一种晶圆加工方法技术

本申请公开了一种晶圆加工方法，该方法包括以下步骤：对未贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理，对晶圆的背面进行减薄处理，对晶圆的背面进行激光改质切割处理，对晶圆的背面进行粘贴切割胶带处理，依据切割胶带对晶圆进行处理以使晶圆被分离成多个芯片。通过对未贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理，相对于现有技术中，对贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理而言，省去了在对晶圆的正面进行激光开槽处理前，先将铁环装设在晶圆上的工艺步骤，从而达到简化晶圆的加工工艺流程以提升生产效率的效果。效果。效果。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆加工方法


[0001]本申请涉及半导体加工
，尤其涉及一种晶圆加工方法。

技术介绍

[0002]将整块的原片晶圆加工成多个分散的芯片，需要经过开槽、切割等多个工艺流程，且每个工艺流程中又涉及到上料、下料等多个小工艺步骤，从而导致晶圆整体的加工工艺流程不够简化。因此，如何简化晶圆的加工工艺流程已成为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种晶圆加工方法，其能够有效地简化晶圆的加工工艺流程以提升生产效率。
[0004]第一方面，本申请实施例提供了一种晶圆加工方法；该方法包括：
[0005]对未贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理；
[0006]对晶圆的背面进行减薄处理；
[0007]对晶圆的背面进行激光改质切割处理；
[0008]对晶圆的背面进行粘贴切割胶带处理；及
[0009]依据切割胶带对晶圆进行处理以使晶圆被分离成多个芯片。
[0010]基于本申请实施例的晶圆加工方法，通过对未贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理，相对于现有技术中的对贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理而言，省去了在对晶圆的正面进行激光开槽处理前，先将铁环装设在晶圆上的工艺步骤，从而达到简化晶圆的加工工艺流程以提升生产效率的效果。
[0011]在其中一些实施例中，对未贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理的步骤包括：
[0012]通过C型铲将晶圆移送至第一预设位置；
[0013]将晶圆移送至第一加工工位并对晶圆进行旋涂保护液处理；及r/>[0014]将晶圆移送至第二加工工位并对晶圆进行正面激光开槽处理以形成切割道。
[0015]基于上述实施例，C型铲是针对未贴膜的晶圆而设计的结构，相对于现有技术中的采用吸盘真空吸附的方式吸取带铁环的晶圆而言，有效地避免了因漏气而抓取晶圆失败的可能，用C型铲抓取未贴膜(不带铁环)的晶圆提升了成功抓取晶圆的概率；对晶圆进行旋涂保护液处理，一方面能够清洗掉粘附于晶圆表面上的杂质，另一方面该保护液对晶圆的后续加工处理起保护作用；采用激光扫射于晶圆的正面以形成切割道，相对于现有技术中的采用刀轮等刀具对晶圆的正面进行开槽处理的操作，减少了刀轮等部件的消耗，耗材成本低。
[0016]在其中一些实施例中，对晶圆的背面进行激光改质切割处理的步骤包括：
[0017]通过C型铲将晶圆移送至第二预设位置；
[0018]通过中转陶瓷盘将晶圆移送至第三加工工位并对晶圆进行背面激光改质切割处理；
[0019]通过中转陶瓷盘将晶圆移送至第四加工工位上。
[0020]基于上述实施例，采用C型铲抓取转运晶圆，相对于现有技术中的采用真空吸附的方式抓取转运晶圆而言，提升了成功抓取晶圆的概率从而达到提升晶圆的生产效率的效果；中转陶瓷盘是针对未贴膜的晶圆而设计的结构，采用中转陶瓷盘抓取晶圆，能够有效地增强中转陶瓷盘与晶圆之间的连接稳定性；采用激光扫射晶圆的背面对晶圆进行改质处理，相对于现有技术中的采用刀轮等刀具对晶圆的背面进行切割处理的操作，减少了刀轮等部件的消耗，耗材成本低。
[0021]在其中一些实施例中，通过中转陶瓷盘将晶圆移送至第三加工工位并对晶圆进行背面激光改质切割处理的步骤包括：
[0022]通过中转陶瓷盘将晶圆移送至第三加工工位上；
[0023]将晶圆移送至红外相机的下方，使得红外相机可透过晶圆的背面拍摄并识别晶圆的正面图形；
[0024]调整晶圆直至晶圆的背面与竖直方向垂直，红外相机对晶圆的内部进行激光改质切割处理。
[0025]基于上述实施例，通过红外相机可以看到晶圆经正面激光开槽处理后所形成的切割道的图形形状，也即正面图形，红外相机从晶圆的背面根据该正面图形对晶圆的背面进行激光扫射以形成与切割道对应设置的切割路径，相对于现有技术中的采用刀轮等刀具对晶圆的背面进行加工而言，起到降低晶圆的背面加工难度的目的。
[0026]在其中一些实施例中，对晶圆的背面进行粘贴切割胶带处理的步骤包括：
[0027]将铁环移送至第四加工工位上，第四加工工位移动至预设贴膜位置以使切割胶带粘附于晶圆以及铁环的背离第四加工工位的一侧，从而使得晶圆与铁环贴合；
[0028]将粘附有铁环的晶圆移送至第五加工工位上。
[0029]基于上述实施例，切割胶带的设置为后续分离晶圆的过程中通过切割胶带被扩展而产生指向周围的拉伸力，从而使得晶圆被分离成多个芯片，同时切割胶带粘贴于晶圆的背离第四加工工位的一侧，能够避免晶圆经背面激光改质切割处理后散落成一个个的芯片。
[0030]在其中一些实施例中，当铁环移送至第四加工工位上，使得铁环绕晶圆布置，且铁环的背离第四加工工位一侧的表面与晶圆的背离第四加工工位一侧的表面位于同一平面内。
[0031]基于上述实施例，将铁环的背离第四加工工位一侧的表面与晶圆的背离第四加工工位一侧的表面设置在同一平面内，减少了切割胶带与晶圆以及铁环的粘接处的缝隙，从而达到增强切割胶带与晶圆以及铁环之间的连接稳定性的效果。
[0032]在其中一些实施例中，依据切割胶带对晶圆进行处理以使晶圆被分离成多个芯片的步骤包括：
[0033]将扩张环的内环放置在第六加工工位上，将扩张环的外环放置在扣紧气缸上，以使内环的中心轴线与外环的中心轴线共线；
[0034]将晶圆放置在第六加工工位上；
[0035]在第六加工工位从至少一侧顶压切割胶带以使晶圆被分离成多个芯片。
[0036]基于上述实施例，第六工位上升使得切割胶带被顶压，切割胶带产生形变，从而使
得粘接于切割胶带上的晶圆随着切割胶带的形变而被分离成多个芯片。
[0037]在其中一些实施例中，对晶圆的背面进行减薄处理的步骤之前还包括：
[0038]在晶圆的正面粘贴保护胶带。
[0039]基于上述实施例，保护胶带能够有效地避免晶圆经背面激光改质处理后直接散落成多个芯片。
[0040]在其中一些实施例中，对晶圆的背面进行减薄处理的步骤中，晶圆经研磨减薄处理后的厚度尺寸小于或等于400微米。
[0041]基于上述实施例，将经正面激光开槽处理后的晶圆的厚度经研磨降低到小于或等于400微米，一方面能够降低背面激光改质处理的时间，另一方面能够提升晶圆背面的光滑度从而便于后续对晶圆的背面进行激光改质处理。
[0042]在其中一些实施例中，晶圆包括硅片。
[0043]基于上述实施例，用硅片作为晶圆的原材料，其纯度高性能好。
[0044]基于本申请实施例的一种晶圆加工方法，通过对未贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理，相对于现有技术中的对贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理而言，省去了在对晶圆的正面进行激光开槽处理前，先将铁环装设在晶圆上的工艺步骤，从而达到简化晶圆的加工工艺流程以提升生产效率的效果。
附图说明
[0045]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工方法，其特征在于，包括：对未贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理；对所述晶圆的背面进行减薄处理；对所述晶圆的背面进行激光改质切割处理；对所述晶圆的背面进行粘贴切割胶带处理；及依据所述切割胶带对所述晶圆进行处理以使所述晶圆被分离成多个芯片。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对未贴膜的晶圆的正面进行激光开槽处理的步骤包括：通过C型铲将所述晶圆移送至第一预设位置；将所述晶圆移送至第一加工工位并对所述晶圆进行旋涂保护液处理；及将所述晶圆移送至第二加工工位并对所述晶圆进行正面激光开槽处理以形成切割道。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述晶圆的背面进行激光改质切割处理的步骤包括：通过C型铲将所述晶圆移送至第二预设位置；通过中转陶瓷盘将所述晶圆移送至第三加工工位并对所述晶圆进行背面激光改质切割处理；通过所述中转陶瓷盘将所述晶圆移送至第四加工工位上。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过中转陶瓷盘将所述晶圆移送至第三加工工位并对所述晶圆进行背面激光改质切割处理的步骤包括：通过所述中转陶瓷盘将所述晶圆移送至所述第三加工工位上；将所述晶圆移送至红外相机的下方，使得所述红外相机可透过所述晶圆的背面拍摄并识别所述晶圆的正面图形；调整所述晶圆直至所述晶圆的背面与竖直方向垂直，所述红外相机对所述晶圆的内部进行激光改质切割处理。5.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：施心星，
申请(专利权)人：苏州镭明激光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：