本发明专利技术涉及有机电致发光器件领域，公开了一种含稠杂环结构的化合物及其应用和一种有机电致发光器件，该化合物具有式(I)所示的通式结构，本发明专利技术提供的前述化合物具有较高的玻璃化转变温度、分解温度及高折射率，应用于器件上的覆盖层时，能够提高阴极的光取出效率，进而提高了器件的发光效率及使用寿命。
【技术实现步骤摘要】
一种含稠杂环结构的化合物及其应用和一种有机电致发光器件
本专利技术涉及有机电致发光器件领域，具体涉及一种含稠杂环结构的化合物、该含稠杂环结构的化合物在有机电致发光器件中的应用、一种含稠杂环结构的化合物的有机电致发光器件。
技术介绍
有机电致发光现象是1963年Pope等人最早发现的，他们发现蒽的单层晶体在高达400V以上电压的驱动下，可以发出微弱的蓝光，但驱动电压高，单晶蒽厚度大，因此没有引起人们的广泛关注。直到1987年柯达公司的邓青云博士等人报道了基于荧光效率高、电子传输性好的8-羟基喹啉铝和空穴传输性良好的芳香二胺两种有机半导体材料，通过真空热蒸镀制备了器件为三明治型的OLED，在驱动电压小于10V的器件亮度达到1000cd/m2，外量子效率达到了1％，使得有机电致发光材料及器件具有了实用性的可能，从此大大推动了OLED材料及器件的研究。有机发光二极管按照出光方式分为底发射器件和顶发射器件，底发射器件所采用的阳极是透明的，一般是透明的铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)通过溅射的方式生长在透明的玻璃基板上形成透明的阳极，再将各有机功能材料通过蒸镀或其他的制备方式依次生长在透明阳极上，在选择合适的阴极制备成有机电致发光器件，发光层发出的光通过ITO和玻璃基本发射出来。采用底发射的方式制备显示屏，由于驱动电压和显示区域要同时制作在玻璃基板上，导致显示区域的面积相对减少，进而导致显示屏的开口率降低。与底发射器件比，顶发射器件由于本身的特点，光从顶部电极射出，在有源驱动OLED中，像素驱动电路、总线等可以制作在显示区域的下方，显示区域面积相对增大，显示屏的开口率增加。由于顶发射器件制作的显示屏具有分辨率高、信息含量高等优点，这都使得顶发射有机电致发光器件受到越来越多的关注，成为研究的热点。对于顶发射OLED器件，光需要通过半透明的金属阴极射出，半透明的金属电极的厚度不但影响电极的导电性也极大地影响着光的透光率、反射率及光的吸收率，厚度太薄影响电极的导电率，厚度太厚则影响光的透过率。早在20世纪60年代，就发现金属薄层的光透过率可以通过在金属薄层表面覆盖介电层物质来实现提高或者降低(A.Vasicek,OpticsofThinFilms,North-Holland,Amsterdam,1960)。2001年柯达的研究者将此现象应用在OLED器件中，发现通过在金属阴极表面溅射一层高折射率的无机材料可使半透明阴极的光透过率从没有使用覆盖层材料的30％左右，提高到75％左右，这就大大提高了OLED器件的光取出性能(Hungetal.Appl.Phys.Lett.,2001,78,544)，从中可以发现具有高折射率的介电覆盖层材料能够有效的减少光能在光学元件表面的反射，从而提高半透明金属电极的光透过率。另外，表1中列举了光透过率与覆盖层(CPL)的折射率的关系。表1CPL材料折射率厚度(nm)光透过率(％)无----30.4MgF21.3868.249.2SiO21.4663.452.0MgOorAlq1.7050.960.1ITO1.9541.566.6ZnO2.1037.070.0TiO22.3930.375.0目前，OLED器件或屏体仍然存在驱动电压高、使用寿命短、电流效率和亮度均低的缺陷，为了改善这些缺陷，一方面器件结构需要进一步优化，另一方面也需要改进各功能层及发光材料的性能，其中，CPL材料可提高阴极的透过率，从而提高了器件的发光效率。因此，开发新型的CPL材料具有十分重要的意义。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了提供一种具有较高的玻璃化转变温度、分解温度及高折射率的含稠杂环结构的化合物，以期解决实现含有该化合物的器件具有优异的发光效率及更长的使用寿命。为了实现上述目的，本专利技术的第一方面提供一种含稠杂环结构的化合物，该化合物具有式(I)所示的通式结构，其中，在式(I)中，X1选自S、O和Se；X2为S或O；L1不存在，或者L1选自苯基、萘基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。本专利技术的第二方面提供前述化合物在有机电致发光器件中的应用。本专利技术的第三方面提供一种含有前述化合物的有机电致发光器件，其中，所述化合物存在于该有机电致发光器件的电子注入层、电子传输层和覆盖层的至少一层中。本专利技术提供的前述化合物具有较高的玻璃化转变温度、分解温度及高折射率，应用于器件上的覆盖层时，能够提高阴极的光取出效率，进而提高了器件的发光效率及使用寿命。具体实施方式在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。如前所述，本专利技术的第一方面提供了一种含稠杂环结构的化合物，该化合物具有式(I)所示的通式结构，其中，在式(I)中，X1选自S、O和Se；X2为S或O；L1不存在，或者L1选自苯基、萘基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。以下针对本专利技术所述含稠杂环结构的化合物提供几种优选的具体实施方式。具体实施方式1：在式(I)中，X1选自S、O和Se；X2为S或O；L1不存在，或者L1选自式(I1)所示的苯基、式(I2)所示的苯基、式(I3)所示的萘基、式(I4)所示的萘基、式(I5)所示的二苯并呋喃基和式(I6)所示的二苯并噻吩基，具体实施方式2：在式(I)中，X1为S；X2为S或O；L1不存在，或者L1选自式(I1)所示的苯基、式(I2)所示的苯基、式(I3)所示的萘基、式(I4)所示的萘基、式(I5)所示的二苯并呋喃基和式(I6)所示的二苯并噻吩基，具体实施方式3：在式(I)中，X1为O；X2为S或O；L1不存在，或者L1选自式(I1)所示的苯基、式(I2)所示的苯基、式(I3)所示的萘基、式(I4)所示的萘基、式(I5)所示的二苯并呋喃基和式(I6)所示的二苯并噻吩基，具体实施方式4：在式(I)中，X1为Se；X2为S或O；L1不存在，或者L1选自式(I1)所示的苯基、式(I2)所示的苯基、式(I3)所示的萘基、式(I4)所示的萘基、式(I5)所示本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种含稠杂环结构的化合物，其特征在于，该化合物具有式(I)所示的通式结构，/n
【技术特征摘要】
20191031 CN 201911053855X1.一种含稠杂环结构的化合物，其特征在于，该化合物具有式(I)所示的通式结构，
其中，在式(I)中，
X1选自S、O和Se；
X2为S或O；
L1不存在，或者L1选自苯基、萘基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。
2.根据权利要求1所述的化合物，其中，在式(I)中，
X1选自S、O和Se；
X2为S或O；
L1不存在，或者L1选自式(I1)所示的苯基、式(I2)所示的苯基、式(I3)所示的萘基、式(I4)所示的萘基、式(I5)所示的二苯并呋喃基和式(I6)所示的二苯并噻吩基，
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中，在式(I)中，
X1为S；
X2为S或O；
L1不存在，或者L1选自式(I1)所示的苯基、式(I2)所示的苯基、式(I3)所示的萘基、式(I4)所示的萘基、式(I5)所示的二苯并呋喃基和式(I6)所示的二苯并噻吩基，
4.根据权利要求1或2所述的化合物，其中，在式(I)中，
X1为O；
X2为S或O；
L1不存在，或者L1选自式(I1)所示的苯基、式(I2)所示的苯基、式(I3)所示的萘基、式(I4)所示的萘基、式(I5)所示的二苯并呋喃基和式(I6)所示的二苯并噻吩基，
5.根据权利要求1或...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕瑶，冯美娟，吴卫娜，范洪涛，
申请(专利权)人：北京绿人科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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