电子装置、数据处理装置及电子设备制造方法及图纸

本公开涉及电子装置、数据处理装置及电子设备，所述装置包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管及电压保持单元，所述电子装置用于将属于第一电压范围的输入信号转换为属于第二电压范围的输出信号。本公开实施例提出的电子装置，当产生所述输入信号的第三电源电压在维持一段时间消失时，可以维持第一端的所述输出信号的反相信号的电位，并维持第二端的输出信号的电位，使得在其中一个电源停止工作时，保持输出信号的稳定，且，利用减少一个电源进行工作，可以降低功耗。

【技术实现步骤摘要】
电子装置、数据处理装置及电子设备
本公开涉及电源管理
，尤其涉及一种电子装置、数据处理装置及电子设备。
技术介绍
电子装置通常用于半导体电路中以将一个电压域中的信号电平转换成另一域中的不同电压电平。目前，相关技术中的电子装置通常利用双电源进行电平转换，在其中一个电源由于某些原因停止工作的情况下，相关技术中的电子装置无法稳定的工作，输出信号不稳定，导致根据输出信号进行动作的后级电路出现流过贯通电流的问题，并且，相关技术中的电子装置在实现其功能时，存在功耗较高的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本公开提出了一种电子装置、数据处理装置及电子设备，以解决在其中一个电源由于某些原因停止工作的情况下，电子装置无法稳定的工作，输出信号不稳定的问题。根据本公开的一个方面，提出了一种电子装置，所述装置包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管及电压保持单元，所述电子装置用于将属于第一电压范围的输入信号转换为属于第二电压范围的输出信号，其中，所述第一NMOS晶体管的栅极用于接收输入信号，所述第一NMOS晶体管的漏极电连接于所述第一PMOS晶体管的漏极，所述第一NMOS晶体管的源极接地，所述第二NMOS晶体管的栅极用于接收所述输入信号的反相信号，所述第二NMOS晶体管的漏极电连接于所述第二PMOS晶体管的漏极，所述第二NMOS晶体管的源极接地，所述第一PMOS晶体管的源极电连接于所述电压保持单元的第一端，所述电压保持单元的第一端的电压信号为所述输出信号的反相信号；所述第二PMOS晶体管的源极电连接于所述电压保持单元的第二端，用于输出所述输出信号，所述电压保持单元的第一电源端用于输入第一电源电压，所述第一PMOS晶体管的栅极、所述第二PMOS晶体管的栅极及所述电压保持单元的第二电源端用于输入第二电源电压，其中，当产生所述输入信号的第三电源电压在维持一段时间消失时，所述电压保持单元用于维持所述输出信号的电位及所述输出信号的反相信号的电位。在一种可能的实施方式中，所述装置还包括第一反相器，所述第一反相器的输入端电连接于所述第一NMOS晶体管的栅极，所述第一反相器的输出端电连接于所述第二NMOS晶体管的栅极，所述第一反相器的电源端用于输入所述第三电源电压，所述第一反相器的接地端接地，其中，所述第一反相器用于将所述输入信号进行反向处理，输出所述输入信号的反相信号。在一种可能的实施方式中，所述电压保持单元包括第二反相器及第三反相器，其中，所述第二反相器及所述第三反相器交叉耦合。在一种可能的实施方式中，所述第二反相器包括第三NMOS晶体管和第三PMOS晶体管，所述第三反相器包括第四NMOS晶体管和第四PMOS晶体管，其中：所述第三NMOS晶体管的漏极电连接于所述第三PMOS晶体管的漏极、所述第四NMOS晶体管的栅极、所述第四PMOS晶体管的栅极及所述第一PMOS晶体管的源极，用于产生所述输出信号的反相信号，所述第三NMOS晶体管的栅极电连接于所述第三PMOS晶体管的栅极、所述第四NMOS晶体管的漏极、所述第四PMOS晶体管的漏极及所述第二PMOS晶体管的源极，用于产生所述输出信号，所述第三NMOS晶体管的源极电连接于所述第四NMOS晶体管的源极、所述第一PMOS晶体管的栅极及所述第二PMOS晶体管的栅极，用于接收所述第二电源电压，所述第三PMOS晶体管的源极电连接于所述第四PMOS晶体管的源极，用于接收所述第一电源电压。在一种可能的实施方式中，所述第一电源电压的电压高于所述第二电源电压的电压，所述第二电源电压的电压高于所述第三电源电压的电压。在一种可能的实施方式中，所述第一NMOS晶体管、所述第二NMOS晶体管、所述第一PMOS晶体管、所述第二PMOS晶体管的源漏通道能够承受所述第一电源电压。在一种可能的实施方式中，所述第三PMOS晶体管、所述第四PMOS晶体管的源漏通道能够承受所述第一电源电压与所述第二电源电压之间的电压。根据本公开的另一个方面，提出了一种数据处理装置，所述数据处理装置包括所述的电子装置。根据本公开的另一个方面，提出了一种电子设备，所述电子设备包括所述的数据处理装置。在一种可能的实施方式中，所述电子设备包括便携式计算机、智能手持电子设备。本公开实施例提出的电子装置，当产生所述输入信号的第三电源电压在维持一段时间消失时，可以维持第一端的所述输出信号的反相信号的电位，并维持第二端的输出信号的电位，使得在其中一个电源停止工作时，保持输出信号的稳定，且，利用减少一个电源进行工作，可以降低功耗。根据下面参考附图对示例性实施例的详细说明，本公开的其它特征及方面将变得清楚。附图说明包含在说明书中并且构成说明书的一部分的附图与说明书一起示出了本公开的示例性实施例、特征和方面，并且用于解释本公开的原理。图1示出了根据本公开一实施例的电子装置的示意图。图2示出了根据本公开一实施例的电子装置工作的效果示意图。图3示出了根据本公开一实施例的电子装置的示意图。具体实施方式以下将参考附图详细说明本公开的各种示例性实施例、特征和方面。附图中相同的附图标记表示功能相同或相似的元件。尽管在附图中示出了实施例的各种方面，但是除非特别指出，不必按比例绘制附图。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。在这里专用的词“示例性”意为“用作例子、实施例或说明性”。这里作为“示例性”所说明的任何实施例不必解释为优于或好于其它实施例。另外，为了更好的说明本公开，在下文的具体实施方式中给出了众多的具体细节。本领域技术人员应当理解，没有某些具体细节，本公开同样可以实施。在一些实例中，对于本领域技术人员熟知的方法、手段、元件和电路未作详细描述，以便于凸显本公开的主旨。请参阅图1，图1示出了根据本公开一实施例的电子装置的示意图。如图1所示，所述装置包括第一NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金属-氧化物-半导体)晶体管110、第二NMOS晶体管112、第一PMOS(P-Metal-Oxide-Semiconductor，P型金属-氧化物-半导体)晶体管110a、第二PMOS晶体管112a及电压保持单元120，所述电子装置用于将属于第一电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子装置，其特征在于，所述装置包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管及电压保持单元，所述电子装置用于将属于第一电压范围的输入信号转换为属于第二电压范围的输出信号，其中，/n所述第一NMOS晶体管的栅极用于接收输入信号，所述第一NMOS晶体管的漏极电连接于所述第一PMOS晶体管的漏极，所述第一NMOS晶体管的源极接地，/n所述第二NMOS晶体管的栅极用于接收所述输入信号的反相信号，所述第二NMOS晶体管的漏极电连接于所述第二PMOS晶体管的漏极，所述第二NMOS晶体管的源极接地，/n所述第一PMOS晶体管的源极电连接于所述电压保持单元的第一端，所述电压保持单元的第一端的电压信号为所述输出信号的反相信号；/n所述第二PMOS晶体管的源极电连接于所述电压保持单元的第二端，用于输出所述输出信号，/n所述电压保持单元的第一电源端用于输入第一电源电压，所述第一PMOS晶体管的栅极、所述第二PMOS晶体管的栅极及所述电压保持单元的第二电源端用于输入第二电源电压，其中，当产生所述输入信号的第三电源电压在维持一段时间消失时，所述电压保持单元用于维持所述输出信号的电位及所述输出信号的反相信号的电位。/n...

【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其特征在于，所述装置包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管及电压保持单元，所述电子装置用于将属于第一电压范围的输入信号转换为属于第二电压范围的输出信号，其中，
所述第一NMOS晶体管的栅极用于接收输入信号，所述第一NMOS晶体管的漏极电连接于所述第一PMOS晶体管的漏极，所述第一NMOS晶体管的源极接地，
所述第二NMOS晶体管的栅极用于接收所述输入信号的反相信号，所述第二NMOS晶体管的漏极电连接于所述第二PMOS晶体管的漏极，所述第二NMOS晶体管的源极接地，
所述第一PMOS晶体管的源极电连接于所述电压保持单元的第一端，所述电压保持单元的第一端的电压信号为所述输出信号的反相信号；
所述第二PMOS晶体管的源极电连接于所述电压保持单元的第二端，用于输出所述输出信号，
所述电压保持单元的第一电源端用于输入第一电源电压，所述第一PMOS晶体管的栅极、所述第二PMOS晶体管的栅极及所述电压保持单元的第二电源端用于输入第二电源电压，其中，当产生所述输入信号的第三电源电压在维持一段时间消失时，所述电压保持单元用于维持所述输出信号的电位及所述输出信号的反相信号的电位。


2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括第一反相器，所述第一反相器的输入端电连接于所述第一NMOS晶体管的栅极，所述第一反相器的输出端电连接于所述第二NMOS晶体管的栅极，所述第一反相器的电源端用于输入所述第三电源电压，所述第一反相器的接地端接地，
其中，所述第一反相器用于将所述输入信号进行反向处理，输出所述输入信号的反相信号。


3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电压保持单元包括第二反相器及第三反相器，其中，所述第二反相器及所述第三反相器交叉耦合。


4.根据权利要求3所述的装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘升鑫，
申请(专利权)人：北京集创北方科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11