一种显示面板、显示装置及阵列基板的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术描述了一种显示面板、显示装置及阵列基板的制造方法。该显示面板包括：衬底基板；位于衬底基板一侧并依次设置的阵列层、阳极、像素定义层、发光层以及阴极，像素定义层包括暴露阳极的第一开口；发光层，至少部分位于第一开口内；阴极包括位于非第一开口区的第一间隙；其中，显示面板还包括覆盖第一间隙的第一导电体；第一导电体的电阻率小于阴极的电阻率。本发明专利技术还提供了包含该显示面板结构的显示装置，以及可应用于该显示面板的阵列基板的制造方法。本发明专利技术中，阴极驱动信号传递至中心处的电流量与传递至边缘的电流量的差别较小，从而解决屏幕的中心区域亮度偏低而造成的显示不均的问题，使显示面板具有更好的显示效果。使显示面板具有更好的显示效果。使显示面板具有更好的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板、显示装置及阵列基板的制造方法


[0001]本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种显示面板、包含该显示面板的显示装置以及可应用于该显示面板的一种阵列基板的制造方法。

技术介绍

[0002]有机发光二极管显示装置具有白发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、大视角、使用温度范围宽、可实现柔性大面积显示全色显示等诸多优点，是目前主流的显示技术。
[0003]顶发射OLED是目前主流的OLED面板显示技术，其独特的微腔结构赋予了顶发射OLED开口率高，色纯度高，色域广等优点。顶发射OLED由全反射阳极(RE)和半透半反的阴极(TCE)组成，阴极通常由蒸镀的尺寸为10
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20nm的Mg、Ag合金制备，其方阻约为20Ω
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sq
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1，存在阴极电阻率高的问题。当OLED显示屏的尺寸较小时，其阴极的压降可以忽略；但是当显示屏尺寸较大时，此时阴极的压降不可忽略，直接反映在屏体上，会造成显示亮度不均匀的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供一种显示面板、包含该显示面板的显示装置以及一种阵列基板的制造方法。本专利技术提供了一种显示面板，包括：衬底基板；位于衬底基板一侧并依次设置的阵列层、阳极、像素定义层、发光层以及阴极，像素定义层包括暴露阳极的第一开口；发光层至少部分位于第一开口内；阴极包括位于非第一开口区的第一间隙；其中，显示面板还包括覆盖第一间隙的第一导电体；第一导电体的电阻率小于阴极的电阻率。/>[0005]本专利技术还提供了一种包括上述显示面板的显示装置。
[0006]本专利技术还包括可应用于上述显示面板的一种阵列基板的制造方法，包括：提供衬底基板；在衬底基板上依次形成阵列层、阳极、像素定义层、发光层以及阴极，像素定义层包括暴露阳极的第一开口；发光层至少部分位于第一开口内；其中，在形成阴极之前，在像素定义层远离衬底基板一侧设置预设导电体；预设导电体位于非第一开口区；阴极通过预设导电体在非第一开口区形成第一间隙；加热阵列基板，预设导电体在加热过程中倒塌形成第一导电体并与所述阴极接触。
[0007]与现有技术相比，本专利技术至少具有如下优点：阴极驱动信号从显示面板的边缘向中心传导时，由于第一导电体具有更好的导电性能，那么传递至中心处的电流量与传递至边缘的电流量的差别较小，从而解决屏幕的中心区域亮度偏低而造成的显示不均的问题，使显示面板具有更好的显示效果。
附图说明
[0008]图1是现有技术中一种显示面板的俯视图；
[0009]图2是图1所示显示面板沿A
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A
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方向的局部剖面图；
[0010]图3是根据本专利技术实施例所绘示的一种显示面板的俯视图；
[0011]图4是图3所示显示面板沿A
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A
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方向的一种局部剖面图；
[0012]图5是图3所示显示面板沿A
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A
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方向的又一种局部剖面图；
[0013]图6是图3所示显示面板沿A
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A
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方向的又一种局部剖面图；
[0014]图7是图3所示显示面板沿A
‑
A
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方向的又一种局部剖面图；
[0015]图8是图3所示显示面板沿A
‑
A
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方向的又一种局部剖面图；
[0016]图9是根据本专利技术实施例所绘示的一种显示装置的结构示意图；
[0017]图10是根据本专利技术实施例所绘示的一种阵列基板的制备方法的流程图；
[0018]图11是根据本专利技术实施例所绘示的一种阵列基板的结构示意图；
[0019]图12是根据本专利技术实施例所绘示的又一种阵列基板的结构示意图；
[0020]图13是根据本专利技术实施例所绘示的又一种阵列基板的结构示意图；
[0021]图14是根据本专利技术实施例所绘示的又一种阵列基板的结构示意图；
[0022]图15是根据本专利技术实施例所绘示的又一种阵列基板的结构示意图；
[0023]图16是根据本专利技术实施例所绘示的又一种阵列基板的结构示意图；
[0024]图17是根据本专利技术实施例所绘示的又一种阵列基板的结构示意图；
[0025]图18是根据本专利技术实施例所绘示的又一种阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
[0026]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本专利技术做进一步说明。
[0027]需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广。因此本专利技术不受下面公开的具体实施方式的限制。
[0028]在本专利技术实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本专利技术。在本专利技术实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
[0029]需要注意的是，本专利技术实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本专利技术实施例的限定。此外在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件被形成在另一个元件“上”或“下”时，其不仅能够直接形成在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接形成在另一元件“上”或者“下”。
[0030]并且，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本专利技术更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本专利技术中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本专利技术保护范围内。本专利技术的附图仅用于示意相对位置关系，某些部位的层厚采用了夸张的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。且在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本申请中各实施例的附图沿用了相同的附图的标记。此外，各实施例彼此相同之处不再赘述。
[0031]请参考图1与图2，图1是现有技术中一种显示面板的俯视图，图2是图1所示显示面板沿A
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A
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方向的局部剖面图。显示面板10包括衬底基板11、驱动电路层12、发光元件13以及像素定义层14。其中，发光元件13包括阳极131、发光层132以及阴极133。
[0032]如图1所示，阴极133是整面铺设在衬底基板11上的，目前，在顶出光的OLED器件中，阴极133为保证一定的光线透过率，材料通常为透明或者半透明的材料，例如：IZO、ITO、AZO等单层材料或者Mg、Al、Ag与IZO、ITO、AZO中一种或者多种组成的复合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：衬底基板；位于所述衬底基板一侧并依次设置的阵列层、阳极、像素定义层、发光层以及阴极，所述像素定义层包括暴露所述阳极的第一开口；所述发光层至少部分位于所述第一开口内；所述阴极包括位于非第一开口区的第一间隙；其中，所述显示面板还包括覆盖所述第一间隙的第一导电体；所述第一导电体的电阻率小于所述阴极的电阻率。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电体位于所述像素定义层远离所述衬底基板一侧的表面上。3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素定义层背离所述衬底基板一侧还包括第二开口，所述第一导电体位于所述第二开口内。4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二开口小于所述第一开口。5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，沿远离所述衬底基板的方向上，所述第一导电体的宽度逐渐减小。6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电体的上表面为凸弧面。7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电体熔点温度不高于100℃。8.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述第一导电体远离所述衬底基板一侧的辅助子单元，所述辅助子单元与所述阴极同层同材料。9.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第一信号线和位于所述第一信号线与所述第一导电体之间的第一绝缘层，所述第一导电体通过所述第一绝缘层中过孔与所述第一信号线电连接。10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述第一导电体和所述第一信号线之间的辅助金属层，所述第一导电体通过所述辅助金属层与所述第一信号线电连接。11.如权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述辅助金属层与所述阳极同层。12.如权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述辅助金属层与所述阳极同材料。13.如权利要求1所述的的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述阴极与所述发光层之间的辅助显示层；所述辅助显示层包括位于所述非第一开口区的第二间隙，所述第二间隙在所述衬底基板的垂直投影与所述第一导电体在所述衬底基...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘操，霍思涛，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：