【技术实现步骤摘要】
一种基于酸性氯化铜制备硫酸铜的刻蚀槽结构
本技术涉及刻蚀槽领域,具体为一种基于酸性氯化铜制备硫酸铜的刻蚀槽结构。
技术介绍
刻蚀是指利用蚀刻液对扩散后硅片下表面和边缘进行腐蚀,去除边缘的N型硅,使得硅片上下表面相互绝缘,经过刻蚀工序,硅片边缘带有的磷会被去除干净,避免PN结短路造成并联电阻降低。在目前的刻蚀过程中有以下缺陷:1、一般采用硅片在水膜覆盖和下表面与蚀刻液的持续接触,都使得硅片在刻蚀槽中容易受力而弯曲,特别是在硅片尾部,一旦弯曲程度过大,尾部就会由于水膜脱落从而接触蚀刻液,导致过刻,造成浪费;2、使用过程中需要保持液面没过辊轮,而控制液面的操作较为困难。为此我们提出一种基于酸性氯化铜制备硫酸铜的刻蚀槽结构用于解决上述问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种基于酸性氯化铜制备硫酸铜的刻蚀槽结构,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种基于酸性氯化铜制备硫酸铜的刻蚀槽结构,包括槽体,所述槽体内侧设有多个滑槽,所述滑槽底部设有伸缩杆,所述伸缩杆上套接有弹簧,所述伸缩杆及弹簧底部固接滑槽底部,顶部固接有滚轴,所述滑槽顶部设有螺丝,所述螺丝穿过槽体进入滑槽内,且底部接触滚轴,所述滚轴两端固定有两个固定杆,所述滚轴位于固定杆内侧滚动连接有主辊轮,所述固定杆另一端滚动连接有副辊轮;所述槽体内侧固接有挡板。优选的,为了实现硅片的平稳运行,所述主辊轮和副辊轮上表面高度一致。优选的,为了保证液面平稳性,所述挡板底部有半圆形 ...
【技术保护点】
1.一种基于酸性氯化铜制备硫酸铜的刻蚀槽结构,包括槽体(1),其特征在于:所述槽体(1)内侧设有多个滑槽(8),所述滑槽(8)底部设有伸缩杆(9),所述伸缩杆(9)上套接有弹簧(10),所述伸缩杆(9)及弹簧(10)底部固接滑槽(8)底部,顶部固接有滚轴(5),所述滑槽(8)顶部设有螺丝(11),所述螺丝(11)穿过槽体(1)进入滑槽(8)内,且底部接触滚轴(5),所述滚轴(5)两端固定有两个固定杆(6),所述滚轴(5)位于固定杆(6)内侧滚动连接有主辊轮(2),所述固定杆(6)另一端滚动连接有副辊轮(3);所述槽体(1)内侧固接有挡板(4)。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于酸性氯化铜制备硫酸铜的刻蚀槽结构,包括槽体(1),其特征在于:所述槽体(1)内侧设有多个滑槽(8),所述滑槽(8)底部设有伸缩杆(9),所述伸缩杆(9)上套接有弹簧(10),所述伸缩杆(9)及弹簧(10)底部固接滑槽(8)底部,顶部固接有滚轴(5),所述滑槽(8)顶部设有螺丝(11),所述螺丝(11)穿过槽体(1)进入滑槽(8)内,且底部接触滚轴(5),所述滚轴(5)两端固定有两个固定杆(6),所述滚轴(5)位于固定杆(6)内侧滚动连接有主辊轮(2),所述固定杆(6)另一端滚动连接有副辊轮(3);所述槽体(1)内侧固接有挡板(4)。
2.根据权利要求1所述的一种基于...
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