一种节能的休眠电路制造技术

本实用新型专利技术涉及到一种节能的休眠电路，包括一个电源和一个单片机，所述电源通过一个MOS管与设备连接，MOS管的栅极上并联有一个三极管和一个唤醒开关，唤醒开关另一端接地，MOS管的源极连接电源，源极和栅极之间连接有一个电阻，三极管的集电极连接MOS管的栅极、发射极接地、基极与单片机的一个信号输出端连接，单片机的电源输入端通过一个降压电阻连接到MOS管的漏极，单片机的一个信号输入端子连接在唤醒开关与MOS管栅极之间。本实用新型专利技术所述休眠电路在设备休眠的时候，电源不向单片机供电，仅保留一个高电平端子用于唤醒电路，因此电路休眠时，电源能耗极低，大大延长了休眠持续时间，避免电池亏电而缩短寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种节能的休眠电路
本技术涉及一种节能的休眠电路。
技术介绍
目前很多电子产品都有休眠功能，设备在休眠的时候，其单片器依然连接电源，处于工作状态，唤醒设备通常是通过单片机来启动，因此设备在休眠时，电源依然处于消耗状态，长时间的休眠依然会导致电量流失，直至电能耗尽，因此设备休眠时间较短且容易缩短电池使用寿命。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是：提供一种节能的休眠电路。为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：一种节能的休眠电路，包括一个电源和一个单片机，所述电源通过一个MOS管与设备连接，MOS管的栅极上并联有一个三极管和一个唤醒开关，唤醒开关另一端接地，MOS管的源极连接电源，源极和栅极之间连接有一个电阻，三极管的集电极连接MOS管的栅极、发射极接地、基极与单片机的一个信号输出端连接，单片机的电源输入端通过一个降压电阻连接到MOS管的漏极，单片机的一个信号输入端子连接在唤醒开关与MOS管栅极之间。作为一种优选方案，所述唤醒开关与MOS管栅极之间串联有第一二极管和第二二极管，第一二极管和第二二极管的电流方向相对，单片机的信号输入端子连接在第一二极管和第二二极管之间。作为一种优选方案，所述MOS管的漏极还并联有一个分压电阻和一个采样电阻，分压电阻与采样电阻串联，分压电阻位于采样电阻与MOS管之间，采样电阻另一端接地，单片机的电压检测端子连接到分压电阻与采样电阻之间。作为一种优选方案，本技术的有益效果是：本技术所述休眠电路在设备休眠的时候，电源不向单片机供电，仅保留一个高电平端子用于唤醒电路，因此电路休眠时，电源能耗极低，大大延长了休眠持续时间，避免电池亏电而缩短寿命。附图说明下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步详细说明，其中：图1是本技术的结构示意图；图1中，1、电源，2、单片机，3、MOS管，4、设备，5、三极管，6、唤醒开关，7、第一二极管，8、第二二极管，9、休眠开关。具体实施方式下面结合附图，详细描述本技术的具体实施方案。如图1所示，一种节能的休眠电路包括一个电源1和一个单片机2，所述电源1通过一个MOS管3与设备4连接，MOS管3的栅极G上并联有一个三极管5和一个唤醒开关6，唤醒开关6另一端接地，MOS管3的源极S连接电源1，源极S和栅极G之间连接有一个电阻R1，在三极管5和唤醒开关均处于断开状态时，该电阻R1使唤醒开关6和三极管5接近MOS管3的一端均形成高电平，三极管5的集电极C连接MOS管3的栅极G、发射极E接地、基极B与单片机2的一个信号输出端OUT1连接，单片机2的电源输入端V+通过一个降压电阻R2连接到MOS管3的漏极D，单片机2的一个信号输入端子IN1连接在唤醒开关6与MOS管3栅极G之间。本实施例中，唤醒开关6与MOS管3栅极G之间串联有第一二极管7和第二二极管8，第一二极管7和第二二极管8的电流方向相对，单片机2的信号输入端子IN1连接在第一二极管7和第二二极管8之间。MOS管3的漏极D还并联有一个分压电阻R3和一个采样电阻R4，分压电阻R3与采样电阻R4串联，分压电阻R3位于采样电阻R4与MOS管3之间，采样电阻R4另一端接地，单片机3的电压检测端子IN2连接到分压电阻R3与采样电阻R4之间。在本实施例中，单片机2上还设置有一个休眠信号检测端口IN3，该休眠信号检测端口IN3与一个休眠开关9连接，休眠开关9的另一端接地，在设备正常运转时，休眠开关9断开，休眠信号检测端口IN3输出高电平，当需要将设备休眠时，闭合休眠开关9，休眠信号检测端口IN3变为低电平，单片机2检测到休眠信号检测端口IN3的电平由高变低时，将信号输出端OUT1置为低电平，三极管5、MOS管3依次断开，电源1与设备4断开连接，设备进入休眠状态。本技术工作原理是：如图1所示，当设备处于休眠状态时，三极管5和MOS管3均断开，单片机2、设备4均与电源1断开，唤醒开关6断开，休眠开关9断开，第一二极管7的正极端为高电平。当要唤醒设备时，闭合唤醒开关6，则第一二极管的正极端变为低电平，瞬间接通MOS管3，MOS管3接通后，设备4和单片机2均得电，单片机2启动对第一二极管7和第二二极管8之间的电位进行检测，单片机2通过信号输入端子IN1检测到第一二极管7和第二二极管8之间电位为低，因此将信号输出端OUT1置为持续高电平，信号输出端OUT1被置为高电平后，三极管5被接通，三极管5的集电极C持续保持低电平，维持MOS管3的闭合状态，从而使设备进入正常的持续运转状态。在单片机2工作状态，通过电压检测端子IN2检测采样电阻R4上的电压，并经过计算得出电源1的电压和电量。当需要将设备设置进入休眠状态时，有两种方式，第一是通过单片机2自发性地进入休眠状态，具体是在单片机2中预设当设备4无操作一段时间后，主动将信号输出端OUT1置为低电平，从而切断三极管5，三极管5被切断后，三极管5的集电极C因电阻R1变为高电平，致使MOS管3断开，单片机2和设备4均断开与电源1的连接，设备进入休眠状态。另一种方式是通过连接在单片机2休眠信号检测端口IN3上的休眠开关9来启动休眠，设备正常运转时，休眠信号检测端口IN3被置为高电平，当需要将设备休眠时，闭合休眠开关9，休眠信号检测端口IN3变为低电平，单片机2检测到休眠信号检测端口IN3的电平由高变低时，将信号输出端OUT1置为低电平，三极管5、MOS管3依次断开，电源1与设备4断开连接，设备进入休眠状态。上述实施例仅例示性说明本专利技术创造的原理及其功效，以及部分运用的实施例，而非用于限制本专利技术；应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种节能的休眠电路，其特征在于，包括一个电源和一个单片机，所述电源通过一个MOS管与设备连接，MOS管的栅极上并联有一个三极管和一个唤醒开关，唤醒开关另一端接地，MOS管的源极连接电源，源极和栅极之间连接有一个电阻，三极管的集电极连接MOS管的栅极、发射极接地、基极与单片机的一个信号输出端连接，单片机的电源输入端通过一个降压电阻连接到MOS管的漏极，单片机的一个信号输入端子连接在唤醒开关与MOS管栅极之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种节能的休眠电路，其特征在于，包括一个电源和一个单片机，所述电源通过一个MOS管与设备连接，MOS管的栅极上并联有一个三极管和一个唤醒开关，唤醒开关另一端接地，MOS管的源极连接电源，源极和栅极之间连接有一个电阻，三极管的集电极连接MOS管的栅极、发射极接地、基极与单片机的一个信号输出端连接，单片机的电源输入端通过一个降压电阻连接到MOS管的漏极，单片机的一个信号输入端子连接在唤醒开关与MOS管栅极之间。


2.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱祥祯，
申请(专利权)人：苏州畅美智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32