多晶硅的防污方法技术

技术编号:28566933 阅读:26 留言:0更新日期:2021-05-25 18:04
本发明专利技术的目的在于,在利用树脂片进行的多晶硅的防污中,有效防止源自树脂片的多晶硅的污染。本发明专利技术的多晶硅的防污方法的特征在于,使用具有内表面和外表面的管状树脂片来对多晶硅进行防污时,将该管状树脂片或其经切割而得的树脂片以不露出其内表面的状态保持,在即将使用之前使上述内表面露出并与多晶硅接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多晶硅的防污方法
本专利技术提供一种多晶硅的新型防污方法。详细而言,该多晶硅的防污方法尽可能地防止直至使用时的表面污染,能显著降低在多晶硅的防污时来自所使用的树脂片的对多晶硅的污染。
技术介绍
就多晶硅的防污而言,在搬运或保管棒状、短棒(cutrod)状、破碎物、粉状等形态的多晶硅时,为了防止来自多晶硅的周围环境的污染,通过利用树脂片覆盖上述多晶硅来进行。由于对多晶硅要求高纯度,因此该防污处理不仅在开放大气中进行,也在洁净室(cleanroom)内进行。作为上述防污所使用的树脂片,为了防止由树脂片导致的多晶硅的污染,例如,一般使用没有金属成分、有机物成分的渗出,且不添加添加剂的树脂片。就上述防污处理而言,通过将卷绕的树脂片以适当的长度放卷并切割,遮盖于载置的多晶硅的上方;或者根据情况,铺设于多晶硅的下方等操作来覆盖多晶硅,由此进行(参照专利文献1、2)。再者,就所述防污所使用的树脂片而言,如上所述,本专利技术人等发现虽然其内部极高纯度化,但从刚制造后直至使用前期间,表面被外部空气污染,在使用时,观察到由外部空气中所含有的金属成分、有机物成分、掺杂剂成分等污染物质导致的高度污染。即,在树脂片的制造方法中,根据需要将由挤出机的T模头挤出的树脂拉伸,成型为片状后,卷取成卷筒状,但在此期间,因表面与外部空气的接触或与其他的污染源的接触,污染物质会附着于表面,卷取的树脂片的表面成为已经有污染进入的状态。作为这样的污染源,也可认为是在卷取时所使用的辊等。需要说明的是,有时也通过使用环状模头的吹胀法来制造树脂片。在该情况下,能得到具有内表面和外表面的管形树脂片,内表面具有高清洁性。但是,在用作树脂片的情况下,通常将管状树脂片的两侧切割并卷取成各个卷筒;或者将一侧切断后,打开并卷取,在该卷取时可能会存在与所述相同的污染。而且,当使用被污染了的树脂片来覆盖多晶硅时,会发生由附着于树脂片的污染物质导致的多晶硅被污染的问题。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特表2017-524632号公报专利文献2:日本特开2017-56959号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题因此,本专利技术的目的在于提供一种防污方法,该防污方法能在利用树脂片进行的多晶硅的防污中,有效防止源自树脂片的多晶硅的污染。用于解决问题的方案本专利技术人等为了解决上述目的而反复进行了研究,其结果是,发现如下事实,从而完成本专利技术,即,以如下方式进行进行防污:使用管状树脂片,以使该管内表面直至即将用于防污之前不与外部空气接触的状态进行处理,在即将使用之前使内表面露出而该内表面与多晶硅接触,由此能达到上述目的。即,本专利技术的一个实施方案是一种多晶硅的防污方法,其特征在于,在使用具有内表面和外表面的管状树脂片来对多晶硅进行防污时,将该管状树脂片以不露出其内表面的状态保持,并以在即将使用之前内表面能展开的方式切割,使上述内表面露出并与多晶硅接触。此外,本专利技术的另一实施方案是一种多晶硅的防污方法,其特征在于,在使用具有内表面和外表面的管状树脂片来对多晶硅进行防污时,将该管状树脂片以其内表面能展开的方式切割,并且以不露出内表面的状态保持,在即将使用之前使上述内表面露出并与多晶硅接触。在上述防污方法中,优选的是,即将使用之前的树脂片的内表面中的铁的存在量按元素换算计为1pg/cm2以下。此外,优选的是,所述树脂片的穿刺强度为10N以上。此外,为了防止由片材内部的杂质导致的污染,优选的是,所述树脂片为不添加添加剂的聚乙烯片。进而,提供一种多晶硅的制造方法,其根据本专利技术的方法,能有效防止来自防污片的污染。进而,本专利技术还提供一种多晶硅防污用树脂片,其特征在于,构成为将管状树脂片以不露出其内表面的状态卷取而成的卷绕物。进而,本专利技术还提供一种多晶硅防污用树脂片,其特征在于,构成为将管状树脂片以其内表面能展开的方式切割而成并且不露出内表面的树脂片的卷绕物。专利技术效果根据本专利技术的防污方法,使用管状树脂片,在即将使用管状树脂片的内表面保持在不露出的状态的树脂片之前,使上述内表面露出,使无污染的清洁的片材表面与多晶硅接触,由此能使没有由外部空气等导致的污染的树脂片表面与多晶硅接触来进行防污,因此能有效防止多晶硅的污染。附图说明图1示出管状树脂片。图2a是表示本专利技术的防污方法中所使用的树脂片的一个方案的概略图。图2b是表示本专利技术的防污方法中所使用的树脂片的一个方案的概略图。图2c是表示本专利技术的防污方法中所使用的树脂片的一个方案的概略图。图3是表示制造管状树脂片的代表性的工序的概略图。具体实施方式如上所述,本专利技术的一实施方案的多晶硅的防污方法的特征在于,使用具有内表面和外表面的管状树脂片,将该管状树脂片以其内表面能展开的方式切割,并且以不露出内表面的状态保持,在即将使用之前使上述内表面露出并与要防污的多晶硅接触。图1示出具有内表面2和外表面3的管状树脂片1。如图1所示,内表面2与外部空气、其他装置类的接触被限制,处于清洁的状态。在本专利技术中,准备以上述管状树脂片1的内表面2能展开的方式已切割的树脂片10。切割的方案并不特别限定,包括能展开以能够露出内表面2的所有方案。需要说明的是,在将管状树脂片1切割而得到的树脂片10中,内表面2彼此紧贴,内表面2处于不露出的状态。图2a~图2c示出管状树脂片1的内表面能展开且处于不露出的状态的树脂片的代表性的方案。图2a示出管状树脂片的长尺寸方向的单侧被切割的树脂片10。对于该方案的树脂片,不打开切割部而形成卷取成卷筒状的卷绕物11,由此能以内表面2不露出的状态保持。然后,在使用时,由上述卷绕物11将树脂片10放卷,从被切割的单侧打开并使其内表面2与多晶硅接触。图2b示出管状树脂片的长尺寸方向的两侧被切割的树脂片10。该方案的树脂片为内表面2彼此紧贴的两层片材,不将层间剥离而形成卷取成卷筒状的卷绕物11,由此能以不露出内表面2的状态保持。然后,在使用时,从上述卷绕物11将树脂片10放卷,在两层的层间进行剥离,使位于内表面侧的表面与多晶硅接触。图2c为图2a的变形例,示出管状树脂片的长尺寸方向的中央部分被切割的树脂片10。该方案的树脂片是与图2a所示出的树脂片并列的状态。在使用时,由上述卷绕物11将树脂片10放卷,从被切割的单侧打开并使其内表面2与多晶硅接触。此外,在本专利技术的实施方案中,也可以是,卷取管状树脂片,以内表面不露出的方式保持后,将该管状树脂片放卷,在即将使用之前如图2a~图2c所示地进行切割。需要说明的是,在本专利技术中,“防污”是用于防止多晶硅受周围的环境的污染而利用片材进行保护的方法,具体而言,包括:出于保管等目的利用片材覆盖载置的多晶硅的方法、在多晶硅的下方铺设片材的方法或包裹多晶硅的方法等。此外,包括在搬运时,在搬运用容器的底部铺设片材,在该容器的上方容纳多晶硅的方法;还包括利用片材覆盖容纳于容器的多晶硅的方法等。此外,由于对本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种多晶硅的防污方法,其特征在于,/n在使用具有内表面和外表面的管状树脂片来对多晶硅进行防污时,将所述管状树脂片以不露出其内表面的状态保持,并以在即将使用之前内表面能展开的方式切割,使所述内表面露出并与多晶硅接触。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181031 JP 2018-2053301.一种多晶硅的防污方法,其特征在于,
在使用具有内表面和外表面的管状树脂片来对多晶硅进行防污时,将所述管状树脂片以不露出其内表面的状态保持,并以在即将使用之前内表面能展开的方式切割,使所述内表面露出并与多晶硅接触。


2.一种多晶硅的防污方法,其特征在于,
在使用具有内表面和外表面的管状树脂片来对多晶硅进行防污时,将所述管状树脂片以其内表面能展开的方式切割,并且以不露出内表面的状态保持,在即将使用之前使所述内表面露出并与多晶硅接触。


3.根据权利要求1或2所述的多晶硅的防污方法,其中,
即将使用之前的所述树脂片的内表面中的铁的存在量按元素换算计为1pg/cm2以下。


4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:浅野卓也吉村聪子
申请(专利权)人:株式会社德山
类型:发明
国别省市:日本;JP

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