【技术实现步骤摘要】
薄膜厚度的测试方法、测试系统、存储介质及电子设备
本公开涉及半导体
,具体而言,涉及一种薄膜厚度的测试方法、测试系统、存储介质及电子设备。
技术介绍
动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory,DRAM)因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点,被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。动态随机存储器主要包括器件阵列以及覆盖于器件阵列表面的导电薄膜,在制程过程中,通常需要对导电薄膜的厚度进行检测分析,然而,在检测过程中受其底部器件阵列的影响,检测分析难度较大,且分析得出的薄膜厚度准确性较低。需要说明的是,在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于克服上述现有技术中的不足,提供一种薄膜厚度的测试方法、测试系统、存储介质及电子设备,可提高薄膜厚度的测试精度。根据本公开的一个方面,提供一种薄膜厚度的测试方法,所述薄膜包括图案化膜层和位于所述图案化膜层表面的待测膜层,所述测试方法包括:收集第一光谱,以得到所述图案化膜层的参数;调节所述第一光谱中所述图案化膜层的参数,并锁定所述图案化膜层的参数,以形成目标薄膜;检测所述目标薄膜的光谱,得到第二光谱;根据所述第二光谱确定所述待测膜层的厚度。在本公开的一种示例性实施例中,所述图案化膜层包括多层堆叠分布的子膜层,各所述子膜层中至少有两层所述子膜层相互交叉,且在平 ...
【技术保护点】
1.一种薄膜厚度的测试方法,所述薄膜包括图案化膜层和位于所述图案化膜层表面的待测膜层,其特征在于,所述测试方法包括:/n收集第一光谱,以得到所述图案化膜层的参数;/n调节所述第一光谱中所述图案化膜层的参数,并锁定所述图案化膜层的参数,以形成目标薄膜;/n检测所述目标薄膜的光谱,得到第二光谱;/n根据所述第二光谱确定所述待测膜层的厚度。/n
【技术特征摘要】
1.一种薄膜厚度的测试方法,所述薄膜包括图案化膜层和位于所述图案化膜层表面的待测膜层,其特征在于,所述测试方法包括:
收集第一光谱,以得到所述图案化膜层的参数;
调节所述第一光谱中所述图案化膜层的参数,并锁定所述图案化膜层的参数,以形成目标薄膜;
检测所述目标薄膜的光谱,得到第二光谱;
根据所述第二光谱确定所述待测膜层的厚度。
2.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述图案化膜层包括多层堆叠分布的子膜层,各所述子膜层中至少有两层所述子膜层相互交叉,且在平行于所述待测膜层的方向上互不分离。
3.根据权利要求2所述的测试方法,其特征在于,所述测试方法还包括:
形成参考薄膜,所述参考薄膜包括参考膜层和位于所述参考膜层表面的待测试膜层,所述参考膜层包括多个子材料层,各所述子材料层均与所述待测试膜层平行分布;所述子材料层的数量与所述子膜层的数量相等,且各所述子材料层的材料与各所述子膜层的材料一一对应相同;
根据所述参考膜层的参数调节所述图案化膜层的参数。
4.根据权利要求3所述的测试方法,其特征在于,所述根据所述参考膜层的参数调节所述图案化膜层的参数,包括:
收集第三光谱,以得到所述参考膜层的参数;
根据所述参考膜层的参数调节所述第一光谱中所述图案化膜层的参数,以使所述图案化膜层的参数与所述参考膜层的参数一致。
5.根据权利要求4所述的测试方法,其特征在于,所述调节所述第一光谱中所述图案化膜层的参数,并锁定所述图案化膜层的参数,以形成目标薄膜,包括:
根据所述薄膜的制程信息确定各所述子膜层的材料对应的参数,在相互交叉的两层子膜层中,一所述子膜层的参数为第一参数,另一所述子膜层的参数为第二参数;
在所述第一参数和所述第二参数之间调节所述图案化膜层的参数,并在所述图案化膜层的参数与参考膜层的参数相同时停止调节,调节参数后的图案化膜层与所述待测膜层共同构成目标薄膜。
6.根据权利要求5所述的测试方法,其特征在于,所述根据所述第二光谱确定所述待测膜层的厚度,包括:
根据所述第二光谱的峰值确定所述待测膜层的厚度。
7.根据权利要求1-6任一项所述的测试方法,其特征在于,所述参数包括膜层的厚度、粗糙度、密度、声波传输速度、介电常数、热容量及导热性中至少一种。
8.一种薄膜厚度的测试系统,所述薄膜包括图案化膜层和位于所述图案化膜层表面的待测膜层,其特征在于,所述测试系统包括:
第一检测组件,用于收集第一光谱,以得到所述图案化膜层的参数;
参数调节组...
【专利技术属性】
技术研发人员:邓鹏飞,陆朋朋,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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