【技术实现步骤摘要】
80
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90份,Bi2O3:1
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7份,Sb2O3:5
‑
15份,Co2O3:0.5
‑
3.0份,NiO:0.2
‑
2.0份,SiO2: 0
‑
10份,MnO:0.1
‑
1.5份;
[0011](A2)将步骤(A1)制备的无机高阻釉粉料、去离子水和分散剂HDA698按照 100:(50
‑
120):(0.5
‑
2.5)的重量比例混合,所得混合浆料采用高速搅拌分散机进行预分散;
[0012](A3)经步骤(A2)分散完成后的混合浆料利用恒流泵传送至卧式砂磨机进行研磨细化,将球磨后的混合浆料过120目筛网处理并烘干,所得粉体粉碎并全部通过2次30目筛以使混合粉体均匀,即制得无机高阻层粉体;
[0013](A4)将在步骤(A3)中制得的无机高阻层粉体、浓度5wt%的PVA与分散剂 HDA698按照100:(60
‑
100):(0.5
‑
2.5)的重量比例进行混合,按照无机高阻层粉体总量的0.1
‑
0.5wt%添加消泡剂,并采用高速搅拌机进行预分散10
‑
30min;
[0014](A5)经步骤(A4)分散完成后利用恒流泵将所得浆料传送至卧式砂磨机进行研磨细化,主机转速设置为1000
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2500r/min,进料速度设置为10
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50rpm。研磨时间 0.5
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于无机高阻层与低温玻璃釉协同配合的无机绝缘涂层的制备方法,其特征在于:该方法包括如下步骤(A)
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(B):(A)无机高阻层的制备,包括如下步骤(A1)
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(A6):(A1)准备无机高阻釉粉料,所述无机高阻釉粉料按重量份数计的组成为:ZnO:80
‑
90份,Bi2O3:1
‑
7份,Sb2O3:5
‑
15份,Co2O3:0.5
‑
3.0份,NiO:0.2
‑
2.0份,SiO2:0
‑
10份,MnO:0.1
‑
1.5份;(A2)将步骤(A1)制备的无机高阻釉粉料、去离子水和分散剂HDA698按照100:(50
‑
120):(0.5
‑
2.5)的重量比例混合,所得混合浆料采用高速搅拌分散机进行预分散;(A3)经步骤(A2)分散完成后的混合浆料利用恒流泵传送至卧式砂磨机进行研磨细化,将球磨后的混合浆料过120目筛网处理并烘干,所得粉体粉碎并全部通过2次30目筛以使混合粉体均匀,即制得无机高阻层粉体;(A4)将在步骤(A3)中制得的无机高阻层粉体、浓度5wt%的PVA与分散剂HDA698按照100:(60
‑
100):(0.5
‑
2.5)的重量比例进行混合,按照无机高阻层粉体总量的0.1
‑
0.5wt%添加消泡剂,并采用高速搅拌机进行预分散;(A5)经步骤(A4)分散完成后利用恒流泵将所得浆料传送至卧式砂磨机进行研磨细化,将球磨后的浆料过120目筛网处理,即制得无机高阻釉浆料;(A6)为保证涂布表面均匀平整,采用自动喷涂设备将无机高阻釉浆料涂布在ZnO电阻片坯体侧面,涂布完成后依次采用预先设置的排胶制度和烧成制度进行热处理后,得到涂覆有无机高阻层的电阻片;(B)低温玻璃釉的制备,包括如下步骤(B1)
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(B4):(B1)准备低温玻璃釉粉料,所述低温玻璃釉粉料按重量份数计的组成为:PbO:45
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80份,ZnO:10
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35份,B2O3:3
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10份,Sb2O3:5
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15份,Co2O3:0.5
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3.0份,NiO:0.5
‑
8.0份,SiO2:0
‑
10份,Mn3O4:0.5
‑
2.0份;(B2)将步骤(B1)中的低温玻璃釉粉料、浓度0.8wt%的HEC溶液、去离子水、分散剂和消泡剂按照100:(25
‑
65):(20
‑
70):(0.2
‑
0.8):(0.1
‑
0.5)的重量比例混合,并采用高速搅拌分散机对混合浆料预分散;(B3)分散完成后的混合浆料采用卧式砂磨机进行研磨细化,将球磨后的混合浆料过120目筛网处理,制得低温玻璃釉浆料;(B4)采用自动喷涂设备将步骤(B3)制备的低温玻璃釉浆料涂布在经预热处理且涂覆有无机高阻层的电阻片上,待釉层表面干燥后,将喷涂好釉层的电阻片放入高温炉按照预置的热处理制度进行退火处理,即制得基于无机高阻层与低温玻璃釉协同配合的无机绝缘涂层。2.根据权利要求1所述的基于无机高阻层与低温玻璃釉协同配合的无机绝缘涂层的制备方法,其特征在于:步骤(A1)中,所述无机高阻釉粉料按重量份数计的组成为:ZnO:83.6
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88.2份,...
【专利技术属性】
技术研发人员:董建洪,陈伟,金鹿江,
申请(专利权)人:嘉兴瑞嘉电气股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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