基片收纳装置和基片输送装置的真空输送单元的维护方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基片收纳装置和基片输送装置的真空输送单元的维护方法，能够使基片输送装置小型化。基片收纳装置设置于基片输送装置，与多个在内部具有基片输送机构的真空输送单元在其接连设置的方向上相邻，基片收纳装置包括：中空的壳体，其在接连设置方向的一侧的侧壁形成有对真空输送单元送入送出基片的送入送出口；在上下方向上可移动地设置于壳体内的分隔部件；和上下移动分隔部件的驱动机构，当将壳体内的空间在上下方向上分割时的送入送出口侧的空间设为第一空间，并将送入送出口侧的相反侧的空间设为第二空间时，从第一空间与第二空间连通的状态，通过使分隔部件在上下方向上移动，能够用分隔部件将第一空间和第二空间气密地隔开。

【技术实现步骤摘要】
基片收纳装置和基片输送装置的真空输送单元的维护方法
本专利技术涉及基片收纳装置和基片输送装置的真空输送单元的维护方法。
技术介绍
专利文献1公开了一种具有四个用于PVD工序等的处理室的多组合工具(multi-clustertool)。该多组合工具具有包含机械臂晶片移送机构的第一移送空间和第二移送空间，并且在这些移送空间之间设置有预清洁室。预清洁室还被用作在相邻的第一移送空间与第二移送空间之间进行连接的通过室(pass-throughchamber)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2001-319842号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术的技术用于使基片输送装置小型化，该基片输送装置接连设置有真空输送单元并在连接方向上与该真空输送单元相邻的位置设置有基片收纳装置。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的一个方式为基片收纳装置，其设置于接连设置有多个真空输送单元的基片输送装置，并在接连设置方向上与上述真空输送单元相邻，上述多个真空输送单元在内部具有保持并输送基片的基片输送机构，上述基片收纳装置包括：中空的壳体，其在上述接连设置方向的一侧的侧壁形成有对上述真空输送单元送入送出基片的送入送出口；在上下方向上可移动地设置于上述壳体内的分隔部件；和能够使上述分隔部件上下移动的驱动机构，当将上述壳体内的空间在上下方向上分割时的上述送入送出口侧的空间设为第一空间，并将上述送入送出口侧的相反侧的空间设为第二空间时，从上述第一空间与上述第二空间连通的状态，通过使上述分隔部件在上下方向上移动，能够用上述分隔部件将上述第一空间和上述第二空间气密地隔开。专利技术效果依照本专利技术，能够使基片输送装置小型化，该基片输送装置接连设置有真空输送单元并在连接方向上与该真空输送单元相邻的位置设置有基片收纳装置。附图说明图1是表示包括本实施方式的作为基片收纳装置的晶片收纳室和作为基片输送装置的真空输送装置的处理系统的一例的概要平面图。图2是温度调节室的纵截面图。图3是图2的局部放大图。图4是中转室的纵截面图。图5是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。图6是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。图7是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。图8是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。图9是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。图10是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。图11是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。图12是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。图13是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。图14是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。图15是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。图16是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。图17是用于说明温度调节室的另一例的图。图18是用于说明图17的温度调节室中的遮挡部件的动作的图，示出了晶片收纳室的状态。图19是用于说明图17的温度调节室中的遮挡部件的动作的图，示出了晶片收纳室的状态。图20是用于说明图17的温度调节室中的遮挡部件的动作的图，示出了晶片收纳室的状态。附图标记说明30真空输送装置31真空输送室32晶片收纳室40真空处理室100、200壳体141、311活门144驱动机构S1第一空间S2第二空间W晶片。具体实施方式在半导体器件等的制造工艺中，例如，在单个真空处理单元内执行对半导体晶片(以下称为“晶片”)等的基片的成膜处理等的各种处理。根据需要，能够对一个基片进行多次成膜处理等。因此，为了提高生产能力等，有这样一种处理系统，经由在真空气氛下输送基片的共用的输送装置将各自进行相同或不同的处理的多个真空处理单元彼此连接，由此能够不将基片暴露于大气地对其连续地进行各种处理。在上述处理系统中使用的基片输送装置中，有时在水平面内接连设置内部具有用于保持并输送基片的输送机构的多个真空输送单元。此外，在这种情况下，能够收纳基片的基片收纳装置有时设置在真空输送单元之间等在接连设置方向上与真空输送单元相邻的位置。基片收纳装置例如用于在不经过真空处理单元的情况下在相邻的真空输送单元之间交接基片的目的。此外，通过使基片收纳装置具有加热功能等的功能，能够在基片收纳装置内对基片进行加热处理等的处理。例如，在专利文献1的多组合工具中，如上所述，在包括机械臂晶片输送机构的第一移送空间与第二移送空间之间，设置有还被用作通过室的预清洁室。此外，如上所述，在基片输送装置中与真空输送单元在接连设置方向上相邻的位置设置基片收纳装置的情况下，现有技术中，在真空输送单元与基片收纳装置之间设置有闸阀(gatevalve)。设置闸阀的目的例如如下所述。(a)在基片收纳装置位于真空输送单元之间的情况下，为了在真空输送单元与真空处理单元之间输送基片而将两者连通时，由该连通引起的压力变动仅发生于与真空处理单元相邻的真空输送单元，所以是为了防止压力变动的影响传播到其他真空输送单元而设置；(b)在基片收纳装置位于真空输送单元之间的情况下，所以是为了在维护时仅将任一真空输送单元向大气开放而设置；(c)在基片收纳装置具有加热功能的情况下，从已加热的基片气化的成分流入真空输送单元，所以是为了防止对该真空输送单元所输送的基片造成不良影响。然而，在基片输送装置中，当在接连设置方向上与真空输送单元相邻的位置设置基片收纳装置，并且在真空输送单元与基片收纳装置之间设置闸阀时，该基片输送装置的占地面积会增加。此外，设有该真空输送装置的处理系统的占地面积也会增加。因此，本专利技术的技术用于使基片输送装置小型化，该基片输送装置接连设置有真空输送单元并在连接方向上与该真空输送单元相邻的位置设置有基片收纳装置。下面，参照附图，对本实施方式的基片收纳装置和基片输送装置的结构进行说明。此外，在本说明书中，对具有实质上相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，由此省略重复的说明。图1是表示包括本实施方式的作为基片收纳装置的晶片收纳室和作为基片输送装置的真空输送装置的处理系统1的一例的概要平面图。以下的例子中，处理系统1是用于制造磁阻元件的系统，包括在作为基片的晶片W上进行成膜处理的真空处理单元。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片收纳装置，其特征在于：/n设置于接连设置有多个真空输送单元的基片输送装置，并在接连设置方向上与所述真空输送单元相邻，所述真空输送单元在内部具有保持并输送基片的基片输送机构，/n所述基片收纳装置包括：/n中空的壳体，其在所述接连设置方向的一侧的侧壁形成有对所述真空输送单元送入送出基片的送入送出口；/n在上下方向上可移动地设置于所述壳体内的分隔部件；和/n能够使所述分隔部件上下移动的驱动机构，/n当将所述壳体内的空间在上下方向上分割时的所述送入送出口侧的空间设为第一空间，并将所述送入送出口侧的相反侧的空间设为第二空间时，/n从所述第一空间与所述第二空间连通的状态，通过使所述分隔部件在上下方向上移动，能够用所述分隔部件将所述第一空间和所述第二空间气密地隔开。/n

【技术特征摘要】
20191101 JP 2019-2001611.一种基片收纳装置，其特征在于：
设置于接连设置有多个真空输送单元的基片输送装置，并在接连设置方向上与所述真空输送单元相邻，所述真空输送单元在内部具有保持并输送基片的基片输送机构，
所述基片收纳装置包括：
中空的壳体，其在所述接连设置方向的一侧的侧壁形成有对所述真空输送单元送入送出基片的送入送出口；
在上下方向上可移动地设置于所述壳体内的分隔部件；和
能够使所述分隔部件上下移动的驱动机构，
当将所述壳体内的空间在上下方向上分割时的所述送入送出口侧的空间设为第一空间，并将所述送入送出口侧的相反侧的空间设为第二空间时，
从所述第一空间与所述第二空间连通的状态，通过使所述分隔部件在上下方向上移动，能够用所述分隔部件将所述第一空间和所述第二空间气密地隔开。


2.如权利要求1所述的基片收纳装置，其特征在于：
在所述壳体的所述第二空间具有能够载置基片的载置台。


3.如权利要求2所述的基片收纳装置，其特征在于：
所述载置台具有能够加热所载置的基片的加热机构。


4.如权利要求3所述的基片收纳装置，其特征在于：
包括包围所述载置台并在上下方向上可移动的遮挡部件。


5.如权利要求4所述的基片收纳装置，其特征在于：
所述遮挡部件形成为在侧部具有基片的出入口的箱状。


6.如权利要求5所述的基片收纳装置，其特征在于：
包括安装在所述载置台的外周的环状部件，
当用所述分隔部件将所述第一空间和所述第二空间气密地隔开时，安装有所述环状部件的状态的所述载置台被所述遮挡部件包围，所述遮挡部件的所述出入口的上端位于比所述环状部件的上端靠下方处。


7.如权利要求4～6中任一项所述的基片收纳装置，其特征在于，包括：
当在所述真空输送单元的...

【专利技术属性】
技术研发人员：海瀬拓也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP