一种阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，所述阵列基板包括：基底；第一遮光导电层，设于所述基底上；第一有源层，设于所述第一遮光导电层上方；第二遮光导电层，设于所述第一有源层的上方，且与所述第一有源层错位设置；第二有源层，设于所述第二遮光导电层上方；源漏电极层，设于所述第二有源层的上方，所述源漏电极层中具有源漏极走线，其中一源漏极走线电连接于所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示面板
本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
有机发光显示(OrganicLight-EmittingDiode,OLED))设备为自发光型显示设备，OLED设备包括多个有机发光器件，每一有机发光器件包括阳极、阴极和位于阳极与阴极之间的有机发光层。其中，分别通过阴极和阳极实现对有机发光层的电子注入和空穴注入，通过空穴和电子在有机发光层中复合以产生激子，这些激子从激发态跃迁到基态，从而生成光。作为自发光型显示设备，OLED设备不需要单独的光源，因此，OLED设备可以以低电压驱动，并且更易制作为轻薄化的外形；此外，OLED设备具有宽视角、高对比度和灵敏的响应速度等优势，故而OLED设备被广泛应用于多种领域，如智能移动终端、电视机、电脑、可折叠或可卷曲显示设备等。目前，大部分的OLED设备采用的是LTPS(LowTemperaturePoly-silicon低温多晶硅)TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)的面板技术。在经历过去数年的改良，LTPS显示面板拥有高分辨率、高反应速度、高亮度、高开口率等优势，使其成为了当今市面上最成熟和主流的TFT面板技术方案。虽然LTPS显示面板尽管受到了市场欢迎，但其具有生产成本较高、所需功耗较大的劣势。因此，技术人员开发出来了LTPO(LowTemperaturePolycrystallineOxide，低温多晶氧化物)显示面板技术，即将LTPS显示面板技术和Oxide显示面板技术相结合得到的LTPO显示面板。LTPO显示面板包含LTPS和IGZO两组TFT器件结构，该制程存在制程复杂且光罩数量多的问题。同时，薄膜晶体管器件(TFT)下方的有机膜层、无机膜层均会存在一定的移动电荷，该移动电荷受薄膜晶体管器件(TFT)电流等驱动的作用，会反向影响器件的正常工作，从而会使TFT器件电学性能恶化，对TFT信赖性及光学评价等项目造成不良影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以解决薄膜晶体管器件下方的有机膜层、无机膜层存在的移动电荷，会影响薄膜晶体管器件的电学性、信赖性、光学性能的技术问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种阵列基板，包括：基底；第一遮光导电层，设于所述基底上；第一有源层，设于所述第一遮光导电层上方；第二遮光导电层，设于所述第一有源层的上方，且与所述第一有源层错位设置；第二有源层，设于所述第二遮光导电层上方；源漏电极层，设于所述第二有源层的上方，所述源漏电极层中具有源漏极走线，其中一源漏极走线电连接于所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层。进一步地，所述第二遮光导电层在所述基底上的投影与所述第一遮光导电层的在所述基底上的投影部分重合，形成有重合区。进一步地，所述的阵列基板还包括：屏蔽层，设于所述交叠区，其中，一源漏极走线通过所述屏蔽层电连接至所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层。进一步地，所述第一有源层为LTPS，所述第二有源层为IGZO。进一步地，所述的阵列基板还包括：缓冲层，覆盖所述第一遮光导电层且设于所述基底上；所述第一有源层设于所述缓冲层上且正对于所述第一遮光导电层；第一栅极绝缘层，覆盖所述第一遮光导电层且设于所述缓冲层上；第一栅极层，设于所述第一栅极绝缘层上且正对于所述第一遮光导电层；第二栅极绝缘层，覆盖所述第一栅极层和所述第二遮光导电层且设于所述第一栅极绝缘层上；所述第二有源层设于所述第二栅极绝缘层上且正对于所述第二遮光导电层；第三栅极绝缘层，覆盖所述第二有源层且设于所述第二栅极绝缘层上；第二栅极层，设于所述第三栅极绝缘层上，具有至少两个第二栅极，分别正对于所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层；介电层，覆盖所述第二栅极层且设于所述第三栅极绝缘层上；通孔，从所述介电层依次贯穿所述第三栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层、所述第二遮光导电层、所述第一栅极绝缘层至所述第一遮光导电层上表面；其中，所述屏障层填充所述通孔；所述源漏极层设于所述介电层上，且连接至所述第一有源层和所述第二有源层。进一步地，所述的阵列基板还包括：钝化层，覆盖所述源漏极层且设于所述介电层上。为实现上述目的，本专利技术还提供一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：提供一基底；形成第一遮光导电层于所述基底上；形成第一有源层设于所述第一遮光导电层上方；形成第二遮光导电层于所述第一有源层的上方，且与所述第一有源层错位设置；形成第二有源层设于所述第二遮光导电层上方；形成源漏电极层于所述第二有源层的上方，所述源漏电极层中具有源漏极走线，其中一源漏极走线电连接于所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层。进一步地，形成第一有源层设于所述第一遮光导电层上方的步骤包括：形成缓冲层于所述基底上且覆盖所述第一遮光导电层，所述第一有源层设于所述缓冲层上且正对于所述第一遮光导电层；形成第二遮光导电层于所述第一有源层的上方的步骤包括：形成第一栅极绝缘层于所述缓冲层上且覆盖所述第一遮光导电层；形成第一栅极层和所述第二遮光导电层于所述第一栅极绝缘层上，其中所述第一栅极层正对于所述第一遮光导电层；形成第二栅极绝缘层于所述第一栅极绝缘层上，所述第二栅极绝缘层覆盖所述第一栅极层和所述第二遮光导电层；形成第二有源层设于所述第二遮光导电层上方的步骤包括：形成所述第二有源层设于所述第二栅极绝缘层上，所述第二有源层正对于所述第二遮光导电层；形成第三栅极绝缘层于所述第二栅极绝缘层上，所述第三栅极绝缘层覆盖所述第二有源层；形成源漏电极层于所述第二有源层的上方的步骤包括：形成第二栅极层于所述第三栅极绝缘层上，所述第二栅极层具有至少两个第二栅极，分别正对于所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层；形成介电层于所述第三栅极绝缘层上，所述介电层覆盖所述第二栅极层；形成通孔，所述通孔从所述介电层依次贯穿所述第三栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层、所述第二遮光导电层、所述第一栅极绝缘层至所述第一遮光导电层上表面；形成所述屏障层与所述通孔内；形成源漏极通孔，所述源漏极通孔贯穿至所述第一有源层和所述第二有源层表面；以及形成所述源漏极层于所述介电层上，且填充所述源漏极通孔连接至所述第一有源层和所述第二有源层。进一步地，所述第二遮光导电层在所述基底上的投影与所述第一遮光导电层的在所述基底上的投影部分重合，形成有重合区。为实现上述目的，本专利技术还提供一种显示面板，包括前文所述的阵列基板。本专利技术的技术效果在于，提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，所述显示面板为LTPO结构，所述第一栅极层与所述第二遮光导电层同层设置，且通过在通过所述屏蔽层将所述源漏极层与所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一遮光导电层以及所述第二遮光导电层实现电连接。既可以减少光罩的数量，也可对薄膜晶体管下方和侧面的移动电荷起到完美的屏蔽作用，在保持薄膜晶体管优异电学特性的同时，明显改善薄膜晶体管(TFT)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n基底；/n第一遮光导电层，设于所述基底上；/n第一有源层，设于所述第一遮光导电层上方；/n第二遮光导电层，设于所述第一有源层的上方，且与所述第一有源层错位设置；/n第二有源层，设于所述第二遮光导电层上方；/n源漏电极层，设于所述第二有源层的上方，所述源漏电极层中具有源漏极走线，其中一源漏极走线电连接于所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基底；
第一遮光导电层，设于所述基底上；
第一有源层，设于所述第一遮光导电层上方；
第二遮光导电层，设于所述第一有源层的上方，且与所述第一有源层错位设置；
第二有源层，设于所述第二遮光导电层上方；
源漏电极层，设于所述第二有源层的上方，所述源漏电极层中具有源漏极走线，其中一源漏极走线电连接于所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二遮光导电层在所述基底上的投影与所述第一遮光导电层的在所述基底上的投影部分重合，形成有重合区。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
屏蔽层，设于所述交叠区，其中，一源漏极走线通过所述屏蔽层电连接至所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层。


4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一有源层为LTPS，所述第二有源层为IGZO。


5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
缓冲层，覆盖所述第一遮光导电层且设于所述基底上；
所述第一有源层设于所述缓冲层上且正对于所述第一遮光导电层；
第一栅极绝缘层，覆盖所述第一遮光导电层且设于所述缓冲层上；
第一栅极层，设于所述第一栅极绝缘层上且正对于所述第一遮光导电层；
第二栅极绝缘层，覆盖所述第一栅极层和所述第二遮光导电层且设于所述第一栅极绝缘层上；
所述第二有源层设于所述第二栅极绝缘层上且正对于所述第二遮光导电层；
第三栅极绝缘层，覆盖所述第二有源层且设于所述第二栅极绝缘层上；
第二栅极层，设于所述第三栅极绝缘层上，具有至少两个第二栅极，分别正对于所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层；
介电层，覆盖所述第二栅极层且设于所述第三栅极绝缘层上；
通孔，从所述介电层依次贯穿所述第三栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层、所述第二遮光导电层、所述第一栅极绝缘层至所述第一遮光导电层上表面；
其中，所述屏障层填充所述通孔；
所述源漏极层设于所述介电层上，且连接至所述第一有源层和所述第二有源层。


6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
钝化层，覆盖所述源漏极层且设于所述介电层上。


7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯霖波，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42