一种利于花卉生长的种植装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及花卉种植设备技术领域，具体为一种利于花卉生长的种植装置，包括种植盆，种植盆包括外盆、内盆、充分渗透机构，内盆上部外围套设有充分渗透机构，充分渗透机构包括内筒，内筒外围自上而下一次设有第一渗透环、第二渗透环、第三渗透环、第四渗透环，内盆表面设有呼吸孔。本实用新型专利技术通过在内盆外围套设有充分渗透机构，使得水肥从第一渗透环进入后，会逐步细化的渐渐的通过第二渗透环、第三渗透环、第四渗透环进入到下方，然后再经过内盆表面的呼吸孔进行充分吸收，根系每一个部位都吸收到了，有效的避免了水肥快速通过根系无法充分吸收的问题，有利于花卉生长。

【技术实现步骤摘要】
一种利于花卉生长的种植装置
本技术涉及花卉种植设备
，特别涉及一种利于花卉生长的种植装置。
技术介绍
花卉种植过程中，水肥吸收是花卉生长非常重要的一个环节，但是，现有技术中，由于消费者在购买花卉后大多不具备专业的种植知识，使得花卉在水肥过程中根部对水肥的吸收不彻底，水肥很轻易的通过花盆从底部流出。
技术实现思路
为了弥补以上不足，本技术提供了一种利于花卉生长的种植装置。本技术的技术方案是：包括种植盆，其特征在于：所述种植盆包括外盆、内盆、充分渗透机构，所述内盆上部外围套设有充分渗透机构，所述充分渗透机构包括内筒，所述内筒外围自上而下一次设有第一渗透环、第二渗透环、第三渗透环、第四渗透环，所述第一渗透环、第二渗透环、第三渗透环、第四渗透环表面的通孔直径逐步缩小，所述内盆表面设有呼吸孔。作为优选的技术方案，所述第一渗透环表面通孔的孔径为1-2cm。作为优选的技术方案，所述第二渗透环表面通孔的孔径为0.5-0.7mm。作为优选的技术方案，所述第三渗透环表面通孔的孔径为0.1-0.3mm。作为优选的技术方案，所述第四渗透环表面通孔的孔径为0.05-0.08mm。作为优选的技术方案，所述呼吸孔的孔径为0.5-1mm。与现有技术相比，本技术的有益效果是：通过在内盆外围套设有充分渗透机构，使得水肥从第一渗透环进入后，会逐步细化的渐渐的通过第二渗透环、第三渗透环、第四渗透环进入到下方，然后再经过内盆表面的呼吸孔进行充分吸收，根系每一个部位都吸收到了，有效的避免了水肥快速通过根系无法充分吸收的问题，有利于花卉生长。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为本技术的内盆结构示意图；图3为本技术充分渗透机构的结构示意图。图中，1-种植盆，2-外盆，3-内盆，31-呼吸孔，4-充分渗透机构，41-内筒，42-第一渗透环，43-第二渗透环，44-第三渗透环，45-第四渗透环。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。本技术涉及的(电器件、电子元器件、电路及电源模块、功能、算法、方法)等仅仅是现有技术的常规适应性应用。因此，本技术是对现有技术的改进，实质是在结构上的改进，而非针对(电器件、电子元器件、电路及电源模块、功能、算法、方法)本身提出的改进，也即，本技术虽然涉及一点(电器件、电子元器件、电路及电源模块、功能、算法、方法)，但并不包含对(电器件、电子元器件、电路及电源模块、功能、算法、方法)本身所提出的改进本技术对于(电器件、电子元器件、电路及电源模块、功能、算法、方法)的描述，是为了更好的说明本技术，以便更好的理解本技术。请参阅图1-3，本技术提供一种技术方案：一种利于花卉生长的种植装置，包括种植盆1，种植盆1包括外盆2、内盆3、充分渗透机构4，内盆2上部外围套设有充分渗透机构4，充分渗透机构4包括内筒41，内筒41外围自上而下一次设有第一渗透环42、第二渗透环43、第三渗透环44、第四渗透环45，第一渗透环42、第二渗透环43、第三渗透环44、第四渗透环45表面的通孔直径逐步缩小，内盆3表面设有呼吸孔31。本实施例中，第一渗透环42表面通孔的孔径为1-2cm。本实施例中，第二渗透环43表面通孔的孔径为0.5-0.7mm。本实施例中，第三渗透环44表面通孔的孔径为0.1-0.3mm。本实施例中，第四渗透环45表面通孔的孔径为0.05-0.08mm。本实施例中，呼吸孔31的孔径为0.5-1mm。本技术的种植装置在使用时，通过在内盆3外围套设有充分渗透机构4，使得水肥从第一渗透环42进入后，会逐步细化的渐渐的通过第二渗透环43、第三渗透环44、第四渗透环45进入到下方，然后再经过内盆3表面的呼吸孔31进行充分吸收，根系每一个部位都吸收到了，有效的避免了水肥快速通过根系无法充分吸收的问题，有利于花卉生长。以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本技术的优选例，并不用来限制本技术，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利于花卉生长的种植装置，包括种植盆(1)，其特征在于：所述种植盆(1)包括外盆(2)、内盆(3)、充分渗透机构(4)，所述内盆(3)上部外围套设有充分渗透机构(4)，所述充分渗透机构(4)包括内筒(41)，所述内筒(41)外围自上而下一次设有第一渗透环(42)、第二渗透环(43)、第三渗透环(44)、第四渗透环(45)，所述第一渗透环(42)、第二渗透环(43)、第三渗透环(44)、第四渗透环(45)表面的通孔直径逐步缩小，所述内盆(3)表面设有呼吸孔(31)。/n

【技术特征摘要】
1.一种利于花卉生长的种植装置，包括种植盆(1)，其特征在于：所述种植盆(1)包括外盆(2)、内盆(3)、充分渗透机构(4)，所述内盆(3)上部外围套设有充分渗透机构(4)，所述充分渗透机构(4)包括内筒(41)，所述内筒(41)外围自上而下一次设有第一渗透环(42)、第二渗透环(43)、第三渗透环(44)、第四渗透环(45)，所述第一渗透环(42)、第二渗透环(43)、第三渗透环(44)、第四渗透环(45)表面的通孔直径逐步缩小，所述内盆(3)表面设有呼吸孔(31)。


2.根据权利要求1所述的利于花卉生长的种植装置，其特征在于：所述第一渗透环(42)表...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵娅红，陈志星，刘敏荣，薛建平，余磊，
申请(专利权)人：开远天华生物产业有限公司，昆明虹之华园艺有限公司，昆明学院，海南虹华园艺有限公司，
类型：新型
国别省市：云南;53