存储器的制备方法技术

本发明专利技术提供一种存储器的制备方法，涉及半导体集成电路制造技术，用于解决存储器的性能差的问题。该存储器的制备方法包括如下步骤：提供基底；在基底上形成第一隔离层；在第一隔离层上形成第一掩膜层；在第一掩膜层上以及部分第一隔离层上形成第二隔离层；在第二隔离层上形成第二掩膜层；去除部分第二掩膜层和部分第二隔离层，保留下的第二隔离层的顶面与第一掩膜层的顶面平齐；去除第一掩膜层和剩余的第二掩膜层；在第一隔离层和保留下的第二隔离层上形成第三掩膜层；去除部分第三掩膜层；以保留下的第三掩膜层为掩膜，刻蚀保留下的部分第二隔离层及其下方的第一隔离层。本发明专利技术的存储器的制备方法用于制备性能优越的存储器。

【技术实现步骤摘要】
存储器的制备方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造技术，尤其涉及一种存储器的制备方法。
技术介绍
动态随机存储器(dynamicrandomaccessmemory，简称DRAM)是一种高速地、随机地写入和读取数据的半导体存储器，被广泛地应用到数据存储设备或装置中。动态随机存储器包括基底以及设置在基底上的多个隔离墙，基底以及基底上的多个隔离墙是动态随机存储器内的构成结构。然而，上述隔离墙存在结构缺陷，会导致存储器的性能差。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术提供一种存储器的制备方法，用于解决存储器性能差的问题。为了实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：本专利技术实施例提供一种存储器的制备方法，其包括如下步骤：提供基底，基底包括第一功能区和第二功能区；在基底上形成第一隔离层；在第一隔离层上形成具有图案区的第一掩膜层，图案区包括与第一功能区相对的第一图案区，以及与第二功能区相对的第二图案区，第一图案区包括多个第一掩膜墙和形成在相邻第一掩膜墙之间的第一沟槽，第二图案区包括多个第二掩膜墙和形成在相邻第二掩膜墙之间的第二沟槽；在第一掩膜层上以及暴露在第一沟槽和第二沟槽内的第一隔离层上形成第二隔离层，第二隔离层在第一沟槽内形成第三沟槽，且在第二沟槽内形成第四沟槽；在第二隔离层上形成第二掩膜层，第二掩膜层填充满第三沟槽和第四沟槽，且覆盖在第二隔离层的顶面，第二掩膜层具有与第一图案区对应的第一凹陷部，以及与第二图案区对应的第二凹陷部；去除部分第二掩膜层和部分第二隔离层，保留下的第二隔离层的顶面与第一掩膜层的顶面平齐，且保留下的第二掩膜层的顶面等于或小于第一掩膜层的顶面且大于第一隔离层的顶面；去除第一掩膜层和剩余的第二掩膜层；在第一隔离层和保留下的第二隔离层上形成第三掩膜层；去除部分第三掩膜层，保留下的第三掩膜层的顶面与保留下的第二隔离层的顶面齐平；以保留下的第三掩膜层为掩膜，刻蚀保留下的部分第二隔离层及其下方的第一隔离层，形成与第一功能区相对的第一功能图案以及与第二功能区相对的第二功能图案。本专利技术实施例的存储器的制备方法，在基底上形成第一隔离层，在第一隔离层上形成具有第一沟槽和第二沟槽的第一掩膜层，在第一掩膜层和未被第一掩膜层覆盖的第一隔离层形成第二隔离层，第二隔离层在对应第一沟槽内形成第三沟槽，在对应第二沟槽内形成第四沟槽，在第三沟槽和第四沟槽内的第二隔离层上形成第二掩膜层，之后，先去除部分第二掩膜层和部分第二隔离层，后去除第一掩膜层和保留下的第二掩膜层，并在第一隔离层和第二隔离层上形成第三掩膜层，再去除第三掩膜层的部分结构，使得第三掩膜层的顶面和保留下的第二隔离层的顶面平齐，进而以保留下的第三掩膜层为掩膜，对保留下的第二隔离层以及下方的第一隔离层刻蚀，如此，可以在第一隔离层形成图案结构完整的第一功能图案和第二功能图案，进而提升存储器的性能。在一些实施方式中，在第一隔离层上形成具有图案区的第一掩膜层的步骤包括：在第一隔离层上形成第一掩膜胚层；在第一掩膜胚层上形成光刻胶层；对光刻胶层进行图形化处理；以图形化处理后的光刻胶层刻蚀部分第一掩膜胚层，形成具有图案区的第一掩膜层。在一些实施方式中，以图形化处理后的光刻胶层刻蚀部分第一掩膜胚层时，还刻蚀去除设定深度的第一隔离层，设定深度定义为L。在一些实施方式中，设定深度L等于第二隔离层的厚度D。在一些实施方式中，在第一隔离层上形成第一掩膜胚层之后，且在第一掩膜胚层上设置光刻胶层之前，还包括：在第一掩膜胚层上形成介电抗反射涂层。在一些实施方式中，介电抗反射涂层的材质为氮氧化硅。在一些实施方式中，去除第一掩膜层和剩余的第二掩膜层，采用氧等离子体刻蚀去除。在一些实施方式中，第一功能区包括存储区，存储区上形成的半导体结构用于电荷的存储和释放。在一些实施方式中，第二功能区包括测试区，测试区上形成的半导体结构用于在制备过程中对存储区上形成的半导体结构进行电性测试。在一些实施方式中，第二图案区包括与测试区相对的测试图案区，测试图案区内包括多个测试掩膜墙和形成在相邻测试掩膜墙之间的测试沟槽。在一些实施方式中，第二功能区还包括对准区，对准区上形成的半导体结构用于在曝光时对存储区和测试区上形成的半导体结构进行对准。在一些实施方式中，第二图案区还包括与对准区相对的对准图案区，对准图案区内形成至少一个子图案区，每个子图案区内形成间隔排布的多个子掩膜墙和由每相邻两个子掩膜墙形成的子沟槽，子沟槽的槽宽小于测试沟槽的槽宽，且子图案区上的子沟槽的图案密度大于测试图案区上的测试沟槽的图案密度。在一些实施方式中，子图案区的数量为四个，每个子图案区呈矩形，四个子图案区呈两行两列矩阵排布，且沿以四个子图案区的矩阵中心旋转对称。在一些实施方式中，基底上形成的存储区的数量为多个；基底上还形成有将多个存储区隔开的切割区，切割区用于在基底上形成半导体结构后，将基底切割成多个存储单元；对准区形成在切割区上。在一些实施方式中，以保留下的第三掩膜层进行掩膜，刻蚀保留下的部分第二隔离层及其下方的第一隔离层，采用六氟丁二烯和氧气的混合气进行等离子刻蚀。除了上面所描述的本专利技术实施例解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外，本专利技术提供的存储器的制备方法所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有益效果，将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1a为相关技术中存储区上的光刻胶进行图形化处理后的结构示意图；图1b为相关技术中存储区上设置具有图案区的第一掩膜层的结构示意图；图1c为相关技术中存储区上设置第二隔离层和第二掩膜层的结构示意图；图1d为相关技术中存储区去除部分第二掩膜层的结构示意图；图1e为相关技术中存储区去除部分第二隔离层、第一掩膜层以及第二掩膜层后的结构示意图；图2a为相关技术中测试区上的光刻胶进行图形化处理后的结构示意图；图2b为相关技术中测试区上设置具有图案区的第一掩膜层的结构示意图；图2c为相关技术中测试区上设置第二隔离层和第二掩膜层的结构示意图；图2d为相关技术中测试区去除部分第二掩膜层的结构示意图；图2e为相关技术中测试区去除部分第二隔离层、第一掩膜层以及第二掩膜层后的结构示意图；图3a为相关技术中对准区上的光刻胶进行图形化处理后的结构示意图；图3b为相关技术中对准区上设置具有图案区的第一掩膜层的结构示意图；图3c为相关技术中对准区上设置第二隔离层和第二掩膜层的结构示意图；图3d为相关技术中对准区去除部分第二掩膜层的结构示意图；图3e为相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供基底，所述基底包括第一功能区和第二功能区；/n在所述基底上形成第一隔离层；/n在所述第一隔离层上形成具有图案区的第一掩膜层，所述图案区包括与所述第一功能区相对的第一图案区，以及与所述第二功能区相对的第二图案区，所述第一图案区包括多个第一掩膜墙和形成在相邻所述第一掩膜墙之间的第一沟槽，所述第二图案区包括多个第二掩膜墙和形成在相邻所述第二掩膜墙之间的第二沟槽；/n在所述第一掩膜层上以及暴露在所述第一沟槽内和所述第二沟槽内的所述第一隔离层上形成第二隔离层，所述第二隔离层在所述第一沟槽内形成第三沟槽，且在所述第二沟槽内形成第四沟槽；/n在所述第二隔离层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层填充满所述第三沟槽和所述第四沟槽，且覆盖在所述第二隔离层的顶面，所述第二掩膜层具有与所述第一图案区对应的第一凹陷部，以及与所述第二图案区对应的第二凹陷部；/n去除部分所述第二掩膜层和部分所述第二隔离层，保留下的所述第二隔离层的顶面与所述第一掩膜层的顶面平齐，且保留下的所述第二掩膜层的顶面等于或小于所述第一掩膜层的顶面且大于所述第一隔离层的顶面；/n去除所述第一掩膜层和剩余的所述第二掩膜层；/n在所述第一隔离层和保留下的所述第二隔离层上形成第三掩膜层；/n去除部分所述第三掩膜层，保留下的所述第三掩膜层的顶面与保留下的所述第二隔离层的顶面齐平；/n以保留下的所述第三掩膜层为掩膜，刻蚀保留下的部分所述第二隔离层及其下方的所述第一隔离层，形成与所述第一功能区相对的第一功能图案以及与所述第二功能区相对的第二功能图案。/n...

【技术特征摘要】
1.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基底，所述基底包括第一功能区和第二功能区；
在所述基底上形成第一隔离层；
在所述第一隔离层上形成具有图案区的第一掩膜层，所述图案区包括与所述第一功能区相对的第一图案区，以及与所述第二功能区相对的第二图案区，所述第一图案区包括多个第一掩膜墙和形成在相邻所述第一掩膜墙之间的第一沟槽，所述第二图案区包括多个第二掩膜墙和形成在相邻所述第二掩膜墙之间的第二沟槽；
在所述第一掩膜层上以及暴露在所述第一沟槽内和所述第二沟槽内的所述第一隔离层上形成第二隔离层，所述第二隔离层在所述第一沟槽内形成第三沟槽，且在所述第二沟槽内形成第四沟槽；
在所述第二隔离层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层填充满所述第三沟槽和所述第四沟槽，且覆盖在所述第二隔离层的顶面，所述第二掩膜层具有与所述第一图案区对应的第一凹陷部，以及与所述第二图案区对应的第二凹陷部；
去除部分所述第二掩膜层和部分所述第二隔离层，保留下的所述第二隔离层的顶面与所述第一掩膜层的顶面平齐，且保留下的所述第二掩膜层的顶面等于或小于所述第一掩膜层的顶面且大于所述第一隔离层的顶面；
去除所述第一掩膜层和剩余的所述第二掩膜层；
在所述第一隔离层和保留下的所述第二隔离层上形成第三掩膜层；
去除部分所述第三掩膜层，保留下的所述第三掩膜层的顶面与保留下的所述第二隔离层的顶面齐平；
以保留下的所述第三掩膜层为掩膜，刻蚀保留下的部分所述第二隔离层及其下方的所述第一隔离层，形成与所述第一功能区相对的第一功能图案以及与所述第二功能区相对的第二功能图案。


2.根据权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，在所述第一隔离层上形成具有图案区的第一掩膜层的步骤包括：
在所述第一隔离层上形成第一掩膜胚层；
在所述第一掩膜胚层上形成光刻胶层；
对所述光刻胶层进行图形化处理；
以图形化处理后的所述光刻胶层刻蚀部分所述第一掩膜胚层，形成具有图案区的所述第一掩膜层。


3.根据权利要求2所述的存储器的制备方法，其特征在于，以图形化处理后的所述光刻胶层刻蚀部分所述第一掩膜胚层时，还刻蚀去除设定深度的所述第一隔离层，所述设定深度定义为L。


4.根据权利要求3所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述设定深度L等于所述第二隔离层的厚度D。


5.根据权利要求2所述的存储器的制备方法，其特征在于，在所述第一隔离层上形成第一掩膜胚层之后，且在所述第一掩膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：张家云，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34