一种自吹弧过电压保护器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种自吹弧过电压保护器件，包括GDT放电管与紧固件，所述紧固件包括密封连接的壳体和密封盖，所述紧固件内部形成密封腔；所述GDT放电管设置于密封腔内，所述GDT放电管包括金属电极、MOV瓷片以及绝缘瓷管，所述金属电极活动配置于绝缘瓷管一端，所述MOV瓷片活动配置于绝缘瓷管另一端，所述紧固件套设于GDT放电管外侧用于压紧MOV瓷片，所述MOV瓷片、绝缘瓷管与金属电极之间形成气体腔；所述金属电极与MOV瓷片上分别设置有引出线，所述引出线延伸至紧固件外侧；具有节约安装体积、性能好和寿命长的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种自吹弧过电压保护器件
本技术属于放电管
，具体涉及一种自吹弧过电压保护器件。
技术介绍
MOV电阻与GDT放电管串接是过电压保护器件使用的常例。利用GDT位导通前的高阻值来截断漏电流，但是密闭式的GDT高压导通后很难关断续流，需要MOV低压下的高阻来关停续流，但是持续使用下，MOV会因为损伤造成阻值下降，关断电流能力持续下滑，同时在MOV与GDT在PCB板上需要占用两个元件位置，不利于PCB板的设计。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种自吹弧过电压保护器件，以解决在GDT放电管与MOV电阻串接使用过程中，高压导通后很难关断续流，长时间工作容易损伤MOV电阻的阻值从而使得关断续流能力下降的问题。本技术提供了如下的技术方案：一种自吹弧过电压保护器件，包括GDT放电管与紧固件，所述紧固件包括密封连接的壳体和密封盖，所述紧固件内部形成密封腔；所述GDT放电管设置于密封腔内，所述GDT放电管包括金属电极、MOV瓷片以及绝缘瓷管，所述金属电极活动配置于绝缘瓷管一端，所述MOV瓷片活动配置于绝缘瓷管另一端，所述紧固件套设于GDT放电管外侧用于压紧MOV瓷片，所述MOV瓷片、绝缘瓷管与金属电极之间形成气体腔；所述金属电极与MOV瓷片上分别设置有引出线，所述引出线延伸至紧固件外侧。优选的，所述金属电极包括一体成型的基底和梯形凸起，所述基底与绝缘瓷管活动配置，所述梯形凸起延伸至绝缘瓷管内侧。本技术的有益效果是：本技术的一种自吹弧过电压保护器件，将MOV瓷片集成于GDT放电管内侧，从而节省安装空间；当外界高压突波发生，气体腔内的气体会被加热膨胀，会顶开MOV瓷片泄气，泄气过程中将绝缘瓷管内电弧吹散，达到断路关停电流的功能，从而减少对MOV瓷片的损伤，提升产品性能与寿命。附图说明附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中：图1是本技术结构示意图；图中标记为：1.壳体，2.密封盖，3.金属电极，4.MOV瓷片，5.绝缘瓷管，6.引出线，7.密封腔，8.气体腔。具体实施方式如图1所示，一种自吹弧过电压保护器件，包括GDT放电管与紧固件。紧固件包括密封连接的壳体1和密封盖2，紧固件内部形成密封腔7。GDT放电管设置于密封腔7内，GDT放电管包括金属电极3、MOV瓷片4以及绝缘瓷管5，金属电极3活动配置于绝缘瓷管5一端，MOV瓷片4活动配置于绝缘瓷管5另一端，紧固件套设于GDT放电管外侧用于压紧MOV瓷片4，MOV瓷片4、绝缘瓷管5与金属电极3之间形成气体腔8；金属电极3与MOV瓷片4上分别设置有引出线6，引出线6延伸至紧固件外侧。具体的，金属电极3包括一体成型的基底和梯形凸起，基底与绝缘瓷管5活动配置，梯形凸起延伸至绝缘瓷管5内侧。本具体实施方式：将MOV瓷片4集成于GDT放电管内侧，从而节省安装空间；当外界高压突波发生，气体腔8内的气体会被加热膨胀，会顶开MOV瓷片4泄气，泄气过程中将绝缘瓷管5内电弧吹散，达到断路关停电流的功能，从而减少对MOV瓷片4的损伤，提升产品性能与寿命。以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自吹弧过电压保护器件，其特征在于，包括GDT放电管与紧固件，所述紧固件包括密封连接的壳体和密封盖，所述紧固件内部形成密封腔；所述GDT放电管设置于密封腔内，所述GDT放电管包括金属电极、MOV瓷片以及绝缘瓷管，所述金属电极活动配置于绝缘瓷管一端，所述MOV瓷片活动配置于绝缘瓷管另一端，所述紧固件套设于GDT放电管外侧用于压紧MOV瓷片，所述MOV瓷片、绝缘瓷管与金属电极之间形成气体腔；所述金属电极与MOV瓷片上分别设置有引出线，所述引出线延伸至紧固件外侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种自吹弧过电压保护器件，其特征在于，包括GDT放电管与紧固件，所述紧固件包括密封连接的壳体和密封盖，所述紧固件内部形成密封腔；所述GDT放电管设置于密封腔内，所述GDT放电管包括金属电极、MOV瓷片以及绝缘瓷管，所述金属电极活动配置于绝缘瓷管一端，所述MOV瓷片活动配置于绝缘瓷管另一端，所述紧固件套设于GDT放电管外侧用...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄章庆，王惠平，黄湘柏，何鹉，
申请(专利权)人：华格电子昆山有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32