一种Microled或Miniled缺陷检测方法及装置制造方法及图纸

技术编号:28476436 阅读:22 留言:0更新日期:2021-05-15 21:45
本发明专利技术公开了一种Microled或Miniled缺陷检测方法及装置,其设置与待测试模组对应的波长选择模块、聚焦模块和探测模块,波长选择模块、聚焦模块和探测模块分别设置有与待测试Microled或Miniled的发光基本单元一一对应的波长选择单元、聚焦单元和探测单元;利用波长选择单元选择性透射发光基本单元出射的一个或多个不同波段范围的光至聚焦单元的不同子单元,通过将聚焦单元的不同子单元所接收到的光聚焦至探测单元的不同子单元,通过探测单元不同子单元的光强探测数据得到发光基本单元出射的对应不同波段范围的光的光强数据,实现对Microled或Miniled上每一个发光基本单元对应多个不同波段范围的光强特性的快速高效检测。测。测。

【技术实现步骤摘要】
一种Microled或Miniled缺陷检测方法及装置


[0001]本专利技术属于模组测试
,具体涉及一种Microled或Miniled缺陷检测方法及装置。

技术介绍

[0002]相比于现今广泛使用的OLED,Microled或Miniled亮度高、分辨率高、寿命长、功耗低、响应速度快,但目前Microled或Miniled的发展过程中仍存在着良品分选、巨量转移、封装散热、集成驱动等诸多技术挑战,这些问题不仅增加了Microled或Miniled的生产成本,同时制约着产品的商业化应用。
[0003]在实际应用中,Microled或Miniled的器件参数的一致化是十分影响图像显色质量的要素,然而由于Microled或Miniled的基本发光单元的尺寸为微米级,受到尺寸限制,目前Microled或Miniled的检测技术几乎没有提出一种可靠地对Microled或Miniled的器件单元的RGB三色波长光强是否符合设计参数要求的检测方案。
[0004]一般来说,对LED进行发光测试一般有光致发光测试(PL)与电致发光测试(EL)两种。前者一般通过紫外光进行光致发光,具有不损坏且不接触LED面板的优势,但一般只能检测50μm以上尺度的LED,否则检测结果容易受到该技术的干扰;后者一般通过电流进行电致发光,有因通电接触而损伤LED面板的可能。

技术实现思路

[0005]针对现有技术的以上缺陷或改进需求,本专利技术提供了一种Microled或Miniled缺陷检测方法及装置,以解决现有技术无法对Microled或Miniled的器件单元的多色波长光强进行快速高效检测的技术问题。
[0006]为实现上述目的,按照本专利技术的一个方面,提供了一种Microled或Miniled缺陷检测方法,该方法包括:设置与待测试Microled或Miniled对应的波长选择模块、聚焦模块和探测模块,波长选择模块、聚焦模块和探测模块分别设置有与待测试Microled或Miniled的发光基本单元一一对应的波长选择单元、聚焦单元和探测单元;利用波长选择单元选择性透射发光基本单元出射的一个或多个不同波段范围的光至聚焦单元的不同子单元,通过将聚焦单元的不同子单元所接收的光聚焦至探测单元的不同子单元,通过探测单元不同子单元的光强探测数据得到发光基本单元出射的对应不同波段范围的光的光强数据。
[0007]作为本专利技术的进一步改进,波长选择单元包括通孔和靠近聚焦单元的一侧设置的多个微纳结构单元,一个微纳结构单元透射一个不同波段范围的光或者截止一个不同波段范围的光。
[0008]作为本专利技术的进一步改进,不同波段范围的光的类型包括R色光、G色光、B色光。
[0009]作为本专利技术的进一步改进,多个微纳结构单元为3个亚波长金属光栅微纳臂,3个
亚波长金属光栅微纳臂以通孔为圆心、两两之间呈120
°
夹角排列,3个亚波长金属光栅微纳臂分别截止R色光、G色光、B色光。
[0010]作为本专利技术的进一步改进,聚焦单元为微透镜单元,聚焦单元的通光区域与波长选择单元的透射区域一一对应。
[0011]作为本专利技术的进一步改进,通过探测单元的不同子单元的光强数据得到发光基本单元出射的对应不同波段范围的光的光强数据包括:通过对探测单元的不同子单元的光强数据进行透过率修正后,依次计算出多个不同波段范围光的光强数据。
[0012]作为本专利技术的进一步改进,通过探测单元的不同子单元的光强数据得到发光基本单元出射的对应不同波段范围的光的光强数据包括:根据设定的阈值对不同波段范围的光的光强数据进行图像二值化处理,以测试待测试Microled或Miniled每一发光基本单元的光强特性是否符合设计参数要求。
[0013]作为本专利技术的进一步改进,通过探测单元的不同子单元的光强数据得到发光基本单元出射的对应不同波段范围的光的光强数据包括:依次对每一发光基本单元的亮度值进行均值方差运算,根据设定的阈值判决出每一发光基本单元的亮度均值是否超过偏离亮度均值容许的阈值。
[0014]作为本专利技术的进一步改进,通过探测单元不同子单元的光强探测数据得到发光基本单元出射的对应不同波段范围的光的光强数据后,根据光强数据确认发光基本单元与探测单元之间的映射关系,以确定待测试模组每一发光基本单元对应的缺陷判别条件。
[0015]为实现上述目的,按照本专利技术的一个方面,提供了一种Microled或Miniled缺陷检测装置,该装置包括与待测试Microled或Miniled对应的波长选择模块、聚焦模块和探测模块,波长选择模块、聚焦模块和探测模块分别设置有与待测试Microled或Miniled的发光基本单元一一对应的波长选择单元、聚焦单元和探测单元,波长选择单元用于选择性透射发光基本单元出射的一个或多个不同波段范围的光至所述聚焦单元的不同子单元;聚焦单元用于将其不同子单元的所接收到的光聚焦至探测单元的不同子单元;探测单元用于探测其不同子单元的光强探测数据,以得到发光基本单元出射的对应不同波段范围的光的光强数据。
[0016]总体而言,通过本专利技术所构思的以上技术方案与现有技术相比,具有以下有益效果:本专利技术的一种Microled或Miniled缺陷检测方法及装置,其通过设置与待测试模组的发光基本单元一一对应的波长选择单元、聚焦单元和探测单元,利用波长选择单元选择性透射发光基本单元出射的一个或多个不同波段范围的光至聚焦单元的不同子单元,通过探测单元不同子单元的光强探测数据得到发光基本单元出射的对应不同波段范围的光的光强数据,从而实现快速高效检测Microled或Miniled上每一个发光基本单元对应不同RGB波长的光强特性。
[0017]本专利技术的一种Microled或Miniled缺陷检测方法及装置,其对检测到的Microled或Miniled面板样品上每一发光基本单元对应不同RGB波长的光强特性是否符合设计参数要求的判决与标记,且可以根据面板样品、周期性金属微纳结构阵列、微透镜阵列、CCD成像
器件不同的单元对应关系,进行自适应地算法调节,具体的判决阈值需根据实际设计参数与装置安装情况进行相应的调节。
[0018]本专利技术的一种Microled或Miniled缺陷检测方法及装置,其通过薄膜上的3个亚波长金属光栅微纳臂生成波长选择单元,运用表面等离激元的技术思路,电磁场被局域在金属表面的亚波长范围内并发生增强,光波的能暈聚集在纳米范围内,实现了对传统光学衍射极限的突破,具有优良的波长选择性反射、透射性能,可以可靠的检测设定波长参数下,其生产的装置尺度小、效率高、加工便捷,适用于工业生产中的实际需求。
附图说明
[0019]图1为本专利技术技术方案的一种Microled或Miniled缺陷检测方法的应用示意图;图2为本专利技术技术方案的波长选择模块的结构示意图;图3为本专利技术技术方案的各模块的位置关系的示意图;图4为本专利技术技术方案的缺陷检测过程的示意图;在所有附图中,同样的附图标记表示相同的技术特征,具体为本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Microled或Miniled缺陷检测方法,其特征在于,所述方法包括:设置与待测试Microled或Miniled对应的波长选择模块、聚焦模块和探测模块,所述波长选择模块、聚焦模块和探测模块分别设置有与待测试Microled或Miniled的发光基本单元一一对应的波长选择单元、聚焦单元和探测单元;利用所述波长选择单元选择性透射所述发光基本单元出射的一个或多个不同波段范围的光至所述聚焦单元的不同子单元,通过将聚焦单元的不同子单元所接收的光聚焦至所述探测单元的不同子单元,通过所述探测单元不同子单元的光强探测数据得到所述发光基本单元出射的对应不同波段范围的光的光强数据。2.根据权利要求1所述的一种Microled或Miniled缺陷检测方法,其中,所述波长选择单元包括通孔和靠近所述聚焦单元的一侧设置的多个微纳结构单元,一个微纳结构单元透射一个不同波段范围的光或者截止一个不同波段范围的光。3.根据权利要求2所述的一种Microled或Miniled缺陷检测方法,其特征在于,所述不同波段范围的光的类型包括R色光、G色光、B色光。4.根据权利要求3所述的一种Microled或Miniled缺陷检测方法,其中,所述多个微纳结构单元为3个亚波长金属光栅微纳臂,所述3个亚波长金属光栅微纳臂以所述通孔为圆心、两两之间呈120
°
夹角排列,所述3个亚波长金属光栅微纳臂分别截止R色光、G色光、B色光。5.根据权利要求1所述的一种Microled或Miniled缺陷检测方法,其中,所述聚焦单元为微透镜单元,所述聚焦单元的通光区域与所述波长选择单元的透射区域一一对应。6.根据权利要求1

5中任一项所述的一种Microled或Miniled缺陷检测方法,其中,通过所述探测单元的不同子单元的光强数据得到所述发光基本单元出射的对应不同波段范围的光的光强数据包括:通过对所述探测单元不同子单元的光强数据进行透过率修正后,依次计算出多个不同波段范围光的光强...

【专利技术属性】
技术研发人员:范景洋洪志坤夏珉欧昌东郑增强
申请(专利权)人:武汉精立电子技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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