一种带屏蔽环的熔丝筒制造技术

本实用新型专利技术涉及一种带屏蔽环的熔丝筒；该带屏蔽环的熔丝筒包括：熔丝筒本体，熔丝筒本体两端高压处设置有屏蔽环、熔丝筒本体的熔丝抽出处设置有密封圈。本实用新型专利技术在原有熔丝筒两端高压处加屏蔽环，在熔丝抽出处增加密封圈。采用两高压端加屏蔽环使其屏蔽局部放电，另一端加密封圈增加爬电距离。使其减小局放值，增强绝缘。当高压端通电后，电压升高后，高压端的带电体，就有可能会产生局部放电现象。但这些放电现象就会被所加的屏蔽环给屏蔽掉。这样就会使局放值变小。当电压升高到一定时密封圈处这边就会发生爬电的可能，安装密封圈密封使其不发生爬电，绝缘能力达到提高。绝缘能力达到提高。绝缘能力达到提高。

【技术实现步骤摘要】
一种带屏蔽环的熔丝筒


[0001]本技术涉及一种熔丝筒，具体涉及一种在原有熔丝筒两端高压处加屏蔽环，在熔丝抽出处增加密封圈的带屏蔽环的熔丝筒。

技术介绍

[0002]随着环网柜在电力系统中的广泛应用，人们对环网柜行业技术提出了新的技术要求：特别是对绝缘，局放值要求更高。
[0003]原有环网柜的组合电器的熔丝筒局放值不够稳定。有时局放值很好，有时偏高。根据目前国家建设坚强智能电网的战略目标和智能高压开关设备建设的要求，原有的熔丝筒不够提供可靠的保障。
[0004]有鉴于此，熔丝筒新的方案就需要考虑了。

技术实现思路

[0005]针对上述问题，本技术的主要目的在于提供一种在原有熔丝筒两端高压处加屏蔽环，在熔丝抽出处增加密封圈的带屏蔽环的熔丝筒。
[0006]本技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种带屏蔽环的熔丝筒；所述带屏蔽环的熔丝筒包括：熔丝筒本体，熔丝筒本体两端高压处设置有屏蔽环、熔丝筒本体的熔丝抽出处设置有密封圈。
[0007]在本技术的具体实施例子中：所述屏蔽环是焊在嵌件铜件上组成焊接体整体，焊接体整体浇筑在熔丝筒本体上。
[0008]在本技术的具体实施例子中：所述屏蔽环包括第一屏蔽环和第二屏蔽环，所述第一屏蔽环和第二屏蔽环分别安装在熔丝筒本体两端高压处，第一屏蔽环的长度长于第二屏蔽环。
[0009]在本技术的具体实施例子中：所述第一屏蔽环的长度为第二屏蔽环的2
‑
4倍。
[0010]在本技术的具体实施例子中：所述屏蔽环焊的嵌件铜件上设置有两个凸起槽。
[0011]在本技术的具体实施例子中：所述焊接体整体的两头设置有弯折开口圈槽。
[0012]在本技术的具体实施例子中：所述密封圈套在熔丝筒本体上。
[0013]在本技术的具体实施例子中：所述密封圈截面为腰孔形状的密封圈。
[0014]在本技术的具体实施例子中：所述密封圈分为三部分：两边的凸起密封部分和中间的凹槽密封部分，密封圈一体成型。
[0015]本技术的积极进步效果在于：本技术提供的带屏蔽环的熔丝筒具有如下优点：本技术在原有熔丝筒两端高压处加屏蔽环，在熔丝抽出处增加密封圈。采用两高压端加屏蔽环使其屏蔽局部放电，另一端加密封圈增加爬电距离。使其减小局放值，增强绝缘。
[0016]当高压端通电后，电压升高后，高压端的带电体，就有可能会产生局部放电现象。
但这些放电现象就会被所加的屏蔽环给屏蔽掉。这样就会使局放值变小。
[0017]当电压升高到一定时密封圈处这边就会发生爬电的可能，安装密封圈密封使其不发生爬电，绝缘能力达到提高。
附图说明
[0018]图1为本技术的整体结构示意图。
[0019]图2为本技术中屏蔽环的安装结构示意图。
[0020]图3
‑
1为本技术中第一屏蔽环的整体结构示意图。
[0021]图3
‑
2为图3
‑
1的左视图。
[0022]图4
‑
1为本技术中第二屏蔽环的整体结构示意图。
[0023]图4
‑
2为图4
‑
1的左视图。
[0024]图4
‑
3为图4
‑
1的局部放大图。
[0025]图5
‑
1为本技术中密封圈的整体结构示意图。
[0026]图5
‑
2为图5
‑
1的主视图。
[0027]图5
‑
3为图5
‑
2中B
‑
B方向的剖视图。
[0028]图5
‑
4为图5
‑
2中C
‑
C方向的剖视图。
[0029]下面是本技术中标号对应的名称：
[0030]熔丝筒本体1、屏蔽环2、密封圈3、嵌件铜件4、焊接体整体5；
[0031]第一屏蔽环201、第二屏蔽环202、凸起密封部分301、302、凹槽密封部分303、凸起槽401、弯折开口圈槽501。
具体实施方式
[0032]下面结合附图给出本技术较佳实施例，以详细说明本技术的技术方案。
[0033]图1为本技术的整体结构示意图。图2为本技术中屏蔽环的安装结构示意图。如图1和2所示，本技术提供的带屏蔽环的熔丝筒；该带屏蔽环的熔丝筒包括：熔丝筒本体1，熔丝筒本体1两端高压处设置有屏蔽环2、熔丝筒本体1的熔丝抽出处设置有密封圈3。
[0034]屏蔽环2是焊在嵌件铜件4上组成焊接体整体5，焊接体整体5浇筑在熔丝筒本体1上。
[0035]图3
‑
1为本技术中第一屏蔽环的整体结构示意图。图3
‑
2为图3
‑
1的左视图。图4
‑
1为本技术中第二屏蔽环的整体结构示意图。图4
‑
2为图4
‑
1的左视图。如上述图所示，屏蔽环2包括第一屏蔽环201和第二屏蔽环202。第一屏蔽环201和第二屏蔽环202分别安装在熔丝筒本体1两端高压处，第一屏蔽环201的长度长于第二屏蔽环202。在具体的实施过程中，第一屏蔽环201的长度选为第二屏蔽环202的2
‑
4倍。
[0036]在具体的实施过程中，屏蔽环2焊的嵌件铜件4上设置有两个凸起槽401。焊接体整体5的两头设置有弯折开口圈槽501(参见图3
‑
1、4
‑
1和4
‑
3)。
[0037]图5
‑
1为本技术中密封圈的整体结构示意图，图5
‑
2为图5
‑
1的主视图，图5
‑
3为图5
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2中B
‑
B方向的剖视图，图5
‑
4为图5
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2中C
‑
C方向的剖视图。如上述图所示，本技术中的密封圈3套在熔丝筒本体1上。密封圈3截面为腰孔形状的密封圈。密封圈3分为三部
分：两边的凸起密封部分301、302和中间的凹槽密封部分303，密封圈3一体成型。
[0038]本技术在原有熔丝筒两端高压处加屏蔽环，在熔丝抽出处增加密封圈。
[0039]采用两高压端加屏蔽环使其屏蔽局部放电，另一端加密封圈增加爬电距离。使其减小局放值，增强绝缘。
[0040]当高压端通电后，电压升高后，高压端的带电体，就有可能会产生局部放电现象。但这些放电现象就会被所加的屏蔽环给屏蔽掉。这样就会使局放值变小。
[0041]当电压升高到一定时密封圈处这边就会发生爬电的可能，安装密封圈密封使其不发生爬电，绝缘能力达到提高。
[0042本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带屏蔽环的熔丝筒,其特征在于：所述带屏蔽环的熔丝筒包括：熔丝筒本体，熔丝筒本体两端高压处设置有屏蔽环、熔丝筒本体的熔丝抽出处设置有密封圈。2.根据权利要求1所述的带屏蔽环的熔丝筒，其特征在于，所述屏蔽环是焊在嵌件铜件上组成焊接体整体，焊接体整体浇筑在熔丝筒本体上。3.根据权利要求1或2所述的带屏蔽环的熔丝筒，其特征在于，所述屏蔽环包括第一屏蔽环和第二屏蔽环，所述第一屏蔽环和第二屏蔽环分别安装在熔丝筒本体两端高压处，第一屏蔽环的长度长于第二屏蔽环。4.根据权利要求3所述的带屏蔽环的熔丝筒，其特征在于，所述第一屏蔽环的长度为第二屏...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴春晖，沈华伦，孙宝李，徐国永，何福高，
申请(专利权)人：上海安奕极企业发展有限公司，
类型：新型
国别省市：