【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对可改写非易失性存储器写入数据时错误处理具有特征的。
技术介绍
近年来,作为保存数字信息的存储装置,广泛使用装载可改写非易失性存储器的存储卡或设备。尤其是存储卡体积小且抗震性优异,因此今后多用于便携式设备中。具有代表性的可改写非易失性存储器有快闪存储器。一般而言,数据的写入是以页为单位执行的,而数据的删除则是以清除区块为单位执行的。通常,清除区块由多个页构成。以下的说明中,将页和清除区块称作区块。快闪存储器是以区块为单位来管理其使用及未使用的,例如,对于未使用的区块写入“1”作为管理数据,写入数据后,将管理数据从“1”改写为“0”。而且,一般而言,快闪存储器很少存在未正常写入的情况。因此,快闪存储器具有读出表示正常写入、或者异常写入的状态的功能。并且,必须在写入数据后再读出其状态以判断写入是否已正常进行。当发生写入错误时,对应区块的管理数据则从“1”改写为“0”,从而不会再次选择该区块作为写入区块。作为所述快闪存储器的写入错误的相关技术,公知专利文献1中揭示的技术。专利文献1日本专利特开2002-108720号公报(0003~0004段)
技术实现思路
常规的快闪存储器中,对于发生写入错误的存储单元,为了避免再次被选为写入对象,而在管理表上将该区块作为不良区块加以处理。然而,近年来,出现即便在写入未正常时也可再利用存储单元的快闪存储器。这样的快闪存储器中,若与常规的快闪存储器相同,将发生写入错误的存储单元全部作为不良区块,则可能会产生大量的不良区块。本专利技术是为解决所述问题而研制的,其目的在于实现一种可减少存储卡中不良区块的产生的。为了 ...
【技术保护点】
一种存储器控制电路,是可改写非易失性存储器的存储器控制电路,其特征在于包括: 第一管理表,每当写入数据时将所述非易失性存储器的数据写入状态作为管理信息进行存储; 第二管理表,每当规定单位的数据写入结束时复制所述第一管理表的管理信息; 写入部,根据所述第一管理表的管理信息,以区块为单位向所述非易失性存储器写入新的数据; 管理表更新部,更新所述第一管理表的管理信息,以禁止已进行所述写入的区块的再写入; 判断部,判断所述数据的写入是否已正常执行; 错误地址保存部,对于由所述判断部判断为所述数据的写入未正常执行的区块,保存该区块的地址; 纠正部,在规定单位的写入完成后,依次读出保存于所述错误地址保存部中的地址数据,且进行错误的检测及纠正;以及 结束控制部,当根据保存于所述错误地址保存部中的地址数据的错误状况而将规定单位的写入设为有效时,将所述第一管理表的管理信息复制到第二管理表中并正常结束,而当根据保存于所述错误地址保存部中的地址数据的错误状况而将规定单位的写入设为无效时,将所述第二管理表的管理信息复制到第一管理表中并异常结束。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-5-19 149316/20041.一种存储器控制电路,是可改写非易失性存储器的存储器控制电路,其特征在于包括第一管理表,每当写入数据时将所述非易失性存储器的数据写入状态作为管理信息进行存储;第二管理表,每当规定单位的数据写入结束时复制所述第一管理表的管理信息;写入部,根据所述第一管理表的管理信息,以区块为单位向所述非易失性存储器写入新的数据;管理表更新部,更新所述第一管理表的管理信息,以禁止已进行所述写入的区块的再写入;判断部,判断所述数据的写入是否已正常执行;错误地址保存部,对于由所述判断部判断为所述数据的写入未正常执行的区块,保存该区块的地址;纠正部,在规定单位的写入完成后,依次读出保存于所述错误地址保存部中的地址数据,且进行错误的检测及纠正;以及结束控制部,当根据保存于所述错误地址保存部中的地址数据的错误状况而将规定单位的写入设为有效时,将所述第一管理表的管理信息复制到第二管理表中并正常结束,而当根据保存于所述错误地址保存部中的地址数据的错误状况而将规定单位的写入设为无效时,将所述第二管理表的管理信息复制到第一管理表中并异常结束。2.根据权利要求1所述的存储器控制电路,其特征在于所述结束控制部,当检测出存在m位以上的错误时,对所述写入部发出指示以将由所述纠正部纠正的数据重试写入到所述非易失性存储器的不同区块中,并且对所述管理表更新部发出指示以更新第一管理表的管理信息,且将写入设为有效。3.根据权利要求2所述的存储器控制电路,其特征在于所述结束控制部,对所述管理表更新部发出指示以将存在n位以上的错误的区块设为不良区块,其中n≥m。4.根据权利要求1所述的存储器控制电路,其特征在于所述结束控制部,当判断为保存于所述错误地址保存部中的地址数据中,至少存在一个超出纠正能力的错误时,异常结束。5.根据权利要求4所述的存储器控制电路,其特征在于所述结束控制部,在将第二管理表的管理信息复制到第一管理表中之后,对所述管理表更新部发出指示以将存在超出纠正能力的错误的区块设为不良区块,且将所述第一管理表的管理信息复制到第二管理表中并异常结束。6.一种非易失性存储装置,其特征在于包括可改写非易失性存储器;第一管理表,每当写入数据时将所述非易失性存储器的数据写入状态作为管理信息进行存储;第二管理表,每当规定单位的数据写入结束时复制所述第一管理表的管理信息;写入部,根据所述第一管理表的管理信息,以区块为单位向所述非易失性存储器写入新的数据;管理表更新部,更新所述第一管理表的管理信息,以禁止已进行所述写入的区块的再写入;判断部,判断所述数据的写入是否已正常执行;错误地址保存部,对于由所述判断部判断为所述数据的写入未正常执行的区块,保存该区块的地址;纠正部,在规定单位的写入完成后,依次读出保存于所述错误地址保存部的地址数据,且进行错误的检测及纠正;以及结束控制部,当根据保存于所述错误地址保存部中的地址数据的错误状况而将规定单位的写入设为有效时,将所述第一管理表的管理信息复制到第二管理表中并正常...
【专利技术属性】
技术研发人员:笠原哲志,泉智绍,中西雅浩,田村和明,松野公则,稻垣善久,井上学,
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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