一种半导体机台及研磨方法技术

本发明专利技术提供一种半导体机台及研磨方法，包括：第一输入管道，与第一输入管道连接的第一喷嘴，第一研磨垫，第一输入管道用于通入第一研磨液，第一喷嘴用于将第一研磨液喷射至第一研磨垫上，第一研磨垫用于对晶圆的边缘进行研磨。这样，根据晶圆边缘的特性提供第一研磨垫，通过第一研磨垫对晶圆的边缘进行研磨，能够实现对晶圆边缘的有效处理，解决对晶圆边缘进行湿法刻蚀处理后晶圆边缘容易坍塌或损伤等问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体机台及研磨方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体机台及研磨方法。
技术介绍
在半导体器件的制造过程中，需要在晶圆表面沉积多层薄膜，随着薄膜层数的增加，晶圆表面的膜层往往具有厚度不均的问题，这一问题在晶圆边缘(bevel)尤为明显。晶圆边缘的膜层的厚度较大会造成半导体器件的缺陷等问题，影响半导体器件的良率，因而需要对晶圆边缘进行处理。目前的化学机械研磨方法无法对晶圆的边缘进行处理，主要是通过湿法刻蚀对晶圆的边缘进行处理，但是随着薄膜层数的增多，现有的湿法刻蚀难以对晶圆的边缘进行有效处理，导致晶圆边缘容易坍塌(peeling)或损伤(damage)。而晶圆边缘坍塌后容易导致后续化学机械研磨过程中的划痕(scratch)增多；晶圆边缘损伤使得后续化学机械研磨过程中，研磨液中的颗粒嵌套在晶圆损伤部分，导致后续沉积的薄膜出现隆起(bump)等问题。因而，亟需一种半导体机台以对晶圆边缘进行有效处理。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种半导体机台，以对晶圆边缘进行有效处理。为实现上述目的，本专利技术有如下技术方案：一种半导体机台，包括：第一输入管道，与所述第一输入管道连接的第一喷嘴，第一研磨垫；所述第一输入管道用于输入第一研磨液；所述第一喷嘴用于将所述第一研磨液喷射至所述第一研磨垫上；所述第一研磨垫用于对晶圆边缘进行研磨。可选的，所述第一研磨垫的上部分和/或下部分具有凹槽结构，以用于对所述晶圆的上表面边缘和下表面边缘同时进行研磨。可选的，所述第一研磨垫的上部分和/或下部分具有凸起结构，以对所述晶圆边缘进行研磨。可选的，所述第一研磨垫的上部分和下部分可分离，且所述上部分的底部具有缺口，所述下部分的顶部具有缺口，所述上部分的底部的缺口的和所述下部分的顶部的缺口组成凹槽结构，所述第一研磨垫用于分别或同时对所述晶圆的上表面边缘和下表面边缘进行研磨。可选的，还包括：第二输入管道，与所述第二输入管道连接的第二喷嘴，第二研磨垫；所述第二输入管道用于输入第二研磨液，所述第二喷嘴用于将所述第二研磨液喷射至所述第二研磨垫上，所述第二研磨垫用于对所述晶圆进行化学机械研磨。可选的，所述第一输入管道包括第一支路和第二支路，则所述第一喷嘴与所述第一支路连接；还包括：与所述第二支路连接的第二喷嘴，第二研磨垫；所述第二喷嘴用于将所述第一研磨液喷射至所述第二研磨垫上，所述第二研磨垫用于对所述晶圆进行化学机械研磨。可选的，所述第一支路上设置有第一控制阀，所述第一控制阀用于控制流向所述第一喷嘴的所述第一研磨液的流量；所述第二支路上设置有第二控制阀，所述第二控制阀用于控制流向所述第二喷嘴的所述第一研磨液的流量。可选的，所述第一喷嘴与可转动装置连接，所述可转动装置带动所述第一喷嘴转动，以调整所述第一喷嘴喷射第一研磨液的角度。可选的，所述第二研磨垫与可移动装置连接，所述可移动装置带动所述第二研磨垫移动。可选的，所述晶圆位于晶圆承载装置上的可升降装置上，所述可升降装置用于带动所述晶圆上下移动。可选的，所述晶圆承载装置上设置有旋转装置，所述旋转装置用于带动所述晶圆旋转。一种半导体机台，包括：第一研磨垫上，所述第一研磨垫用于对晶圆边缘进行研磨；第二研磨垫，所述第二研磨垫用于对所述晶圆表面进行化学机械研磨；第二喷嘴，所述第二喷嘴与所述第二研磨垫连接，所述第二喷嘴用于将研磨液喷射至所述第二研磨垫和/或所述晶圆表面；所述第一研磨垫利用所述第二研磨垫研磨后剩余的研磨液对所述晶圆边缘进行研磨。可选的，还包括：收集装置，所述收集装置用于收集所述第二研磨垫研磨后剩余的研磨液，并喷射至所述第一研磨垫上。可选的，所述收集装置位于所述第一研磨垫上，或者位于靠近所述晶圆边缘的位置。可选的，还包括：检测装置，所述检测装置检测到所述收集装置收集到的研磨液不足时，所述第一研磨垫停止研磨。可选的，还包括：第一喷嘴，所述第一喷嘴与所述第一研磨垫连接；所述第一喷嘴用于将所述第二研磨垫研磨后剩余的研磨液喷射至所述第一研磨垫和/或晶圆表面。一种研磨方法，包括：利用上述所述的机台中的第一研磨垫对晶圆边缘进行研磨；对所述晶圆进行化学机械研磨。本专利技术实施例提供的一种半导体机台，包括：第一输入管道，与第一输入管道连接的第一喷嘴，第一研磨垫，第一输入管道用于通入第一研磨液，第一喷嘴用于将第一研磨液喷射至第一研磨垫上，第一研磨垫用于对晶圆的边缘进行研磨。这样，根据晶圆边缘的特性提供第一研磨垫，通过第一研磨垫对晶圆的边缘进行研磨，能够实现对晶圆边缘的有效处理，解决对晶圆边缘进行湿法刻蚀处理后晶圆边缘容易坍塌或损伤等问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1示出了根据本专利技术实施例一种半导体机台的结构示意图；图2示出了根据本专利技术实施例另一种半导体机台的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。正如
技术介绍
的描述，目前的化学机械研磨方法无法对晶圆的边缘进行处理，主要是通过湿法刻蚀对晶圆的边缘进行处理，但是随着薄膜层数的增多，现有的湿法刻蚀难以对晶圆的边缘进行有效处理，导致晶圆边缘容易坍塌(peeling)或损伤(damage)。而晶圆边缘坍塌后容易导致后续化学机械研磨过程中的划痕(scratch)增多；晶圆边缘损伤使得后续化学机械研磨过程中，研磨液中的颗粒嵌套在晶圆损伤部分，导致后续沉积的薄膜出现隆起(bump)等问题。因而，亟需一种半导体机台以对晶圆边缘进行有效处理。为此，本申请实施例提供一种半导体机台，包括：第一输入管道，与第一输入管道连接的第一喷嘴，第一研磨垫，第一输入管道用于通入第一研磨液，第一喷嘴用于将第一研磨液喷射至第一研磨垫上，第一研磨垫用于对晶圆的边缘进行研磨。这样，根据晶圆边缘的特性提供第一研磨垫，通过第一研磨垫对晶圆的边缘进行研磨，能够实现对晶圆边缘的有效处理，解决对晶圆边缘进行湿法刻蚀处理后晶圆边缘容易坍塌或损伤等问题。为了便于理解本申请的技术方案和技术效果，以下将结合附图对具体的实施例进行详细的说明。参考图1和图2所示，本申请实施例提供的半导体机台，包括：第一输入管道102，与所述第一输入管道102连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体机台，其特征在于，包括：/n第一输入管道，与所述第一输入管道连接的第一喷嘴，第一研磨垫；/n所述第一输入管道用于输入第一研磨液；/n所述第一喷嘴用于将所述第一研磨液喷射至所述第一研磨垫上；/n所述第一研磨垫用于对晶圆边缘进行研磨。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体机台，其特征在于，包括：
第一输入管道，与所述第一输入管道连接的第一喷嘴，第一研磨垫；
所述第一输入管道用于输入第一研磨液；
所述第一喷嘴用于将所述第一研磨液喷射至所述第一研磨垫上；
所述第一研磨垫用于对晶圆边缘进行研磨。


2.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，所述第一研磨垫的上部分和/或下部分具有凹槽结构，以用于对所述晶圆的上表面边缘和下表面边缘同时进行研磨。


3.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，所述第一研磨垫的上部分和/或下部分具有凸起结构，以对所述晶圆边缘进行研磨。


4.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，所述第一研磨垫的上部分和下部分可分离，且所述上部分的底部具有缺口，所述下部分的顶部具有缺口，所述上部分的底部的缺口的和所述下部分的顶部的缺口组成凹槽结构，所述第一研磨垫用于分别或同时对所述晶圆的上表面边缘和下表面边缘进行研磨。


5.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，还包括：
第二输入管道，与所述第二输入管道连接的第二喷嘴，第二研磨垫；
所述第二输入管道用于输入第二研磨液，所述第二喷嘴用于将所述第二研磨液喷射至所述第二研磨垫上，所述第二研磨垫用于对所述晶圆表面进行化学机械研磨。


6.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，所述第一输入管道包括第一支路和第二支路，则所述第一喷嘴与所述第一支路连接；
还包括：与所述第二支路连接的第二喷嘴，第二研磨垫；
所述第二喷嘴用于将所述第一研磨液喷射至所述第二研磨垫上，所述第二研磨垫用于对所述晶圆表面进行化学机械研磨。


7.根据权利要求6所述的机台，其特征在于，所述第一支路上设置有第一控制阀，所述第一控制阀用于控制流向所述第一喷嘴的所述第一研磨液的流量；
所述第二支路上设置有第二控制阀，所述第二控制阀用于控制流向所述第二喷嘴的所述第一研磨液的流量。


8.根据权利要求1-7任意一项所述的机台，其特征在于，所述第一喷嘴与可转动装置连接，...

【专利技术属性】
技术研发人员：周小云，黄振伟，王昭钦，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42