断线修复装置及断线修复装置调试方法制造方法及图纸

技术编号:28454118 阅读:18 留言:0更新日期:2021-05-15 21:17
本申请提供一种断线修复装置及断线修复装置调试方法,所述断线修复装置包括基座、安装于所述基座上的支撑架、以及设置于所述支撑架上的可移动的镀膜单元和阻值测试单元,使用所述断线修复装置对基板进行镀膜操作时,所述阻值测试单元可随时对所述镀膜单元形成的膜层阻值进行测试,而无需移动基板,相较于现有技术,减小了基板转运的时间,提高了断线修复装置的调试效率和断线修复效率。装置的调试效率和断线修复效率。装置的调试效率和断线修复效率。

【技术实现步骤摘要】
断线修复装置及断线修复装置调试方法


[0001]本申请涉及显示
,尤其涉及一种断线修复装置及断线修复装置调试方法。

技术介绍

[0002]在电子器件领域,尤其是半导体显示行业中,经常会遇到电子器件内部的金属走线出现断线的问题,这一问题可以发生在整个制程中,也可以发生在电子器件制作完成后的检测过程中。显示面板中的金属断线会极大影响显示面板的性能,严重的甚至导致显示面板的报废,造成良率损失和资源浪费。
[0003]目前解决金属断线问题的方法是采用激光诱导化学气相沉积设备(Laser Chemical Vapor Deposition,LCVD)在断线处沉积导电膜层,从而修复断线处的导电通路。为了保证在断线修复过程中形成的导电膜层的电阻一次性满足断线修复要求,在进行断线修复操作之前需要对化学气相沉积设备进行多次调试,使其能够产生稳定且符合要求的导电膜层。现有技术对化学气相沉积设备进行调试的方法是:首先将一玻璃基板置于化学气相沉积设备中,化学气相沉积设备在该玻璃基板上沉积一金属膜层;然后将玻璃基板移出化学气相沉积设备,并运送至电阻测试设备对形成的金属膜层的电阻进行测试,并判断测试结果。由于化学气相沉积设备中用于调控金属膜层电阻的参数较多,一台化学气相沉积设备的调试往往需要经过多次沉积金属膜层和多次电阻测试的操作,这样就需要在化学气相沉积设备和电阻测试设备之间反复运送玻璃基板,花费大量转移玻璃基板的时间,调试完成一台化学气相沉积设备的时间往往在2~3天左右,造成了大量的产能浪费。

技术实现思路

[0004]基于上述现有技术中的不足,本申请提供一种断线修复装置及断线修复装置的调试方法,通过在断线修复装置中直接设置阻值测试单元,方便了对断线修复装置所形成膜层的阻值测试,大大提高了断线修复装置的调试效率。
[0005]本申请提供一种断线修复装置,包括:
[0006]基座;
[0007]支撑架,安装于所述基座上,所述支撑架包括上端面,所述上端面与所述基座之间存在间隙;
[0008]镀膜单元,设置于所述上端面上,与所述上端面可移动连接;
[0009]阻值测试单元,设置于所述上端面上,与所述上端面可移动连接。
[0010]根据本申请一实施例,所述断线修复装置还包括壳体,所述壳体与所述基座之间形成可密封的腔体,所述支撑架、所述镀膜单元和所述阻值测试单元位于所述腔体中。
[0011]根据本申请一实施例,所述壳体上设置有密封门,所述密封门用于打开或密封所述腔体。
[0012]根据本申请一实施例,所述腔体内还设置有抽真空端口,所述抽真空端口用于将
密封状态下的所述腔体内的气体抽出。
[0013]根据本申请一实施例,所述镀膜单元包括激光发射单元和反应气体放射单元,所述反应气体放射单元用于放射反应气体,所述激光发射单元用于发射激光并诱导所述反应气体发生化学反应。
[0014]根据本申请一实施例,所述阻值测试单元包括探针、阻值计算单元和阻值显示单元,所述阻值计算单元用于计算所述探针接触的待测物体的阻值,所述阻值显示单元用于显示所述阻值计算单元计算的阻值。
[0015]本申请还提供一种断线修复装置调试方法,所述断线修复装置包括基座、安装于所述基座上的支撑架、以及设置于所述支撑架上端面上的可移动的镀膜单元和阻值测试单元,所述支撑架的上端面与所述基座之间存在间隙;所述调试方法包括以下步骤:
[0016]提供一测试基板,所述测试基板包括测试端,将所述测试基板置于所述基座上;
[0017]移动所述镀膜单元至所述测试端,并在所述测试端镀膜以形成膜层;
[0018]移动所述阻值测试单元至所述测试端,并测试所述膜层的阻值;
[0019]判断所述膜层的阻值是否满足预设值,若满足,则结束调试;若不满足,则调整所述镀膜单元的镀膜参数,并重复进行所述镀膜单元的镀膜步骤和所述阻值测试单元的阻值测试步骤。
[0020]根据本申请一实施例,调整所述镀膜单元的镀膜参数,以调整形成的所述膜层的厚度。
[0021]根据本申请一实施例,所述镀膜单元包括激光发射单元和反应气体放射单元;
[0022]进行镀膜步骤时,所述反应气体放射单元放射反应气体,所述激光发射单元发射激光并诱导所述反应气体发生化学反应,反应产物沉积于所述测试端形成所述膜层。
[0023]根据本申请一实施例,判断所述膜层的阻值是否满足预设值的方法是:
[0024]人工判断;或
[0025]将所述阻值测试单元连接一阻值判断单元进行自动判断。
[0026]本申请的有益效果是:本申请提供断线修复装置及断线修复装置调试方法中,所述断线修复装置包括镀膜单元和阻值测试单元,所述阻值测试单元可以随时对所述镀膜单元形成的膜层阻值进行测试,相较于现有技术,减小了基板转运的时间,提高了断线修复装置的调试效率;并且使用所述断线修复装置进行断线修复时,可时刻检测所修复断线的阻值特征,提高断线修复效率。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1是本申请实施例提供的断线修复装置的结构示意图;
[0029]图2是本申请实施例提供的镀膜单元的结构示意图;
[0030]图3是本申请实施例提供的阻值测试单元的结构示意图;
[0031]图4是本申请实施例提供的断线修复装置调试方法流程图;
[0032]图5是本申请实施例提供的测试基板的结构示意图;
[0033]图6是将本申请实施例提供的测试基板置于断线修复装置中的示意图。
具体实施方式
[0034]以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本申请,而非用以限制本申请。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
[0035]本申请实施例提供一种断线修复装置,该断线修复装置内同时设置有镀膜单元和阻值测试单元,所述阻值测试单元可以随时对所述镀膜单元形成的膜层阻值进行测试,相较于现有技术,减小了基板转运的时间,提高了断线修复装置的调试效率;并且使用所述断线修复装置进行断线修复时,可时刻检测所修复断线的阻值特征,提高断线修复效率。
[0036]如图1所述,是本申请实施例提供的断线修复装置10的结构示意图。所述断线修复装置包括基座11、安装于所述基座11上的支撑架12、以及设置于所述支撑件12上的镀膜单元13和阻值测试单元14;所述支撑架12包括上端面121,所述上端面121与所述基座11之间存在间隙;所述镀膜单元13和本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种断线修复装置,其特征在于,包括:基座;支撑架,安装于所述基座上,所述支撑架包括上端面,所述上端面与所述基座之间存在间隙;镀膜单元,设置于所述上端面上,与所述上端面可移动连接;阻值测试单元,设置于所述上端面上,与所述上端面可移动连接。2.根据权利要求1所述的断线修复装置,其特征在于,还包括壳体,所述壳体与所述基座之间形成可密封的腔体,所述支撑架、所述镀膜单元和所述阻值测试单元位于所述腔体中。3.根据权利要求2所述的断线修复装置,其特征在于,所述壳体上设置有密封门,所述密封门用于打开或密封所述腔体。4.根据权利要求3所述的断线修复装置,其特征在于,所述腔体内还设置有抽真空端口,所述抽真空端口用于将密封状态下的所述腔体内的气体抽出。5.根据权利要求1所述的断线修复装置,其特征在于,所述镀膜单元包括激光发射单元和反应气体放射单元,所述反应气体放射单元用于放射反应气体,所述激光发射单元用于发射激光并诱导所述反应气体发生化学反应。6.根据权利要求1所述的断线修复装置,其特征在于,所述阻值测试单元包括探针、阻值计算单元和阻值显示单元,所述阻值计算单元用于计算所述探针接触的待测物体的阻值,所述阻值显示单元用于显示所述阻值计算单元计算的阻值。7.一种断线修复装置调试方法,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈少甫
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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