一种化合物及其应用制造技术

本发明专利技术涉及一种化合物及其应用，所述化合物具有式I所示的结构。所述化合物以喹喔啉并三氮唑为母核，使化合物具有更强的缺电子性能，因此有利于电子的注入。同时，本发明专利技术的母核为大共轭结构的缺电子基团，使分子具有良好的平面共轭性，从而有利于提高电子的迁移率。本发明专利技术的化合物用作有机电致发光器件中的电子传输材料时，可以有效提升器件的电子注入和迁移效率，从而确保器件获得较高的发光效率以及较低的驱动电压。

【技术实现步骤摘要】
一种化合物及其应用
本专利技术涉及有机电致发光
，特别涉及一种化合物及其应用。
技术介绍
有机电致发光(OLED:OrganicLightEmissionDiodes)器件是一类具有类三明治结构的器件，包括正负电极膜层及夹在电极膜层之间的有机功能材料层。对OLED器件的电极施加电压，正电荷从正极注入，负电荷从负极注入，在电场作用下正负电荷在有机层中迁移相遇复合发光。由于OLED器件具有亮度高、响应快、视角宽、工艺简单、可柔性化等优点，在新型显示
和新型照明
备受关注。目前，该技术已被广泛应用于新型照明灯具、智能手机及平板电脑等产品的显示面板，进一步还将向电视等大尺寸显示产品应用领域扩展，是一种发展快、技术要求高的新型显示技术。随着OLED在照明和显示两大领域的不断推进，人们对于其核心材料的研究也更加关注。这是因为一个效率好、寿命长的OLED器件通常是器件结构以及各种有机材料的优化搭配的结果，这就为化学家们设计开发各种结构的功能化材料提供了极大的机遇和挑战。常见的功能化有机材料有：空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、电子注入材料、电子传输材料，电子阻挡材料以及发光主体材料和发光客体(染料)等。为了制备驱动电压更低、发光效率更好、器件使用寿命更长的OLED发光器件，实现OLED器件的性能不断提升，不仅需要对OLED器件结构和制作工艺进行创新，更需要对OLED器件中的光电功能材料不断研究和创新，以制备出具有更高性能的功能材料。基于此，OLED材料界一直致力于开发新的有机电致发光材料以实现器件低启动电压、高发光效率和更优的使用寿命。为了进一步满足对OLED器件的光电性能不断提升的需求，以及移动化电子器件对于节能的需求，需要不断地开发新型的、高效的OLED材料，其中开发新的具有高电子注入能力和高迁移率的电子传输材料具有很重要的意义。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种化合物，所述化合物具有高电子注入能力和高迁移率。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：本专利技术提供一种化合物，所述化合物具有式I所示的结构；式I中，所述L1和L2各自独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30(例如C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等)亚芳基或者取代或未取代的C3～C30(例如C4、C6、C8、C12、C15、C18、C20、C23、C25、C28等)亚杂芳基中的任意一种；式I中，所述Ar1和Ar2各自独立地选自取代或未取代的C6～C30(例如C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等)芳基或者取代或未取代的C3～C30(例如C4、C6、C8、C12、C15、C18、C20、C23、C25、C28等)杂芳基；式I中，所述R选自卤素、取代或未取代的C1～C12(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等)链状烷基、取代或未取代的C3～C12(例如C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等)环烷基、取代或未取代的C6～C30(例如C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等)芳基或者取代或未取代的C3～C30(例如C4、C6、C8、C12、C15、C18、C20、C23、C25、C28等)杂芳基中的任意一种；式I中，所述m和p各自独立地为0或1，且所述m和p不同时为0；式I中，所述n为0～4的整数，例如1、2和3等；当上述基团存在取代基时，所述取代基选自卤素、氰基、硝基、C1～C12(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等)链状烷基、C3～C12(例如C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等)环烷基、C1～C6(例如C2、C3、C4、C5等)烷氧基、C1～C6(例如C2、C3、C4、C5等)硫代烷氧基、C6～C30(例如C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等)芳基氨基、C3～C30(例如C4、C6、C8、C12、C15、C18、C20、C23、C25、C28等)杂芳基氨基、C6～C30(例如C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等)单环芳基、C10～C30(例如C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等)稠环芳基、C3～C30(例如C4、C6、C8、C12、C15、C18、C20、C23、C25、C28等)单环杂芳基、C6～C30(例如C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28等)稠环杂芳基中的一种或者至少两种的组合。所述取代基可以是一个，也可以是两个及以上，当含有两个及以上取代基时，可以选择不同基团的组合。本专利技术中，杂芳基的杂原子，通常指选自N、O、S。本专利技术中，“—”划过的环结构的表达方式，表示连接位点于该环结构上任意能够成键的位置。本专利技术提供了一种新型的化合物，其含有特定结构的母核(喹喔啉并三氮唑，)，相较于单个的喹喔啉、咪唑、三氮唑、嘧啶等结构，该母核的引入使化合物具有更强的缺电子性能，因此有利于电子的注入。同时，本专利技术的母核为大共轭结构的缺电子基团，使分子具有良好的平面共轭性，从而有利于提高电子的迁移率。将本专利技术的化合物用作有机电致发光器件中的电子传输材料时，可以有效提升器件的电子注入和迁移效率，从而确保器件获得较高的发光效率以及较低的驱动电压。优选地，m+p＝2。优选地，所述n为0或1。优选地，所述化合物具有式II所示的结构；式II中，所述L1、L2、Ar1、Ar2、R、m、p和n均具有与式I相同的意义。优选地，所述化合物具有式III所示的结构；式III中，所述L1、L2、Ar1、Ar2、R和n均具有与式I相同的意义。优选地，所述化合物具有式IV所示的结构；式IV中，所述L1、L2、Ar1和Ar2均具有与式I相同的意义。优选地，所述Ar1和Ar2各自独立地选自取代或未取代的如下基团中的任意一种：其中，虚线代表基团的连接位点。优选地，所述Ar1和Ar2中至少有一项选自缺电子基团，优选所述Ar1和Ar2中有且仅有一项选自缺电子基团。本说明书中的“缺电子取代基”是指该基团取代苯环上的氢后，苯环上的电子云密度降低的基团，通常这样的基团的哈米特值大于0.6。所述哈米特值是指对特定基团电荷亲和力的表征，是吸电子基团(正哈米特值)或给电子基团(负哈米特值)的度量。在ThomasH.Lowry和KatheleenSchuellerRichardson,“MechanismandTheoryInOrganicChemistry’,NewYork,1987,143-151页中更详细描述了哈米特方程，此处引作参考。这样的基团可以列举但不限于：三嗪基、嘧啶基、苯并嘧啶基、苯并吡啶基、二氮杂萘基、二氮杂菲基、吡嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、哒嗪基，以及烷基或芳基取代的上述基团。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有式I所示的结构；/n

【技术特征摘要】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有式I所示的结构；



式I中，所述L1和L2各自独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基或者取代或未取代的C3～C30亚杂芳基中的任意一种；
式I中，所述Ar1和Ar2各自独立地选自取代或未取代的C6～C30芳基或者取代或未取代的C3～C30杂芳基；
式I中，所述R选自卤素、取代或未取代的C1～C12链状烷基、取代或未取代的C3～C12环烷基、取代或未取代的C6～C30芳基或者取代或未取代的C3～C30杂芳基中的任意一种；
式I中，所述m和p各自独立地为0或1，且所述m和p不同时为0；
式I中，所述n为0～4的整数；
当上述基团存在取代基时，所述取代基选自卤素、氰基、硝基、C1～C12链状烷基、C3～C12环烷基、C1～C6烷氧基、C1～C6硫代烷氧基、C6～C30芳基氨基、C3～C30杂芳基氨基、C6～C30单环芳基、C10～C30稠环芳基、C3～C30单环杂芳基或C6～C30稠环杂芳基中的一种或者至少两种的组合。


2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，m+p＝2。


3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述n为0或1。


4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物具有式II所示的结构；



式II中，所述L1、L2、Ar1、Ar2、R、m、p和n均具有与权利要求1相同的限定范围。


5.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物具有式III所示的结构；



式III中，所述L1、L2、Ar1、Ar2、R和n均具有与权利要求1相同的限定范围。


6.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物具有式IV所示的结构；



式IV中，所述L1、L2、Ar1和Ar2均具有与权利要求1相同的限定范围。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的化合物，其特征在于，所述Ar1和Ar2各自独立地选自取代或未取代的如下基团...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙恩涛，刘叔尧，方仁杰，吴俊宇，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11