数据，以及有关该工件的于至少一个该工具(30)中的处理的过程数据。5.如权利要求1所述的方法，还包括比对该工件制造数据与一预定范围；针对工件制造数据于该预定范围以外而以仿真该更进一步的处理作为响应。6.一种系统(10)，包括多个工具(30)，架构以处理工件；...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·卡多什，
申请(专利权)人：先进微装置公司，
类型：发明
国别省市：