量子点层制备方法、QLED器件的制备方法及QLED器件技术

本发明专利技术公开了一种量子点层制备方法，包括步骤：将量子点墨水打印至基板的像素槽内，以形成量子点墨水层；在形成有所述量子点墨水层的所述像素槽内滴入低表面能配体溶液；去除所述像素槽中的溶剂，以在所述像素槽内形成量子点层。本发明专利技术将表面能配体溶液打印到像素槽内，低表面能配体溶液中的配体置换像素槽内的量子点墨水中的原有配体，使得量子点聚集在量子点墨水和低表面能配体溶液形成的混合溶液的表层，形成量子点有序排列的量子点层，去除溶剂后形成均匀的量子点层。

【技术实现步骤摘要】
量子点层制备方法、QLED器件的制备方法及QLED器件
本专利技术涉及QLED领域，尤其涉及一种量子点层制备方法、QLED器件的制备方法及QLED器件。
技术介绍
现有QLED器件的制作工艺中，采用了喷墨打印工艺。其中某些功能材料可以采用喷墨打印工艺，例如空穴注入层，空穴传输层，发光层材料等功能性材料可以采用喷墨打印工艺。即对于已有的像素槽，用喷墨打印的方式将功能层材料墨水打入到像素坑槽，但是现有的制作方法对发光层进行干燥之后会出现膜厚不均匀的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种量子点层制备方法、QLED器件的制备方法及QLED器件，解决现有的制作方法对发光层进行干燥之后会出现膜厚不均匀的问题。为实现上述目的，本专利技术提出一种量子点层制备方法，方法包括：将量子点墨水打印至基板的像素槽内，以形成量子点墨水层；在形成有所述量子点墨水层的所述像素槽内滴入低表面能配体溶液；去除所述像素槽中的溶剂，以在所述像素槽内形成量子点层。在一实施例中，所述低表面能配体溶液为含氟硫醇配体溶液、含氟羧酸配体溶液、含氟磷酸配体溶液、含氟胺基配体溶液、含氟羧基配体溶液、含氟金属盐配体溶液、含氟共轭官能团配体溶液中的至少一种或多种。本专利技术还提供一种QLED器件的制备方法，方法包括：在基板上定义包括多个像素槽的像素界定层，在所述像素槽内沉积底电极；将量子点墨水打印至基板的像素槽内，以形成量子点墨水层；在形成有所述量子点墨水层的所述像素槽内滴入低表面能配体溶液；对基板进行干燥处理和退火处理，以在所述像素槽内形成量子点层；在所述量子点层上沉积顶电极形成QLED器件。在一实施例中，所述低表面能配体溶液为含氟硫醇配体溶液、含氟羧酸配体溶液、含氟磷酸配体溶液、含氟胺基配体溶液、含氟羧基配体溶液、含氟金属盐配体溶液、含氟共轭官能团配体溶液中的至少一种或多种。在一实施例中，所述在基板上定义包括多个像素槽的像素界定层的步骤包括：在基板上沉积界定材料层；根据预设图案提供掩膜版，将所述掩膜版固定在所述界定材料层上方，对所述界定材料进行表面刻蚀处理，形成刻蚀凹槽；对所述刻蚀凹槽进行疏水处理；对所述界定材料层进行曝光处理得到像素界定层；去除所述刻蚀凹槽对应位置的界定材料层材料，形成所述像素槽。在一实施例中，所述对所述像素槽进行疏水处理的步骤包括：将疏水材料沉积在所述像素槽的内表面，其中，所述疏水材料为N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜中的至少一种。在一实施例中，所述退火温度为80℃～150℃，所述退火的时间为10min～30min。在一实施例中，所述对基板进行干燥处理的步骤包括：将所述基板放置于烘箱中进行烘烤，烘烤温度为10℃～30℃，压强为0.01pa～50000pa，烘烤时间30s～30min。在一实施例中，所述将量子点墨水打印至基板的像素槽内的步骤包括：将量子点材料和至少一种醇醚类溶剂搅拌混合，制备得到量子点墨水，其中，量子点材料占量子点墨水的重量百分比为0.01～20％，醇醚类溶剂占量子点墨水的重量百分比为80～99.99％；将制备的量子点墨水打印至所述基板的像素槽内。此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种QLED器件，QLED器件可通过上述QLED器件的制备方法制备得到。本专利技术将量子点墨水打印至基板的像素槽内，以形成量子点墨水层；在形成有所述量子点墨水层的所述像素槽内滴入低表面能配体溶液；去除所述像素槽中的溶剂，以在所述像素槽内形成量子点层。专利技术将表面能配体溶液打印到像素槽内，低表面能配体溶液中的配体置换像素槽内的量子点墨水中的原有配体，使得量子点聚集在量子点墨水和低表面能配体溶液形成的混合溶液的表层，形成量子点有序排列的量子点层，去除溶剂后形成均匀的量子点层。具体实施方式基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术提供一种量子点层制备方法，包括以下步骤：将量子点墨水打印至基板的像素槽内，以形成量子点墨水层；在形成有所述量子点墨水层的所述像素槽内滴入低表面能配体溶液；去除所述像素槽中的溶剂，以在所述像素槽内形成量子点层。本实施例中量子点层为QLED器件中的发光层，QLED器件包括层叠设置的基板、底电极、发光层和顶电极。将预先制备的量子点墨水打印至基板的像素槽内，形成量子点墨水层，量子点墨水层内均匀分布有量子点，量子点材料为CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe或CdZnSeSTe中的一种或几种。进一步地，将低表面能配体溶液滴入到像素槽内，量子点墨水和低表面能配体溶液形成混合溶液，其中，低表面能配体占溶液的重量百分比为0.001～2％。表面能配体溶液可置换像素槽内的量子点墨水层中的原有配体，静置5min～20min，使得量子点聚集在量子点墨水和低表面能配体溶液形成的混合溶液的表层。进一步地，将基板进行干燥处理以去除量子点墨水和低表面能配体溶液形成混合溶液中的溶剂，在基板的像素槽内形成量子点层。本专利技术将低表面能配体溶液打印到像素槽内，低表面能配体溶液中的配体可置换像素槽内的量子点墨水中的原有配体，使得量子点聚集在量子点墨水和低表面能配体溶液形成的混合溶液的表层，形成量子点有序排列的量子点层，去除溶剂后形成均匀的量子点层。具体地，低表面能配体溶液为含氟硫醇配体溶液、含氟羧酸配体溶液、含氟磷酸配体溶液、含氟胺基配体溶液、含氟羧基配体溶液、含氟金属盐配体溶液、含氟共轭官能团配体溶液中的至少一种或多种。其中，含氟硫醇配体溶液为全氟烷基硫醇溶液，含氟羧酸配体溶液为全氟烷基羧酸溶液，含氟磷酸配体溶液为全氟烷基磷酸溶液，含氟胺基配体溶液为全氟胺基溶液，含氟金属盐配体溶液为氟化锌、氟化镉中的其中一种，含氟共轭官能团配体溶液为4-氟三苯胺、2，7-二氟咔唑、全氟芴中的其中一种。本专利技术还提供一种QLED器件的制备方法，包括以下步骤：在基板上定义包括多个像素槽的像素界定层，在所述像素槽内沉积底电极；将量子点墨水打印至基板的像素槽内，以形成量子点墨水层；在形成有所述量子点墨水层的所述像素槽内滴入低表面能配体溶液；对基板进行干燥处理和退火处理，以在所述像素槽内形成量子点层；在所述量子点层上沉积顶电极形成QLED器件。本实施例QLED器件包括层叠设置的基板、底电极、发光层和顶电极，QLED器件还包括空穴注入层、空穴传输层和电子传输层，如QLED器件可以为正置QLED器件，底电极为阳极，顶电极为阴极，正置QLED器件包括层叠设置的基板、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点层制备方法，其特征在于，所述方法包括步骤：/n将量子点墨水打印至基板的像素槽内，以形成量子点墨水层；/n在形成有所述量子点墨水层的所述像素槽内滴入低表面能配体溶液；/n去除所述像素槽中的溶剂，以在所述像素槽内形成量子点层。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点层制备方法，其特征在于，所述方法包括步骤：
将量子点墨水打印至基板的像素槽内，以形成量子点墨水层；
在形成有所述量子点墨水层的所述像素槽内滴入低表面能配体溶液；
去除所述像素槽中的溶剂，以在所述像素槽内形成量子点层。


2.如权利要求1所述的量子点层制备方法，其特征在于，所述低表面能配体溶液为含氟硫醇配体溶液、含氟羧酸配体溶液、含氟磷酸配体溶液、含氟胺基配体溶液、含氟羧基配体溶液、含氟金属盐配体溶液、含氟共轭官能团配体溶液中的至少一种或多种。


3.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括步骤：
在基板上定义包括多个像素槽的像素界定层，在所述像素槽内沉积底电极；
将量子点墨水打印至基板的像素槽内，以形成量子点墨水层；
在形成有所述量子点墨水层的所述像素槽内滴入低表面能配体溶液；
对基板进行干燥处理和退火处理，以在所述像素槽内形成量子点层；
在所述量子点层上沉积顶电极形成QLED器件。


4.如权利要求3所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述低表面能配体溶液为含氟硫醇配体溶液、含氟羧酸配体溶液、含氟磷酸配体溶液、含氟胺基配体溶液、含氟羧基配体溶液、含氟金属盐配体溶液、含氟共轭官能团配体溶液中的至少一种或多种。


5.如权利要求3所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述在基板上定义包括多个像素槽的像素界定层的步骤包括：
在基板上沉积界定材料层；
根据预设图案提供掩膜版，将所述掩膜版固定...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亚文，史文，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44