本实用新型专利技术涉及电路保护技术领域，且公开了一种可以实现漏电保护的电路，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、保护芯片、可控硅SCR、和零电流互感器ZCL，该可以实现漏电保护的电路芯片，即为用于高速对地漏电保护器的半导体集成电路，电路芯片用于漏电保护器的信号放大，由全桥整流电路、放大器，闩锁电路和稳压电路组成。零电流互感器ZCT检测漏电，其次级输出作为放大器的输入，放大器的输出连接到闩锁电路的输入端，在闩锁电路的输入端电压达到规定值前，闩锁电路输出一直保持低电平，当漏电流大于规定值，放大器的输出变高，触发与闩锁电路相连的可控硅。硅。硅。
【技术实现步骤摘要】
一种可以实现漏电保护的电路芯片
[0001]本技术涉及电路保护
，具体为一种可以实现漏电保护的电路芯片。
技术介绍
[0002]漏电是由于绝缘损坏或其他原因而引起的电流泄漏，电器外壳和市电火线间由于某种原因连通后和地之间有一定的电位差就会产生漏电，随着漏电断路器使用推广及人民生活水平提高，家用电器等设备增加，而家用电器普遍存在感性负载和容性负载。
[0003]但是这些负载外围复杂，成本高，电路需要的静态功耗较大，导致阻容降压所用电阻的功耗较大，发热严重，对此我们提出了一种可以实现漏电保护的电路芯片，利用内部集成全桥整流模块，可以构成超低静态功耗的漏电保护电路，可以使电路的防护更安全。
技术实现思路
[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本技术提供了一种可以实现漏电保护的电路芯片，具备内部集成全桥整流模块，构成超低静态功耗的漏电保护电路等优点，解决了外围复杂，成本高，电路需要的静态功耗较大，导致阻容降压所用电阻的功耗较大，发热严重的问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现上述内部集成全桥整流模块，构成超低静态功耗的漏电保护电路目的，本技术提供如下技术方案：一种可以实现漏电保护的电路，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、保护芯片、可控硅SCR、和零电流互感器ZCL，其特征在于：所述可控硅SCR 的阳极与继电器线圈S电连接，所述继电器线圈与电压开关构成继电器，所述继电器线圈S的另一端与交流电压的火线电连接，所述零电流互感器ZCT 的一端与电阻R3电连接，所述零电流互感器ZCT的另一端与电阻R4电连接，所述电阻R4与电连接有电阻R2，所述电阻R2电连接有R3，所述电阻R3与电容C2电连接，所述可控硅SCR阴极与交流电压的零线电连接，所述可控硅 SCR阴极与电容C4电连接，所述交流电压的火线与电阻R1电连接，所述电阻 R1另一端与芯片PIN8引脚电连接，所述全桥整流的二号输出脚与芯片PIN3 引脚电连接，所述全桥整流的四号输出脚与稳压器电连接，所述稳压器输出端电连接有参考电压，所述稳压器电连接有芯片PIN3引脚，所述参考电压输出端电连接有放大器正输入端，所述参考电压电连接有芯片PIN3引脚，所述放大器正输入端电连接有芯片PIN1引脚，所述放大器负输入端电连接有芯片 PIN2引脚，所述放大器输出端电连接有锁存器输入端，所述锁存器电连接有稳压器输出端，所述锁存器的输出端电连接有PIN5引脚，所述PIN5引脚与电容C4电连接，所述PIN5引脚与可控硅的栅极电连接，所述放大器的输出端电连接有PIN4引脚，所述PIN4引脚电连接有电容C3，所述全桥整流的四号输出端电连接有PIN7引脚，所述PIN7引脚与电容C1电连接，所述全桥整流的三号输入端电连接有PIN6引脚，所述全桥整流的PIN8引脚和PIN6引脚功能对称，引脚可以互换使用，所述全桥整流的一号输入端电连接有PIN8引脚。
[0008]优选的，所述保护芯片的内部电连接有全桥整流电路、稳压器，参考电压，放大器，锁存器，构成了漏电保护电力路的半导体集成电路。
[0009]优选的，所述稳压器与芯片电源端引脚电连接，所述稳压器与地线GND 引脚相连，保证电路的稳定以及电路的安全。
[0010]优选的，所述放大器的正输入端与参考电压引脚电连接，所述放大器的负输入端极与PIN2引脚电连接，所述放大器的输出端与PIN4引脚电连接，放大器信号进行放大处理，保证检测的准确性。
[0011]优选的，所述锁存器与稳压器的输出端电连接，所述锁存器与PIN3电连接，确保电流信号可以依次进行传递，在漏电的情况下锁存器可以给可控硅 SCR进行信号传递，确保漏电防护的安全性。
[0012]优选的，所述零电流互感器ZCL的一端与电阻R3电连接，另一端线头与 R4电连接，零电流互感器ZCT可以检测漏电，其次级输出作为放大器的输入，放大器的输出连接到闩锁电路的输入端，在闩锁电路的输入端电压达到规定值前，拴锁电路输出一直保持低电平，当漏电流大于规定值，放大器的输出变高，触发与闩锁电路相连的可控硅。
[0013]优选的，所述可控硅SCR的阳极与继电器线圈S电连接，所述继电器线圈与电压开关构成继电器，保证电压的安全传输，保证电路的安全。
[0014](三)有益效果
[0015]与现有技术相比，本技术提供了一种可以实现漏电保护的电路芯片，具备以下有益效果：
[0016]1、该可以实现漏电保护的电路芯片，通过全桥漏电保护专用电路，即为用于高速对地漏电保护器的半导体集成电路，电路芯片用于漏电保护器的信号放大部分，由内置全桥模块，放大器，闩锁电路和稳压电路组成，交流电经R1电阻传导至全桥整流模块，经整流后给电路内部提供一个直流电压源，该电压源为内部参考电压模块供电，产生稳定的供电电源，从而达到了内部集成全桥整流模块的效果。
[0017]2、该可以实现漏电保护的电路芯片，通过零电流互感器ZCT检测漏电，其次级输出作为放大器的输入，放大器的输出连接到闩锁电路的输入端，在输入电压达到规定值前，闩锁电路输出一直保持低电平关闭状态，当漏电流大于规定值，放大器的输出对C3电容开始充电，电压升高至闩锁电路的阈值时，触发与闩锁电路的锁存功能，同时驱动相连的可控硅，从而达到了超低静态功耗的漏电保护电路的效果。
附图说明
[0018]图1为全桥漏电保护专用电路图。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术的实施例及附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]请参阅图1，一种可以实现漏电保护的电路，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、
电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、保护芯片：所述保护芯片的内部电连接有全桥整流、稳压器：所述全桥整流输出与稳压器的输入端、电容C1电连接，电容C1作为储能电容给电路供电，参考电压，放大器：所述放大器的正输入端与参考电压引脚电连接，所述放大器的负输入端极与 PIN2引脚电连接，所述放大器的输出端与PIN4引脚电连接，放大器把漏电信号进行放大处理，保证检测的准确性，锁存器，所述锁存器的输入端与PIN4 引脚电连接，所述锁存器输出与电路PIN5脚电连接，PIN5脚外电连接可控硅的控制极，确保电流信号可以依次进行传递，在漏电的情况下锁存器可以给可控硅SCR进行信号传递，确保漏电防护的安全性，上述功能构成了漏电保护电路的半导体集成电路，所述可控硅SCR的阳极与继电器线圈S电连接，所述继电器线圈与电压开关构成继电器，所述继电器线圈S的另一端与交流电压的火线电连接，所述零电流互感器ZCT的一端与电阻R3电连接，所述零电流互感器ZCT的另一端与电阻R本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可以实现漏电保护的电路芯片，包括电阻 R1、电阻 R2、电阻 R3、电阻 R4、电容 C1、电容 C2、电容 C3、电容 C4、保护芯片、可控硅 SCR、和零电流互感器 ZCL，其特征在于：所述保护芯片的内部电连接有全桥整流电路、稳压器，参考电压，放大器，锁存器，所述可控硅 SCR 的阳极与继电器线圈 S 电连接，所述继电器线圈与电压开关构成继电器，所述继电器线圈 S 的另一端与交流电压的火线电连接，所述零电流互感器 ZCT 的一端与电阻 R3 电连接，所述零电流互感器 ZCT 的另一端与电阻 R4 电连接，所述电阻 R4 与电连接有电阻 R2，所述电阻 R2 电连接有 R3，所述电阻 R3 与电容 C2 电连接，所述可控硅 SCR 阴极与交流电压的零线电连接，所述可控硅 SCR 阴极与电容 C4 电连接，所述交流电压的火线与电阻 R1 电连接，所述电阻 R1 另一端与芯片 PIN8 引脚电连接，所述全桥整流的二号输出脚与芯片 PIN3 引脚电连接，所述全桥整流的四号输出脚与稳压器电连接，所述稳压器输出端电连接有参考电压，所述稳压器电连接有芯片 PIN3 引脚，所述参考电压输出端电连接有放大器正输入端，所述参考电压电连接有芯片 PIN3 引脚，所述放大器正输入端电连接有芯片 PIN1引脚，所述放大器负输入端电连接有芯片 PIN2 引脚，所述放大器...
【专利技术属性】
技术研发人员：俞朝阳，周蓓华，祝献华，王竹妮，吴颖丽，侯颖，
申请(专利权)人：杭州百隆电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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