一种显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开一种显示面板及显示装置。该显示面板包括衬底基板；第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管与第二晶体管形成于衬底基板上，第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，第一有源层包含硅；第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，第二有源层包含氧化物半导体；第二有源层位于所述第一有源层背离衬底基板的一侧；第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层位于第二有源层背离衬底基板的一侧，且位于第二栅极与第二有源层之间，第二绝缘层位于第二有源层朝向衬底基板的一侧，第一绝缘层中的氢元素的浓度大于第二绝缘层中的氢元素的浓度。以实现提升第二晶体管的稳定性，保证驱动电路性能良好的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及显示装置
本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种显示面板及显示装置。
技术介绍
有机发光(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示面板由于同时具备自发光、对比度高、厚度薄、反应速度快、可用于挠曲性面板等优点，广泛受到人们的喜爱。OLED显示面板的OLED元件属于电流驱动型元件，需要设置相应的像素电路以及驱动电路，驱动电路为像素电路提供驱动信号，以使像素电路为OLED元件提供驱动电流，驱动OLED元件发光。OLED显示面板的驱动电路和像素电路中设置有晶体管。晶体管常使用氧化物半导体，例如铟镓锌氧化物(indiumgalliumzincoxide，IGZO)作为有源层，来减小晶体管中的漏流。然而现有技术中IGZO晶体管的稳定性较差，进而影响驱动电路和/或像素电路的影响。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种显示面板及显示装置，以实现提升第二晶体管的稳定性，保证驱动电路性能良好的效果。第一方面，本专利技术实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括衬底基板；第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管与所述第二晶体管形成于所述衬底基板上，所述第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源层包含硅；所述第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二有源层包含氧化物半导体；所述第二有源层位于所述第一有源层背离所述衬底基板的一侧；第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二有源层背离所述衬底基板的一侧，且位于所述第二栅极与所述第二有源层之间，所述第二绝缘层位于所述第二有源层朝向所述衬底基板的一侧，其中，所述第一绝缘层中的氢元素的浓度大于所述第二绝缘层中的氢元素的浓度；所述显示面板包括像素电路和为所述像素电路提供驱动信号的驱动电路，其中，所述驱动电路包括所述第二晶体管，且所述像素电路包括第一晶体管或者所述驱动电路包括第一晶体管。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括第一方面所述的显示面板。本专利技术实施例提供的显示面板包括第一晶体和第二晶体管，第一晶体管的第一有源层包含硅，第二晶体管的第二有源层包含氧化物半导体，第一绝缘层位于第二有源层背离衬底基板的一侧，第二绝缘层位于第二有源层靠近衬底基板的一侧，通过设置第一绝缘层的氢元素的浓度大于第二绝缘层的氢元素的浓度，即通过第一绝缘层的氢元素的浓度适当增加，有利于修复第一绝缘层中的缺陷；通过第二绝缘层的氢元素的浓度适当降低，防止氢元素扩散至第二有源层，避免对第二有源层造成影响，提升第二晶体管的稳定性，保证驱动电路性能良好。附图说明图1是本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；图6是本专利技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；图7是本专利技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；图8是本专利技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；图9是本专利技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；图10是本专利技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；图11是本专利技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；图12是本专利技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；图13是本专利技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；图14是本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。图1是一种显示面板的结构示意图，如图1所示，显示面板100包括在衬底基板10上形成的至少两种类型的晶体管。至少两种类型的晶体管包括硅，可选为多晶硅，例如，为低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPS)材料作为有源层的晶体管20以及氧化物半导体材料作为有源层的晶体管30。低温多晶硅晶体管具有载流子迁移率高、响应快、和功耗小等的优点，氧化物半导体晶体管具有漏流小的优点，所以当显示面板100同时包括LTPS材料作为有源层21的晶体管20以及氧化物半导体材料作为有源层31的晶体管30时，可以保证显示面板100具有较佳的性能。然而，低温多晶硅材料具有较多的缺陷，所以可通过增加有源层21背离衬底基板10一侧的绝缘层48的氢元素的浓度以降低缺陷。但是，由于氧化物半导体材料对氢元素非常敏感，所以在设置有源层31两侧的绝缘层40和41时，绝缘层40和41选用不含氢元素的材料，例如可以为氧化硅。但是经过专利技术人研究发现，氧化硅成膜后可能存在一些氧原子的键呈悬空状态，从而形成缺陷，对于晶体管30中的载流子产生捕获等影响，进而影响晶体管30的稳定性。基于上述技术问题，专利技术人进一步研究出本专利技术实施例的技术方案。具体的，本专利技术实施例提供一种显示面板，衬底基板；第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管与第二晶体管形成于衬底基板上，第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，第一有源层包含硅；第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，第二有源层包含氧化物半导体；第二有源层位于第一有源层背离衬底基板的一侧；第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层位于第二有源层背离衬底基板的一侧，且位于第二栅极与第二有源层之间，第二绝缘层位于第二有源层朝向衬底基板的一侧，其中，第一绝缘层中的氢元素的浓度大于第二绝缘层中的氢元素的浓度；显示面板包括像素电路和为像素电路提供驱动信号的驱动电路，其中，驱动电路包括第二晶体管，且像素电路包括第一晶体管或者驱动电路包括第一晶体管。其中，本申请中所限定的浓度，如无特别要求，则均为原子浓度，即每单位面积内的原子含量。采用上述技术方案，通过设置第一绝缘层和第二绝缘层均含少量的氢，且第一绝缘层的氢元素的浓度大于第二绝缘层的氢元素的浓度，即通过第一绝缘层的氢元素的浓度适当增加，有利于修复第一绝缘层中的缺陷；通过第二绝缘层的氢元素的浓度适当降低，防止氢元素扩散至第二有源层，避免对第二有源层造成影响，提升第二晶体管的稳定性，保证驱动电路性能良好。以上是本专利技术的核心思想，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图2是本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图2所示，本专利技术实施例提供的显示面板100包括衬底基板10；第一晶体管20和第二晶体管30，第一晶体管20与第二晶体管3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括/n衬底基板；/n第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管与所述第二晶体管形成于所述衬底基板上，所述第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源层包含硅；所述第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二有源层包含氧化物半导体；所述第二有源层位于所述第一有源层背离所述衬底基板的一侧；/n第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二有源层背离所述衬底基板的一侧，且位于所述第二栅极与所述第二有源层之间，所述第二绝缘层位于所述第二有源层朝向所述衬底基板的一侧，其中，/n所述第一绝缘层中的氢元素的浓度大于所述第二绝缘层中的氢元素的浓度；/n所述显示面板包括像素电路和为所述像素电路提供驱动信号的驱动电路，其中，所述驱动电路包括所述第二晶体管，且所述像素电路包括第一晶体管或者所述驱动电路包括第一晶体管。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括
衬底基板；
第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管与所述第二晶体管形成于所述衬底基板上，所述第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源层包含硅；所述第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二有源层包含氧化物半导体；所述第二有源层位于所述第一有源层背离所述衬底基板的一侧；
第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二有源层背离所述衬底基板的一侧，且位于所述第二栅极与所述第二有源层之间，所述第二绝缘层位于所述第二有源层朝向所述衬底基板的一侧，其中，
所述第一绝缘层中的氢元素的浓度大于所述第二绝缘层中的氢元素的浓度；
所述显示面板包括像素电路和为所述像素电路提供驱动信号的驱动电路，其中，所述驱动电路包括所述第二晶体管，且所述像素电路包括第一晶体管或者所述驱动电路包括第一晶体管。


2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述第二栅极背离所述衬底基板的一侧；其中，
所述第三绝缘层中的氢元素的浓度小于所述第一绝缘层中的氢元素的浓度。


3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第二晶体管包括第三栅极，所述第三栅极位于所述第二绝缘层朝向所述衬底基板的一侧，其中，
所述第三绝缘层中的氢元素的浓度小于或者等于所述第二绝缘层中的氢元素的浓度。


4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述第一绝缘层的厚度小于所述第二绝缘层的厚度。


5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第一绝缘层中的氢元素的浓度为C1，所述第二绝缘层中的氢元素的浓度为C2，所述第三绝缘层中的氢元素的浓度为C3，其中，
C1≤2C2-C3。


6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第三绝缘层中，靠近第二栅极一侧的氢元素的浓度小于远离所述第二栅极一侧的氢元素的浓度。


7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一绝缘层包括氧化硅SiOX，所述第二绝缘层包括氧化硅SiOy，其中，x为第一绝缘层中的氧原子数量与硅原子数量之比，y为第二绝缘层中的氧原子数量与硅原子数量之比，且x＜y。


8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一绝缘层中的氢元素的浓度为C1，所述第二绝缘层中的氢元素的浓度为C2，其中，
C1＝n×c2，1＜n＜5。


9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一绝缘层中的氢元素的浓度为C1，则2×1021(atom/cm3)≤C1≤1×1022(atom/cm3)。


10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一绝缘层中，靠近所述第二有源层一侧的氢元素的浓度小于远离所述第二有源层一侧的氢元素的浓度；
所述第二绝缘层中，靠近所述第二有源层一侧的氢元素的浓度小于远离所述第二有源层一侧的氢元素的浓度。


11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述像素电路包括第三晶体管，所述第三晶体管包括第三有源层、第三源极、第三漏极以及第四栅极，所述第三有源层包含氧化物半导体；
所述显示面板还包括第四绝缘层和第五绝缘层，所述第四绝缘层位于所述第三有源层背离所述衬底基板的一侧，且位于所述第三有源层与所述第四栅极之间，所述第五绝缘层位于所述第三有源层朝向所述衬底基板的一侧；其中，
所述第四绝缘层中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：何水，安平，匡娅祺，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35