应用于管式镀膜设备的生产工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种应用于管式镀膜设备的生产工艺，包括：通过沉积控制装置对基板进行沉积处理，通过清洗控制装置对待清洗载具进行气相清洗处理，以及所述气相清洗处理结束后，通过饱和控制装置对清洗载具进行饱和处理。本发明专利技术中通过所述传输装置将所述待清洗载具输送至所述管式清洗腔体后，通过所述清洗控制装置对所述待清洗载具进行气相清洗处理，以得到清洗载具；所述气相清洗处理结束后，通过所述传输装置将所述清洗载具输送至所述管式饱和腔体后，通过所述饱和控制装置对所述清洗载具进行饱和处理，无需拆装所述待清洗载具，从而进一步提高了生产效率。进一步提高了生产效率。进一步提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
应用于管式镀膜设备的生产工艺


[0001]本专利技术涉及晶硅太阳能电池制造
，尤其涉及管式镀膜设备的生产工艺。

技术介绍

[0002]太阳能电池制造工艺中，利用等离子体增强化学气相沉积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)法在晶硅表面形成减反射膜，能够通过减少光线的反射率来提高光能利用率，同时减反射膜还能够起到钝化效果并为电池提供长期的保护，从而有利于光电转化效率的提升。因此，高质量的氮化硅薄膜对提高晶硅太阳能电池的性能和质量都起到了至关重要的作用。
[0003]现有技术中通常将能够放置几十甚至上百硅片的石墨舟送入石英管中，通过在石英管内激发等离子体进行PECVD沉积。由于石墨舟绝大部分表面也暴露在反应环境中，减反射膜沉积不仅在硅片表面进行，也在石墨舟的暴露表面进行，石墨舟表面的沉积层容易对硅片表面造成污染。因此，需要定期对石墨舟进行维护。
[0004]现有技术中通常采用化学法对PECVD工艺的相关器件进行清洗维护。例如公开号为CN105742159A的中国专利申请公开了通过混酸和纯水清除光伏相关器件，例如石墨舟和石英管表面污染的方法。然而这种清洗方法属于离线清洗，需要将石英管或石墨舟浸泡于酸液或水中，涉及到远程运输、石英管的拆装过程和繁杂的清洗工艺，不利于生产效率的提高。
[0005]因此，有必要开发一种新型的应用于管式镀膜设备的生产工艺以解决现有技术存在的上述问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种应用于管式镀膜设备的生产工艺，以对载具进行在线清洗和饱和处理，并有利于提高生产效率。
[0007]为实现上述目的，本专利技术的所述管式镀膜设备包括传输装置、设置有清洗控制装置的管式清洗腔体以及设置有饱和控制装置的管式饱和腔体，所述生产工艺包括提供待清洗载具；通过所述传输装置将所述待清洗载具输送至所述管式清洗腔体后，通过所述清洗控制装置对所述待清洗载具进行气相清洗处理，以得到清洗载具；所述气相清洗处理结束后，通过所述传输装置将所述清洗载具输送至所述管式饱和腔体后，通过所述饱和控制装置对所述清洗载具进行饱和处理。
[0008]本专利技术的所述应用于管式镀膜设备的生产工艺的有益效果在于：通过所述传输装置将所述待清洗载具输送至所述管式清洗腔体后，通过所述清洗控制装置对所述待清洗载具进行气相清洗处理，以得到清洗载具；所述气相清洗处理结束后，通过所述传输装置将所述清洗载具输送至所述管式饱和腔体后，通过所述饱和控制装置对所述清洗载具进行饱和处理，无需拆装所述待清洗载具，从而进一步提高了生产效率。
[0009]优选的，通过所述饱和控制装置控制所述管式饱和腔体内的温度为200
‑
600 摄氏
度，压力为0.2
‑
0.4千帕，射频功率为10
‑
40千瓦，以及控制向所述管式饱和腔体内输送的饱和气体的流量为5
‑
30标准升/分钟，以使所述清洗载具表面形成饱和层。其有益效果在于：保证饱和层的沉积均匀性。
[0010]进一步优选的，所述饱和气体包括硅烷，还包括氨气和氮氧化物中的至少一种。
[0011]进一步优选的，所述饱和气体还包括载气，所述载气为氮气、氩气和氧气中的至少一种。
[0012]优选的，所述气相清洗处理包括化学气相清洗处理，通过所述清洗控制装置控制所述管式清洗腔体内的温度为200
‑
600摄氏度，压力为0.1
‑
67千帕，所述清洗气体的流量为2
‑
50标准升/分钟，以进行所述化学气相清洗处理。其有益效果在于：保证清洗的效果。
[0013]进一步优选的，所述清洗气体为HF、F2、Cl2和ClF3中的至少一种。
[0014]进一步优选的，所述清洗气体还包括载气，所述载气为氮气、氩气和氧气中的至少一种。
[0015]进一步优选的，所述管式清洗腔体还设置有等离子体发生装置，通过所述清洗控制装置控制所述管式清洗腔体内的温度和压力，以及向所述管式清洗腔体通入的清洗气体的流量，通过所述等离子体发生装置使所述清洗气体转化为等离子体，以进行所述等离子体化学气相清洗处理。其有益效果在于：无需拆装所述待清洗载具，从而进一步提高了生产效率。
[0016]进一步优选的，通过所述清洗控制装置控制所述管式清洗腔体内的温度为 300
‑
600摄氏度，压力为0.1
‑
0.6千帕，所述清洗气体的流量为2
‑
50标准升/分钟，通过所述等离子体发生装置控制射频功率为10
‑
40千瓦。其有益效果在于：保证清洗的效果。
[0017]进一步优选的，所述清洗气体包含碳元素、氮元素和氟元素中的至少两种。
[0018]进一步优选的，所述清洗气体还包括载气，所述载气为氮气、氩气和氧气中的至少一种。
[0019]优选的，通过所述管式饱和腔体进行所述气相清洗处理和所述沉积处理的任意一种。其有益效果在于：提高所述管式饱和腔体的利用率。
[0020]优选的，所述管式镀膜设备包括设置有沉积控制装置的管式沉积腔体，通过所述沉积控制装置在所述管式沉积腔体的内基板表面形成介质膜，所述管式清洗腔体和所述管式饱和腔体中任意一种的数目至少为1，所述管式清洗腔体和所述管式饱和腔体中任意一种的数目不超过所述管式沉积腔体的数目。
附图说明
[0021]图1为本专利技术的应用于管式镀膜设备的生产工艺流程图；
[0022]图2为本专利技术实施例的管式PECVD沉积设备的结构示意图；
[0023]图3为图2所示的管式清洗腔体的一种结构示意图；
[0024]图4为图2所示的管式清洗腔体的另一种结构示意图。
具体实施方式
[0025]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实
施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
[0026]现有技术中通过管式镀膜设备，例如管式PECVD沉积设备进行沉积工艺形成镀膜基板的过程中，由于基板装载于石墨舟，向基板沉积介质膜的同时石墨舟表面必然也发生了沉积反应。考虑到石墨舟表面的清洁程度对镀膜基板性能的影响很大，石墨舟需要定期进行清洗处理。
[0027]考虑到拆装石墨舟对产能的影响以及清洗过程的能耗，石墨舟的清洗维护通常在表面污染达到一定程度且有很大风险要严重影响产品质量的时候才会对石墨舟进行清洗处本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于管式镀膜设备的生产工艺，包括提供待清洗载具，其特征在于：所述管式镀膜设备包括传输装置、设置有清洗控制装置的管式清洗腔体以及设置有饱和控制装置的管式饱和腔体；所述处理方法还包括：通过所述传输装置将所述待清洗载具输送至所述管式清洗腔体后，通过所述清洗控制装置对所述待清洗载具进行气相清洗处理，以得到清洗载具；所述气相清洗处理结束后，通过所述传输装置将所述清洗载具输送至所述管式饱和腔体后，通过所述饱和控制装置对所述清洗载具进行饱和处理。2.根据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于，通过所述饱和控制装置控制所述管式饱和腔体内的温度为200
‑
600摄氏度，压力为0.2
‑
0.4千帕，射频功率为10
‑
40千瓦，以及控制向所述管式饱和腔体内输送的饱和气体的流量为5
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30标准升/分钟，以使所述清洗载具表面形成饱和层。3.根据权利要求2所述的生产工艺，其特征在于，所述饱和气体包括硅烷，还包括氨气和氮氧化物中的至少一种。4.根据权利要求3所述的生产工艺，其特征在于，所述饱和气体还包括载气，所述载气为氮气、氩气和氧气中的至少一种。5.据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于，所述气相清洗处理包括化学气相清洗处理，通过所述清洗控制装置控制所述管式清洗腔体内的温度为200
‑
600摄氏度，压力为0.1
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67千帕，使用的清洗气体的流量为2
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50标准升/分钟，以进行所述化学气相清洗处理。6.根据权利要求5所述的生产工艺，其特征在于，所述清洗...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴虹，黄志强，王祥，胡海明，汤亮才，刘锋，
申请(专利权)人：理想晶延半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：