发声装置和耳机制造方法及图纸

技术编号:28384865 阅读:22 留言:0更新日期:2021-05-08 00:13
本发明专利技术公开一种发声装置和耳机,发声装置包括磁轭、高音单元和低音单元,磁轭包括容置部,容置部包括互相连接以形成容置空间的侧壁和底壁;高音单元包括第一磁性部、高音振膜以及与高音振膜连接的高音音圈,第一磁性部放置在容置空间中,第一磁性部与侧壁之间形成供高音音圈插入的高音磁间隙,高音振膜为平面金属振膜;低音单元包括第二磁性部、低音振膜以及与低音振膜连接的低音音圈,第二磁性部与侧壁之间形成供低音音圈插入的低音磁间隙,低音单元和高音单元同轴设置,本发明专利技术兼顾了高频和低频的性能,且高音单元嵌入低音单元中,直接替代低音单元的中心磁路部分,提供磁通量的同时,减小了发声装置在耳机中的占用空间。

【技术实现步骤摘要】
发声装置和耳机
本专利技术涉及电声转换
,特别涉及一种发声装置和耳机。
技术介绍
常规的耳机的发声装置一般只包含一个振动单元,这种结构设计比较简单,但是却无法很好地兼顾产品在高频和低频时不同频段的性能和音质,音质较差,有一些耳机的低频性能较好,一些则是高频性能较好。双振动单元的发声装置能够满足低频和高频同时工作,对于产品的性能曲线和听音的音质具有互补和提升的作用。但是现有的双振动单元的发声装置一般采用外接堆叠式,即高音单元和低音单元为上下同向或对向结构,占用空间大,磁路利用率低,频宽及音质略有不足。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种发声装置和耳机,旨在解决现有的能够同时满足高频和低频效果的发声装置占用空间大的技术问题。为实现上述目的,本专利技术提供的发声装置,所述发声装置包括:磁轭,所述磁轭包括容置部,所述容置部包括侧壁和底壁,所述侧壁和所述底壁互相连接以形成容置空间;高音单元,所述高音单元包括第一磁性部、高音振膜以及与所述高音振膜连接的高音音圈,所述第一磁性部放置在所述容置空间中,所述第一磁性部与所述侧壁之间形成供所述高音音圈插入的高音磁间隙,所述高音振膜为平面金属振膜;低音单元,所述低音单元包括第二磁性部、低音振膜以及与所述低音振膜连接的低音音圈,所述第二磁性部与所述侧壁之间形成供所述低音音圈插入的低音磁间隙,所述低音单元和高音单元同轴设置。可选地,所述磁轭还包括自所述侧壁远离所述底壁的一端向外延伸形成的连接部,所述高音振膜的边缘通过第一固定环固定于所述连接部。可选地,所述磁轭还包括沿所述连接部的外周周向环绕的环绕部,所述第二磁性部与所述环绕部背离所述高音振膜的一侧固定。可选地,所述第一磁性部包括第一磁钢以及固定于所述第一磁钢的第一华司,所述第一磁钢与所述底壁固定,所述第二磁性部包括第二磁钢以及固定于所述第二磁钢的第二华司,所述第二磁钢与所述环绕部背离所述高音振膜的一侧固定,所述第一华司与所述侧壁之间形成所述高音磁间隙,所述第二华司与所述侧壁之间形成所述低音磁间隙。可选地,所述环绕部开设有与所述低音磁间隙互相连通的出音孔。可选地,所述高音振膜为单层金属层。可选地,所述高音振膜包括金属层和设于所述金属层外侧的阻尼层。可选地,所述高音振膜的厚度为10~40μm,所述高音振膜的弹性模量大于或等于30GPa。可选地,所述发声装置还包括开设有通气孔的盖体,所述低音振膜固定在所述盖体上。可选地,所述盖体包括底盖以及与所述底盖连接的侧盖,所述底盖与所述低音振膜间隔设置且开设有所述通气孔,所述侧盖形成有第一台阶,所述低音振膜通过第二固定环固定在所述第一台阶上。可选地,所述低音单元还包括位于所述低音振膜与所述底盖之间的被动辐射膜,所述被动辐射膜与所述低音振膜对应设置,所述被动辐射膜的边缘固定在所述侧盖形成的第二台阶上。此外,本专利技术还提供了一种耳机,所述耳机包括如上所述的发声装置。在本专利技术的技术方案中,所述发声装置包括磁轭、高音单元和低音单元,磁轭包括容置部,容置部包括互相连接以形成容置空间的侧壁和底壁;高音单元包括第一磁性部、高音振膜以及与高音振膜连接的高音音圈,第一磁性部放置在容置空间中,第一磁性部与侧壁之间形成供高音音圈插入的高音磁间隙,高音振膜为平面金属振膜;低音单元包括第二磁性部、低音振膜以及与低音振膜连接的低音音圈,第二磁性部与侧壁之间形成供低音音圈插入的低音磁间隙,即本专利技术的高音单元与低音单元同轴设置,不仅兼顾了高频和低频的性能,且高音单元嵌入低音单元中,直接替代低音单元的中心磁路部分,提供磁通量的同时,降低了整个发声装置的高度,减小了发声装置在耳机中的占用空间,且提升了磁路效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为本专利技术发声装置一实施例的剖面结构示意图;图2为本专利技术发声装置一实施例的结构示意图;图3为本专利技术发声装置一实施例的爆炸示意图;图4为本专利技术发声装置一实施例的另一爆炸示意图;图5为图1另一角度的示意图;图6为图2的仰视图;图7为为图2的俯视图。实施例附图标号说明:本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。需要说明,本专利技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。另外,在本专利技术中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本专利技术要求的保护范围之内。本专利技术所指的“上”、“下”是以图1所示的方位为基准,仅用于解释在图1所示姿态下各部件之间的相对位置关系,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。如图1~图4所示,本专利技术提出一种发声装置10,发声装置10包括:磁轭20,磁轭20包括容置部21,容置部21包括侧壁211和底壁212,侧壁211和底壁212互相连接以形成容置空间213;高音单元30,高音单元30包括第一磁性部、高音振膜32以及与高音振膜32连接的高音音圈33,第一磁性部放置在容置空间213中,第一磁性部与侧壁211之间形成供高音音圈33插入的高音磁间隙36,高音振膜32为平面金属振膜;低音单元40,低音单元40包括第二磁性部、低音振膜42以及与低音振膜42连接的低音音圈43,第二磁性部与侧壁211之间形成供低音音圈43插入的低音磁间隙47,低音单元40和高音单元30同轴设置,低音单元40和高音单元30背向设置。其中,磁轭20为导磁结构,磁轭20容置部21的侧壁211沿底壁212周向环绕,形成了一个可以放置第一磁性部的容置空间213,第一磁性部的底部固定于容置部21的底壁212,第一磁性部的侧部与容置部21的侧壁211间隔设置,形成了高音磁间隙36,高音振膜32与磁轭20固定,高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发声装置,其特征在于,所述发声装置包括:/n磁轭,所述磁轭包括容置部,所述容置部包括侧壁和底壁,所述侧壁和所述底壁互相连接以形成容置空间;/n高音单元,所述高音单元包括第一磁性部、高音振膜以及与所述高音振膜连接的高音音圈,所述第一磁性部放置在所述容置空间中,所述第一磁性部与所述侧壁之间形成供所述高音音圈插入的高音磁间隙,所述高音振膜为平面金属振膜;/n低音单元,所述低音单元包括第二磁性部、低音振膜以及与所述低音振膜连接的低音音圈,所述第二磁性部与所述侧壁之间形成供所述低音音圈插入的低音磁间隙,所述低音单元和高音单元同轴设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种发声装置,其特征在于,所述发声装置包括:
磁轭,所述磁轭包括容置部,所述容置部包括侧壁和底壁,所述侧壁和所述底壁互相连接以形成容置空间;
高音单元,所述高音单元包括第一磁性部、高音振膜以及与所述高音振膜连接的高音音圈,所述第一磁性部放置在所述容置空间中,所述第一磁性部与所述侧壁之间形成供所述高音音圈插入的高音磁间隙,所述高音振膜为平面金属振膜;
低音单元,所述低音单元包括第二磁性部、低音振膜以及与所述低音振膜连接的低音音圈,所述第二磁性部与所述侧壁之间形成供所述低音音圈插入的低音磁间隙,所述低音单元和高音单元同轴设置。


2.如权利要求1所述的发声装置,其特征在于,所述磁轭还包括自所述侧壁远离所述底壁的一端向外延伸形成的连接部,所述高音振膜的边缘通过第一固定环固定于所述连接部。


3.如权利要求2所述的发声装置,其特征在于,所述磁轭还包括沿所述连接部的外周周向环绕的环绕部,所述第二磁性部与所述环绕部背离所述高音振膜的一侧固定。


4.如权利要求3所述的发声装置,其特征在于,所述第一磁性部包括第一磁钢以及固定于所述第一磁钢的第一华司,所述第一磁钢与所述底壁固定,所述第二磁性部包括第二磁钢以及固定于所述第二磁钢的第二华司,所述第二磁钢与所述环绕部背离所述高音振膜的一侧固定,所述第一华司与所述侧壁之间形成所述高音磁间隙,所述第二华...

【专利技术属性】
技术研发人员:王莹郭晓冬
申请(专利权)人:歌尔股份有限公司
类型:发明
国别省市:山东;37

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