一种COB封装结构制造技术

技术编号:28210474 阅读:30 留言:0更新日期:2021-04-24 14:45
本发明专利技术提供一种COB封装结构,正负极焊盘设置在线路基板上,正负极焊盘处的垂直芯片的电极放置方向相反,垂直芯片的上端电极与相邻的正装芯片上靠近垂直芯片的电极相反,垂直芯片的上端电极通过键合线与正装芯片连接,垂直芯片的下端电极通过电连接件与正极焊盘或负极焊盘连接,正装芯片通过绝缘件固定在线路基板上,正装芯片之间通过键合线连接,光转换层涂覆在芯片上,并包裹住键合线,芯片和光转换层都位于阻挡墙包围的区域内。本发明专利技术的芯片电极到线路基板的焊盘之间省去了键合线,避免出现边缘处键合线断裂的可靠性问题。保持了传统COB正装芯片封装的优点,且封装方法与现有生产工艺兼容,不需要额外的设备投入,即可实现大规模生产。大规模生产。大规模生产。

【技术实现步骤摘要】
一种COB封装结构


[0001]本专利技术涉及发光二极管(LED)封装
,尤其涉及一种COB封装结构。

技术介绍

[0002]目前发光二极管(LED)封装形式主要分为SMD、COB、CSP等,而COB具有光线柔和、线路设计简单、高成本效益、节省系统空间、高导热率、高光密度输出和高光品质等优点,其在商业照明领域的明显优势使其成为目前定向照明的主流解决方案。
[0003]COB封装,简单来说,就是将多颗LED芯片直接固定在线路基板上。对于正装芯片,利用键合线将芯片与芯片、芯片与线路板上的正负极焊盘电气连接。如图1所示,是目前最常见的COB封装结构。对于倒装芯片或者垂直芯片,需要在线路基板进行复杂的电路布线设计,而且芯片成本比较高,因此目前COB封装使用的主流芯片是正装芯片。
[0004]如图1所示的正装芯片COB封装结构,芯片与芯片之间的键合线比较短,但芯片到线路基板的焊盘上的键合线比较长,且键合线一般会被阻挡墙压着,这种情况下,键合线很容易在外力挤压下断线,或者在使用过程中被硅胶拉断。目前封装厂的办法,一是使用线径更大的键合线,但成本增加且风险仍存在;二是优化焊线线弧参数,但不能解决线弧长的根本问题;三是使用免焊线的倒装芯片。无论哪种方法,都没有从正面解决键合线断裂的可靠性问题。

技术实现思路

[0005]为了克服现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种COB封装结构,垂直芯片电极到线路基板的焊盘之间省去了键合线,从而避免出现边缘处键合线断裂的可靠性问题。
[0006]本专利技术提供一种COB封装结构,包括垂直芯片、正装芯片、线路基板、正极焊盘、负极焊盘、绝缘件、电连接件、阻挡墙、光转换层,所述正极焊盘和所述负极焊盘设置在所述线路基板上,所述垂直芯片设置在所述正极焊盘和所述负极焊盘处,设置在所述正极焊盘处的垂直芯片与设置在所述负极焊盘处理的垂直芯片的电极放置方向相反,所述垂直芯片的上端电极与相邻的所述正装芯片上靠近所述垂直芯片的电极相反,所述垂直芯片的上端电极通过键合线与所述正装芯片连接,所述垂直芯片的下端电极通过所述电连接件与所述正极焊盘或所述负极焊盘连接,所述正装芯片通过所述绝缘件固定在所述线路基板上,所述正装芯片之间通过键合线连接,所述光转换层涂覆在所述垂直芯片和所述正装芯片上,并包裹住所述键合线,所述垂直芯片、所述正装芯片和所述光转换层都位于所述阻挡墙包围的区域内。
[0007]进一步地,所述线路基板为平面基板。
[0008]进一步地,所述平面基板为Al2O3、AlN、Cu、Al或复合材料。
[0009]进一步地,所述正极焊盘和所述负极焊盘表面镀Au、镀Ag或喷Sn导电材料。
[0010]进一步地,所述光转换层为光转换材料按比例混合在硅胶里的混合体。
[0011]进一步地,所述电连接件为导电胶。
[0012]进一步地,所述绝缘件为绝缘胶。
[0013]进一步地,所述正装芯片的正极和负极分布在芯片上部的两侧,所述正装芯片的正极和负极通过键合线与相邻的芯片连接。
[0014]相比现有技术,本专利技术的有益效果在于:
[0015]本专利技术在线路基板焊盘一侧设置垂直芯片,垂直芯片使用导电胶固定在线路基板的焊盘上,通过底部电极直接与线路基板进行电气连接。芯片电极到线路基板的焊盘之间省去了键合线,从而避免出现边缘处键合线断裂的可靠性问题。该封装结构保持了传统COB正装芯片封装的优点,且其封装方法与现有生产工艺兼容,不需要额外的设备投入,即可实现大规模生产。
[0016]上述说明仅是本专利技术技术方案的概述,为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本专利技术的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
[0017]此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解,构成本申请的一部分,本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术,并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中:
[0018]图1为本专利技术
技术介绍
中的正装芯片COB封装结构;
[0019]图2为本专利技术的一种COB封装结构示意图;
[0020]图3为本专利技术的垂直芯片示意图一;
[0021]图4为本专利技术的垂直芯片示意图二;
[0022]图5为本专利技术的正装芯片示意图。
[0023]图中:1、线路基板;2、正极焊盘;3、负极焊盘;4、绝缘胶;5、导电胶;6、垂直芯片;7、光转换层;8、正装芯片;9、键合线;10、阻挡墙。
具体实施方式
[0024]下面,结合附图以及具体实施方式,对本专利技术做进一步描述,需要说明的是,在不相冲突的前提下,以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。
[0025]一种COB封装结构,如图2所示,包括垂直芯片6、正装芯片8、线路基板1、正极焊盘2、负极焊盘3、绝缘件、电连接件、阻挡墙10、光转换层7,正极焊盘2和负极焊盘3设置在线路基板1上,垂直芯片6设置在正极焊盘2和负极焊盘3处,设置在正极焊盘2处的垂直芯片6与设置在负极焊盘3处理的垂直芯片6的电极放置方向相反,垂直芯片6的上端电极与相邻的正装芯片8上靠近垂直芯片6的电极相反,垂直芯片6的上端电极通过键合线9与正装芯片8连接,垂直芯片6的下端电极通过电连接件与正极焊盘2或负极焊盘3连接,正装芯片8通过绝缘件固定在线路基板1上。正装芯片8之间通过键合线9连接,光转换层7涂覆在垂直芯片6和正装芯片8上,并包裹住键合线9,优选的,光转换层7为光转换材料按一定比例混合在硅胶里的混合体。垂直芯片6、正装芯片8和光转换层7都位于阻挡墙10包围的区域内。
[0026]在一实施例中,线路基板1为平面基板,平面基板为Al2O3、AlN、Cu、Al或复合材料等。正极焊盘2和负极焊盘3用于连接外部电源,正极焊盘2和负极焊盘3表面镀Au、镀Ag或喷
Sn等导电材料。
[0027]在一实施例中,电连接件为导电胶5,设置在正极焊盘2处的垂直芯片6通过导电胶5固定在正极焊盘2上。其中一垂直芯片6的电极结构如图3所示,电极6a,电极6b分布在垂直芯片6的上下两端,两个电极在芯片的垂直方向上,分别是正极和负极,其中,上端电极通过键合线9与正装芯片8连接,下端电极通过导电胶5与正极焊盘2连接。设置在负极焊盘3处的垂直芯片6通过导电胶5固定在负极焊盘3上,另一个垂直芯片6的电极结构如图4所示,电极6c,电极6d分布在垂直芯片6的上下两端,上端电极通过键合线9与正装芯片8连接,下端电极通过导电胶5与负极焊盘3连接。应当理解的是,设置在正极焊盘2处的垂直芯片6和设置在负极焊盘3处的垂直芯片6位于该串电路的首尾,且两者的正负电极方向相反,如果设置在正极焊盘2处的垂直芯片6的电极是上正下负,则设置在负极焊盘3处的垂直芯片6就是上负下正。
[0028]在一实施例中,绝缘件为绝缘胶4,正装芯片8通过绝缘胶4固定在线路基板1上。如图5所示,正装芯片8的正极8a和负极8本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种COB封装结构,其特征在于:包括垂直芯片、正装芯片、线路基板、正极焊盘、负极焊盘、绝缘件、电连接件、阻挡墙、光转换层,所述正极焊盘和所述负极焊盘设置在所述线路基板上,所述垂直芯片设置在所述正极焊盘和所述负极焊盘处,设置在所述正极焊盘处的垂直芯片与设置在所述负极焊盘处理的垂直芯片的电极放置方向相反,所述垂直芯片的上端电极与相邻的所述正装芯片上靠近所述垂直芯片的电极相反,所述垂直芯片的上端电极通过键合线与所述正装芯片连接,所述垂直芯片的下端电极通过所述电连接件与所述正极焊盘或所述负极焊盘连接,所述正装芯片通过所述绝缘件固定在所述线路基板上,所述正装芯片之间通过键合线连接,所述光转换层涂覆在所述垂直芯片和所述正装芯片上,并包裹住所述键合线,所述垂直芯片、所述正装芯片和所述光转换层都位于所述阻挡墙包围的区域内...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈智波董国浩夏雪松
申请(专利权)人:广州硅能照明有限公司
类型:发明
国别省市:

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