雪崩测试参数选取方法、装置、计算机设备及存储介质制造方法及图纸

本申请涉及一种雪崩测试参数选取方法、装置、计算机设备及存储介质，在对待测器件进行重复雪崩耐量测试时，能够获取测试环境参数和重复雪崩耐量电路的相关设定参数进行分析，得到在当前设定参数下待测器件的结温参数。之后将结温参数与预设结温阈值进行比较分析，最终根据比较分析结果判断设定参数是否合理，也即根据比较分析结果输出对应的设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息。通过上述方案，可以在重复雪崩耐量测试操作中指导用户进行雪崩耐量参数的设置，从而保证用户选取的设置参数满足待测器件的重复雪崩耐量测试需求，进而保证重复雪崩耐量测试结果的准确性。

【技术实现步骤摘要】
雪崩测试参数选取方法、装置、计算机设备及存储介质
本申请涉及可靠性测试
，特别是涉及一种雪崩测试参数选取方法、装置、计算机设备及存储介质。
技术介绍
随着第三代半导体技术的发展，碳化硅MOSFET器件和二极管以其高频、低功耗、更高功率密度，更低系统成本等优点，在高频开关和汽车电子等特殊环境越来越多的被使用。这些器件驱动感性负载时，会承受非钳位感性开关(UnclampedInductiveSwitching，UIS)的能量尖峰。非钳位感性负载下的开关过程通常被认为是MOSFET器件和二极管器件在系统应用中所能遭受的最极端应力情况，因为在回路导通时存储在电感中的能量必须在关断瞬间全部由待测器件释放，同时施加于待测器件的高电压和大电流极易造成器件失效，这种失效带来的损伤通常是不可修复的。因此，雪崩耐量通常是衡量碳化硅待测器件可靠性的一个重要指标。雪崩耐量测试就是按设定电压、电流、电感条件，模拟器件实际应用关断时产生雪崩的过程，看被测器件是否发生损坏，不能承受这个规定能量的器件就是不合格产品。雪崩耐量测试包括单次脉冲雪崩耐量测试和重复脉冲雪崩耐量测试，单次脉冲雪崩耐量测试设备测量条件包括电感、单次雪崩电流值和雪崩过程中供电电压，相比单脉冲测试，重复脉冲的测量条件还包括结温、雪崩脉冲宽度及频率等参数。虽然碳化硅MOSFET的规格书表中列出了重复雪崩电流值和重复雪崩能量，同时标注了测量条件，但通常只有起始温度25℃、最高结温150℃或者175℃以及电感值。要完整评估待测器件的重复雪崩能力，涉及的参数还包括稳态热阻(结-壳热阻或结-环热阻)、工作脉冲占空比、工作频率、雪崩脉冲占空比(或直接给出雪崩脉冲宽度)、供电电压、瞬态热阻曲线、阻性负载值，这些测试参数选取不同，对重复雪崩耐量测试结果的影响非常大。在实际重复雪崩耐量测试过程中，往往会由于参数选取不合理，严重影响重复雪崩耐量测试结果的准确性，传统的重复雪崩耐量测试操作具有测试可靠性差的缺点。
技术实现思路
基于此，有必要针对传统的重复雪崩耐量测试操作测试可靠性差的问题，提供一种雪崩测试参数选取方法、装置、计算机设备及存储介质。一种雪崩测试参数选取方法，包括：获取测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的设定参数；根据所述测试环境参数和所述设定参数得到当前设定参数下待测器件的结温参数，并将所述结温参数与预设结温阈值进行比较分析；根据比较分析结果输出设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息。一种雪崩测试参数选取装置，包括：设定参数获取模块，用于获取测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的设定参数；结温参数分析模块，用于根据所述测试环境参数和所述设定参数得到当前设定参数下待测器件的结温参数，并将所述结温参数与预设结温阈值进行比较分析；选取结果提示模块，用于根据比较分析结果输出设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息。一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述方法的步骤。一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现上述方法的步骤。上述雪崩测试参数选取方法、装置、计算机设备及存储介质，在对待测器件进行重复雪崩耐量测试时，能够获取测试参数和重复雪崩耐量电路的相关设定参数进行分析，得到在当前设定参数下待测器件的结温参数。之后将结温参数与预设结温阈值进行比较分析，最终根据比较分析结果判断设定参数是否合理，也即根据比较分析结果输出对应的设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息。通过上述方案，可以在重复雪崩耐量测试操作中指导用户进行雪崩耐量参数的设置，从而保证用户选取的设置参数满足待测器件的重复雪崩耐量测试需求，进而保证重复雪崩耐量测试结果的准确性。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为一实施例中雪崩测试参数选取方法流程示意图；图2为一实施例中重复雪崩耐量测试电路原理图；图3为另一实施例中雪崩测试参数选取方法流程示意图；图4为又一实施例中雪崩测试参数选取方法流程示意图；图5为一实施例中结温峰值分析流程示意图；图6为一实施例中重复雪崩波形示意图；图7为另一实施例中结温峰值分析流程示意图；图8为另一实施例中重复雪崩波形示意图；图9为一实施例中雪崩测试参数选取装置结构示意图；图10为一实施例中计算机设备内部结构示意图。具体实施方式为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。请参阅图1，一种雪崩测试参数选取方法，包括步骤S100、步骤S200和步骤S300。步骤S100，获取测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的设定参数。具体地，当用户有进行重复雪崩耐量测试的需求时，用户首先向执行本实施例中雪崩测试参数选取方法的控制装置或者处理器输入与重复雪崩耐量测试电路相关的设定参数，同时通过相应的采集装置采集测试环境参数。重复雪崩耐量测试即为模拟待测器件承受非钳位感性开关的能量尖峰，对待测器件在极端应力条件下的运行可靠性进行检测验证的方案。重复雪崩耐量测试电路的类型并不是唯一的，只要是能够产生一个高压，将待测器件击穿，以模拟待测器件的极端运行环境进行测试均可。例如，在一个实施例中，重复雪崩耐量测试电路的原理图如图2所示，待测器件DUT的控制端用于输入脉冲信号VGS，用以控制待测器件DUT的通断，待测器件DUT的第一端连接可调电感L的一端，可调电感L的另一端连接可调负载RL的一端，可调负载RL的另一端连接电容C的一端和电源VDD，电容C的另一端连接电源VDD和待测器件DUT的第二端。输入待测器件DUT的脉冲信号VGS控制待测器件DUT断开时，由于可调电感L上的电流不能突变，在可调电感L上将会产生感应电动势，该感应电压施加到待测器件DUT之后，将会使得待测器件DUT被击穿。应当指出的是，设定参数的类型并不是唯一的，在一个实施例中，设定参数包括重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、电感值(即可调电感的电感大小)、负载电阻值(即可调负载的电阻大小)、工作脉冲占空比(即输入待测器件的脉冲信号)、工作频率、待测器件导通电阻值和待测器件击穿电压值中的至少一种。在一个较为详细的实施例中，设定参数同时包括重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、电感值、负载电阻值、工作脉冲占空比、工作频率、待测器件导通电阻值和待测器件击穿电压值。步骤S200，根据测试环境参数和设定参数得到当前设定参数下待测器件的结温参数，并将结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种雪崩测试参数选取方法，其特征在于，包括：/n获取测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的设定参数；/n根据所述测试环境参数和所述设定参数得到当前设定参数下待测器件的结温参数，并将所述结温参数与预设结温阈值进行比较分析；/n根据比较分析结果输出设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息。/n

【技术特征摘要】
1.一种雪崩测试参数选取方法，其特征在于，包括：
获取测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的设定参数；
根据所述测试环境参数和所述设定参数得到当前设定参数下待测器件的结温参数，并将所述结温参数与预设结温阈值进行比较分析；
根据比较分析结果输出设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息。


2.根据权利要求1所述的雪崩测试参数选取方法，其特征在于，所述结温参数包括峰值结温，所述根据比较分析结果输出设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息的步骤，包括：
当所述峰值结温小于所述预设结温阈值时，输出设定参数合理的信息；
当所述峰值结温大于或等于所述预设结温阈值时，输出调整设定参数的提示信息。


3.根据权利要求1所述的雪崩测试参数选取方法，其特征在于，所述结温参数包括峰值结温，所述根据所述测试环境参数和所述设定参数得到当前设定参数下待测器件的结温参数的步骤，包括：
当重复雪崩耐量测试电路的负载电阻值不为零时，根据所述测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、电感值、负载电阻值、工作脉冲占空比、工作频率、待测器件导通电阻值和待测器件击穿电压值进行分析，得到待测器件的峰值结温；
当重复雪崩耐量测试电路的负载电阻值为零时，根据所述测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、电感值、工作脉冲占空比、工作频率和待测器件击穿电压值进行分析，得到待测器件的峰值结温。


4.根据权利要求3所述的雪崩测试参数选取方法，其特征在于，所述根据所述测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、电感值、负载电阻值、工作脉冲占空比、工作频率、待测器件导通电阻值和待测器件击穿电压值进行分析，得到待测器件的峰值结温的步骤，包括：
根据重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、负载电阻值和待测器件导通电阻值进行分析，得到雪崩电流值；
根据所述雪崩电流值、所述负载电阻值、所述供电电压、重复雪崩耐量测试电路的电感值和待测器件击穿电压值进行分析，得到雪崩脉宽；
根据所述雪崩电流值、所述雪崩脉宽和所述待测器件击穿电压值进行分析，得到重复雪崩能量值；
根据所述重复雪崩能量值和所述雪崩脉宽进行分析，得到雪崩功率；
根据所述重复雪崩能量值和重复雪崩耐量测试电路的工作频率进行分析，得到平均雪崩功率；
根据所述重复雪崩耐量测试电路的工作脉冲占空比、所述雪崩电流值和所述待测器件导通电阻值进行分析，得到平均导通功率；
根据所述平均雪崩功率、所述平均导通功率和测试环境参数进行分析，得到平均结温；
根据所述雪崩功率和所述测试环境参数进行分析，得到结温变化量；
根据所述平均结温和所述结温变化量得到结温峰值。


5.根据权利要求4所述的雪崩测试参数选取方法，其特征在于，所述测试环境参数包括环境温度、待测器件的稳态结环热阻值和瞬态结环热阻值，所述根据所述平均雪崩功率、所述平均导通功率和测试环境参数进行分析，得到平均结温的步骤，包括：
根据所述平均雪崩功率、所述平均导通功率、所述环境温度和所述稳态结环热阻值进行分析，得到平均结温；
所述根据所述雪崩功率和所述测试环境参数进行分析，得到结温变化量的步骤，包括：
根据所述雪崩功率和所述瞬态结环热阻值进行分析，得到结温变化量；
或，所述测试环境参数包括平均壳温、待测...

【专利技术属性】
技术研发人员：明志茂，江雪晨，陆裕东，李汝冠，岳龙，赵可沦，
申请(专利权)人：广电计量检测湖南有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43