光罩、阵列基板的制备方法与显示面板技术

本申请公开了一种光罩、阵列基板的制备方法与显示面板，所述光罩包括：第一导电部光罩走线，第二导电部光罩走线，与所述第一导电部光罩走线间隔设置，桥接走线，所述桥接走线的两端分别连接于所述第一导电部光罩走线与第二导电部光罩走线，且，所述桥接走线的宽度小于预设宽度。通过增设所述桥接走线，为静电释放提供通道，从而避免了第一导电部光罩走线与第二导电部光罩走线之间因间距过小而产生静电击伤，进而导致所形成图案异常的风险，以提升所制备的阵列基板以及显示面板的良率。升所制备的阵列基板以及显示面板的良率。升所制备的阵列基板以及显示面板的良率。

【技术实现步骤摘要】
光罩、阵列基板的制备方法与显示面板


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种光罩、阵列基板的制备方法与显示面板。

技术介绍

[0002]随着显示面板技术的不断发展，人们对显示质量的要求越来越高，从而导致显示面板中阵列基板的线路设计更为复杂且具有更多的跨线，特别是有效显示区外围的边框线路区，线路设计密集。与此相对应地，用于图案化工艺的光罩设计也更为复杂，图案间距过小，导致在进行曝光制程时，光罩中的窄间距区域易发生静电击伤，从而使得实际形成的图案，原本设计中需间隔的走线发生短接，导致显示面板的不良。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种光罩、阵列基板的制备方法与显示面板，可有效降低制备过程中发生静电击伤的风险，提升产品良率。
[0004]为解决上述问题，第一方面，本专利技术提供一种光罩，所述光罩包括：
[0005]第一导电部光罩走线，
[0006]第二导电部光罩走线，与所述第一导电部光罩走线间隔设置，
[0007]桥接走线，所述桥接走线的两端分别连接于所述第一导电部光罩走线与第二导电部光罩走线，且，所述桥接走线的宽度小于预设宽度。
[0008]进一步地，所述第一导电部光罩走线包括多个相互间隔的第一导电部光罩子走线，每一所述的第一导电部光罩子走线藉由至少一条所述的桥接走线与所述第二导电部光罩走线连接。
[0009]进一步地，所述桥接走线的形状为直线型、折线型或曲线型。
[0010]第二方面，本专利技术提供一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括在基板上形成导电层，其中，形成所述导电层的步骤具体包括：
[0011]S10:形成金属层；
[0012]S20:在所述对应膜层上形成光阻层；
[0013]S30:在光罩的遮蔽下，对所述光阻层进行曝光，以形成图案化的光阻层，其中，所述光罩包括：
[0014]第一导电部光罩走线，
[0015]第二导电部光罩走线，与所述第一导电部光罩走线间隔设置，
[0016]桥接走线，所述桥接走线的两端分别连接于所述第一导电部光罩走线与第二导电部光罩走线，且，所述桥接走线的宽度小于预设宽度；
[0017]S40:在所述图案化的光阻层的遮蔽下，对所述金属层蚀刻以形成导电层，所述导电层包括间隔设置的第一导电部与第二导电部；
[0018]S50：剥离去除所述图案化的光阻层。
[0019]进一步地，所述导电层为栅极金属层。
[0020]进一步地，所述导电层为源漏极金属层。
[0021]进一步地，在所述光罩中，所述第一导电部光罩走线为静电分享电极走线光罩走线，所述第二导电部光罩走线为静电环薄膜晶体管栅极光罩走线，使得所述第一导电部为静电环薄膜晶体管栅极，所述第二导电部为静电分享电极走线。
[0022]进一步地，所述静电环薄膜晶体管栅极光罩走线包括多个相互间隔的静电环薄膜晶体管栅极岛光罩走线，每一所述的静电环薄膜晶体管栅极岛光罩走线藉由至少一条所述的桥接走线与所述静电分享电极走线光罩走线连接，使得形成的所述第一导电层中的所述静电环薄膜晶体管栅极包括多个相互间隔的静电环薄膜晶体管栅极岛。
[0023]进一步地，所述光罩还包括与所述静电分享电极走线光罩走线间隔设置的外围走线光罩走线，所述外围走线光罩走线藉由所述桥接走线与所述静电分享电极走线光罩走线连接。
[0024]第三方面，本专利技术还提供了一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板由上述的阵列基板的制备方法制备而得。
[0025]有益效果：本专利技术提供了一种光罩、阵列基板的制备方法与显示面板，该光罩经特殊的结构设计，可有效降低曝光过程中，光罩发生静电击伤而导致所形成的图案异常的风险；具体地，该光罩包括相互间隔设置的第一导电部光罩走线与第二导电部光罩走线，同时还增设了桥接走线使得第一导电部光罩走线与第二导电部光罩走线相连接，为静电释放提供通道，从而有效降低了第一导电部光罩走线与第二导电部光罩走线之间因间距过小而产生静电击伤，进而导致所形成图案出现异常的风险，以提升所制备的阵列基板以及显示面板的良率。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1是本专利技术实施例提供的一种光罩的平面结构示意图。
[0028]图2是本专利技术实施例提供的另一种光罩的平面结构示意图。
[0029]图3是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制备方法中导电层的制备流程示意图。
[0030]图4是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制备方法中导电层图案化原理示意图。
[0031]图5是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制备方法的中所使用的光罩的平面结构示意图。
[0032]图6是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制备方法的中所制备的阵列基板的平面结构示意图。
[0033]图7是本专利技术实施例提供的图3中区域B1的细节放大图。
[0034]图8是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制备方法的中所使用的另一光罩的平面结构示意图。
具体实施方式
[0035]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0036]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0037]在本申请中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本专利技术，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本专利技术。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本专利技术的描述变得晦涩。因此，本专利技术并非旨在限于所示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光罩，其特征在于，所述光罩包括：第一导电部光罩走线，第二导电部光罩走线，与所述第一导电部光罩走线间隔设置，桥接走线，所述桥接走线的两端分别连接于所述第一导电部光罩走线与第二导电部光罩走线，且，所述桥接走线的宽度小于预设宽度。2.如权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述第一导电部光罩走线包括多个相互间隔的第一导电部光罩子走线，每一所述的第一导电部光罩子走线藉由至少一条所述的桥接走线与所述第二导电部光罩走线连接。3.如权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述桥接走线的形状为直线型、折线型或曲线型。4.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括在基板上形成导电层，其中，形成所述导电层的步骤具体包括：S10:形成金属层；S20:在所述对应膜层上形成光阻层；S30:在光罩的遮蔽下，对所述光阻层进行曝光，以形成图案化的光阻层，其中，所述光罩包括：第一导电部光罩走线，第二导电部光罩走线，与所述第一导电部光罩走线间隔设置，桥接走线，所述桥接走线的两端分别连接于所述第一导电部光罩走线与第二导电部光罩走线，且，所述桥接走线的宽度小于预设宽度；S40:在所述图案化的光阻层的遮蔽下，对所述金属层蚀刻以形成导电层，所述导电层包括间隔设置的第一导电部与第二导电部；S50：剥离去除所述图案化的光阻层。5.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：檀小芳，何伟，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：