一种单片式晶片清洁工艺制造技术

本发明专利技术涉及晶片清洁技术领域，具体为一种单片式晶片清洁工艺，包括机体、第一支架以及第二支架，所述第一支架的上端以及第二支架的上端均设有传动轴，所述传动轴之间设有传送网带连接，所述传送网带上设有存放盒，所述机体上设有工作台、第一存放仓以及第二存放仓，所述第一存放仓的内部依次设有第一清洗箱、化学液存储箱以及第二清洗箱，所述第二存放仓的内部依次设有第一回收箱、化学液回收箱以及第二回收箱，所述工作台安装在机体的上端，所述工作台上依次设有清水冲洗仓、化学冲洗仓、清洗仓以及烘干仓，通过清水冲洗仓进行首次冲洗，通过化学冲洗仓进行化学反应吸附冲洗，通过清洗仓进行最后一遍的冲刷，通过烘干仓进行烘干。干。干。

【技术实现步骤摘要】
一种单片式晶片清洁工艺


[0001]本专利技术涉及晶片清洁
，具体为一种单片式晶片清洁工艺。

技术介绍

[0002]众所周知，超大型集成电路(VLSI)、极大型集成电路(ULSI)或微机电系统(MEMS)的制作是利用一半导体基底，如硅晶片，并反复经历数百道的薄膜沉积、氧化、光刻、蚀刻与掺杂等不同工艺加以形成。在蚀刻反应的过程中，难免会产生些副产物，例如高分子物质微粒，这些高分子物质微粒会粘附在晶片表面，因此，在蚀刻工艺完成后，通常会进行一清洁工艺将该些高分子物质微粒自晶片表面移除，确保所制作的MOS元件的电性表现，以利后续其他工艺的施行。
[0003]现有的晶片清洗方法，先经过碱洗去除晶片表面颗粒和有机物，然后再将晶片取出放在另一槽内进行酸洗，主要去除晶片表面微粒和金属离子，然后再经过超纯水进行清洗，去除晶片表面残留的离子，然而现有的该种清洗方法大多都是在不同的装置上进行的，不能进行自动化以及一体化，从而浪费了人力物力，并且清洁效率也得不到提高。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种清洗效率高的一体化单片式晶片清洁工艺。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种单片式晶片清洁工艺，包括机体、第一支架以及第二支架，所述第一支架的上端以及第二支架的上端均设有传动轴，所述传动轴之间设有传送网带连接，所述传送网带上设有存放盒，所述存放盒上设有通孔，所述机体上设有工作台、第一存放仓以及第二存放仓，所述第一存放仓以及第二存放仓位于机体的内部，并且所述第一存放仓与第二存放仓之间设有隔板，所述第一存放仓的内部依次设有第一清洗箱、化学液存储箱以及第二清洗箱，所述第二存放仓的内部依次设有第一回收箱、化学液回收箱以及第二回收箱，所述工作台安装在机体的上端，所述工作台上依次设有清水冲洗仓、化学冲洗仓、清洗仓以及烘干仓，并且所述清水冲洗仓、化学冲洗仓以及清洗仓的下端均设有导流槽，且所述导流槽分别连接第一回收箱、化学液回收箱以及第二回收箱，所述清水冲洗仓、化学冲洗仓以及清洗仓的内部均设有喷头，所述喷头分别安装在清水冲洗仓、化学冲洗仓以及清洗仓的内壁上，并且分别与第一清洗箱、化学液存储箱以及第二清洗箱之间设有连通管连接，所述化学冲洗仓以及清洗仓的上端均设有吸风机，所述吸风机上设有吸风板，所述吸风板安装在吸风机的下端，所述烘干仓的上端设有热风机，所述热风机上设有热风口，并且所述热风口位于烘干仓的内部。
[0008]为了提高烘干效果，本专利技术的改进有，所述烘干仓上设有电热管，所述电热管安装在烘干仓的内壁上。
[0009]为了提高本结构的实用性，本专利技术的改进有，所述清水冲洗仓、化学冲洗仓、清洗仓以及烘干仓上均设有视镜，所述视镜安装在清水冲洗仓、化学冲洗仓、清洗仓以及烘干仓的一侧，所述视镜的材质为防雾钢化玻璃，所述存放盒与传送网带之间设有可拆连接。
[0010]为了提高本结构的清洗效果，本专利技术的改进有，所述化学清洗仓的内部设有超声波发生器，所述超声波发生器安装在化学清洗仓的两侧，所述存放盒上设有存放板，所述存放板安装在存放盒的中间部分，所述存放板上设有通孔，并且所述存放板与存放板之间设有可拆连接。
[0011]为了提高本结构的防尘效果，本专利技术的改进有，所述清水冲洗仓、化学冲洗仓、清洗仓以及烘干仓之间均设有防尘板连接。
[0012](三)有益效果
[0013]与现有技术相比，本专利技术提供了一种单片式晶片清洁工艺，具备以下有益效果：
[0014]该单片式晶片清洁工艺,所述第一支架的上端以及第二支架的上端均设有传动轴，所述传动轴之间设有传送网带连接，所述传送网带上设有存放盒，所述存放盒上设有通孔，通过设有通孔，可以使存放盒内部的液体流入导流槽中，并且通过导流槽分别流入到第一回收箱、化学液回收箱以及第二回收箱中，清洗液不反复使用，并且进行回收，不仅提高了清洗的效果，也提高了资源的回收利用率，所述工作台安装在机体的上端，所述工作台上依次设有清水冲洗仓、化学冲洗仓、清洗仓以及烘干仓，通过设有传送网带以及工作台，使本结构实现一体化，不仅节省了人力物力，也缩小了占地面积，并且提高了生产效率，所述清水冲洗仓、化学冲洗仓以及清洗仓的内部均设有喷头，所述喷头分别安装在清水冲洗仓、化学冲洗仓以及清洗仓的内壁上，并且分别与第一清洗箱、化学液存储箱以及第二清洗箱之间设有连通管连接，所述化学冲洗仓以及清洗仓的上端均设有吸风机，所述吸风机上设有吸风板，所述吸风板安装在吸风机的下端，通过设有吸风机以及吸风板，使物料在清洗底端时间后，能脱离存放盒，防止存放盒内部积攒过多的杂物，从而保证了物料的清洗质量。
附图说明
[0015]图1为本专利技术的局部刨面图；
[0016]图2为本专利技术中烘干仓处的刨面图；
[0017]图3为本专利技术图1中清水冲洗仓的侧视图；
[0018]图4为本专利技术图1中化学冲洗仓的侧视图；
[0019]图5为本专利技术图2中烘干仓的侧视图；
[0020]图6为本专利技术中存放盒的刨面图；
[0021]图中：1、机体；2、化学液回收箱；3、第二回收箱；4、第一回收箱；5、第一清洗箱；6、化学液存储箱；7、第二清洗箱；8、第一支架；9、第二支架；10、导流管；11、导流槽；12、传动轴；13、传送网带；14、隔离板；15、工作台；16、清水冲洗仓；17、化学冲洗仓；18、清洗仓；19、吸风机；20、吸风板；21、存放盒；22、存放板；23、通孔；24、喷头；25、超声波发生器；26、烘干仓；27、热风机；28、热风口；29、电热管；30、隔板；31、连通管。
具体实施方式
[0022]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完
整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]请参阅图1
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6，本专利技术的一种单片式晶片清洁工艺，包括机体1、第一支架8以及第二支架9，所述第一支架8的上端以及第二支架9的上端均设有传动轴12，所述传动轴12之间设有传送网带13连接，所述传送网带13上设有存放盒21，所述存放盒21上设有通孔23，所述机体1上设有工作台15、第一存放仓以及第二存放仓，所述第一存放仓以及第二存放仓位于机体1的内部，并且所述第一存放仓与第二存放仓之间设有隔板30，所述第一存放仓的内部依次设有第一清洗箱5、化学液存储箱6以及第二清洗箱7，所述第二存放仓的内部依次设有第一回收箱4、化学液回收箱2以及第二回收箱3，所述工作台15安装在机体1的上端，所述工作台15上设有清水冲洗仓16、化学冲洗仓17、清洗仓18以及烘干仓26，并且所述清水冲洗仓16、化学冲洗仓17以及清洗仓18的下端均设有导流槽11，且所述导流槽11分别连接第一回收箱本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单片式晶片清洁工艺，其特征在于，包括以下结构及步骤：所述结构包括机体(1)、第一支架(8)以及第二支架(9)，所述第一支架(8)的上端以及第二支架(9)的上端均设有传动轴(12)，所述传动轴(12)之间设有传送网带(13)连接，所述传送网带(13)上设有存放盒(21)，所述存放盒(21)上设有通孔(23)，所述机体(1)上设有工作台(15)、第一存放仓以及第二存放仓，所述第一存放仓以及第二存放仓位于机体(1)的内部，并且所述第一存放仓与第二存放仓之间设有隔板(30)，所述第一存放仓的内部依次设有第一清洗箱(5)、化学液存储箱(6)以及第二清洗箱(7)，所述第二存放仓的内部依次设有第一回收箱(4)、化学液回收箱(2)以及第二回收箱(3)，所述工作台(15)安装在机体(1)的上端，所述工作台(15)上依次设有清水冲洗仓(16)、化学冲洗仓(17)、清洗仓(18)以及烘干仓(26)，并且所述清水冲洗仓(16)、化学冲洗仓(17)以及清洗仓(18)的下端均设有导流槽(11)，且所述导流槽(11)分别连接第一回收箱(4)、化学液回收箱(2)以及第二回收箱(3)，所述清水冲洗仓(16)、化学冲洗仓(17)以及清洗仓(18)的内部均设有喷头(24)，所述喷头(24)分别安装在清水冲洗仓(16)、化学冲洗仓(17)以及清洗仓(18)的内壁上，并且分别与第一清洗箱(5)、化学液存储箱(6)以及第二清洗箱(7)之间设有连通管(31)连接，所述化学冲洗仓(17)以及清洗仓(18)的上端均设有吸风机(19)，所述吸风机(19)上设有吸风板(20)，所述吸风板(20)安装在吸风机(19)的下端，所述烘干仓(26)的上端设有热风机(27)，所述热风机(27)上设有热风口(28)，并且所述热风口(28)位于烘干仓(26)的内部。所述步骤包括：第一步：单片晶传送，将单片晶放置在存放盒(21)上通过传动轴(12)的相互配合对其进行传送。第二步：单片晶预洗处理，单片晶在存放盒(21)上被运输到清水冲洗仓(16)中，第一清洗箱(5)给清水冲洗仓(16)提供清水，通过清水对其进行轻度冲洗，冲刷掉单片晶上的颗粒杂物，并且在此过程中，清洗冲洗仓(16)内部水通过第一回收箱(4)来回收处理。第三步：单片晶清洗处理，单...

【专利技术属性】
技术研发人员：何淑英，
申请(专利权)人：何淑英，
类型：发明
国别省市：