一种晶片等离子CMP抛光的装置，属于抛光装置领域。本实用新型专利技术解决了现有的CMP抛光装置抛光平坦度差，操作繁琐的问题。本实用新型专利技术包括装载机构、抛光机构和加热筒，装载机构布置在抛光机构上方，加热筒安装在抛光机构上；所述装载机构包括可移动载晶片头、抽真空口、晶片旋转电机、等离子阴极片、载晶片软膜和晶片，可移动载晶片头底部安装有晶片旋转电机，晶片旋转电机上安装有等离子阴极片，载晶片软膜放置在等离子阴极片上，载晶片软膜用于放置晶片，在可移动载晶片头上开有抽真空口；所述抛光机构包括环形抛光垫、抛光垫支撑板和支撑电旋转电机，环形抛光垫放置在抛光垫支撑板上方，抛光垫支撑板的底部安装有支撑电旋转电机。机。机。
【技术实现步骤摘要】
一种晶片等离子CMP抛光的装置
[0001]本技术涉及一种晶片等离子CMP抛光的装置，属于抛光装置领域。
技术介绍
[0002]化学机械抛光技术是集成电路制造中获得全局平坦化的一种手段，这种工艺就是为了能够获得既平坦、又无划痕和杂质玷污的表面而专门设计的，CMP属于化学作用和机械作用相结合的技术，其过程相当复杂，影响因素很多，首先工件表面材料与抛光液中的氧化剂、催化剂等发生化学反应，生成一层相对容易去除的软质层，然后再抛光液中的磨料和抛光垫的机械作用下去除软质层，使工件表面重新裸露出来，然后再进行化学反应，这样在化学作用过程和机械作用过程的交替进行中完成工件表面抛光。
[0003]目前市面上现有的CMP抛光装置存在以下缺点：
[0004]1.现有的CMP抛光装置仅能进行CMP抛光，功能过于单一，并且步骤复杂，抛光后的表面平坦度光滑度不好；
[0005]2.目前现有的CMP抛光装置占用空间过大，使用起来不方便，在抛光处理时不是十分便利。
[0006]综上所述，亟需一种具有操作方便、抛光平坦度较高的晶片等离子CMP抛光装置用以解决上述问题。
技术实现思路
[0007]本技术解决了目前现有的CMP抛光装置抛光平坦度差、操作繁琐的问题，本技术公开了“一种晶片等离子CMP抛光的装置”。在下文中给出了关于本技术的简要概述，以便提供关于本技术的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本技术的穷举性概述。它并不是意图确定本技术的关键或重要部分，也不是意图限定本技术的范围。
[0008]本技术的技术方案：
[0009]一种晶片等离子CMP抛光的装置，包括装载机构、抛光机构和加热筒，装载机构布置在抛光机构上方，加热筒安装在抛光机构上；
[0010]所述装载机构包括可移动载晶片头、抽真空口、晶片旋转电机、等离子阴极片、载晶片软膜和晶片，可移动载晶片头底部安装有晶片旋转电机，晶片旋转电机上安装有等离子阴极片，载晶片软膜放置在等离子阴极片上，载晶片软膜用于放置晶片，在可移动载晶片头上开有抽真空口；
[0011]所述抛光机构包括环形抛光垫、抛光垫支撑板和支撑电旋转电机，环形抛光垫放置在抛光垫支撑板上方，抛光垫支撑板的底部安装有支撑电旋转电机。
[0012]进一步的，所述加热筒上安装有高压阳极板，加热筒的内部开有高压管。
[0013]进一步的，所述高压阳极板上开有通孔。
[0014]本技术的有益效果：
[0015]1.本技术的一种晶片等离子CMP抛光的装置，可以在完成CMP抛光的同时，在进行等离子轰击，使晶片表面的平坦度高出数倍，并且抛光处理便利；
[0016]2.本技术的一种晶片等离子CMP抛光的装置为等离子抛光机一体机装置，能实现一体化，占用空间小，使用相对方便。
附图说明
[0017]图1是一种晶片等离子CMP抛光的装置整体结构示意图；
[0018]图2是等离子产生原理示意图；
[0019]图3是高压阳极板的结构示意图；
[0020]图4是环形抛光垫结构示意图；
[0021]图5是一种晶片等离子CMP抛光的装置剖视图。
[0022]图中1
‑
可移动载晶片头，2
‑
抽真空口，3
‑
晶片旋转电机，4
‑
等离子阴极，5
‑
载晶片软膜，6
‑
晶片，7
‑
环形抛光垫，8
‑
抛光垫支撑板，9
‑
支撑垫旋转电机，10
‑
等离子高压头，11
‑
高压阳极板，12
‑
加热筒，13
‑
高压管，14
‑
装载机构，15
‑
抛光机构。
具体实施方式
[0023]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面通过附图中示出的具体实施例来描述本技术。但是应该理解，这些描述都是示例性的，而并非要限制本技术的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，避免不必要的混淆本技术的概念。
[0024]具体实施方式一：结合图1
‑
图5说明本实施方式，本实施方式的一种晶片等离子CMP抛光的装置，包括装载机构14、抛光机构15和加热筒12，装载机构14布置在抛光机构15上方，加热筒12安装在抛光机构15上；
[0025]所述装载机构14包括可移动载晶片头1、抽真空口2、晶片旋转电机3、等离子阴极片4、载晶片软膜5和晶片6，可移动载晶片头1底部安装有晶片旋转电机3，晶片旋转电机3上安装有等离子阴极片4，载晶片软膜5放置在等离子阴极片4上，载晶片软膜5用于放置晶片6，在可移动载晶片头1上开有抽真空口2；
[0026]所述抛光机构15包括环形抛光垫7、抛光垫支撑板8和支撑垫旋转电机9，环形抛光垫7放置在抛光垫支撑板8上方，抛光垫支撑板8的底部安装有支撑垫旋转电机9，等离子阴极片4固定安装在晶片旋转电机3上，载晶片软膜5和晶片6通过抽真空口2抽真空后吸附在晶片旋转电机3上，支撑垫旋转电机9的输出端与抛光垫支撑板8连接，环形抛光垫7固定安装在抛光垫支撑板8上；
[0027]具体的，所述加热筒12上安装有高压阳极板11，加热筒12的内部开有高压管13；
[0028]具体的，所述高压阳极板11上开有通孔，在高压管13中通入高压氩气，在高压管13中的高压氩气通过加热筒12的加热，以更高的速率从高压阳极板11的通孔中喷出，电子在高压阳极和阴极间，快速向阴极流动，并快速冲击在氩气上，使氩气在冲击过程产生的等离子体，并随着电子及高压气流，向阴极流动，在晶片6的表面形成等离子体对表面的抛光效果。
[0029]本技术的工作步骤：
[0030]1.首先将晶片6装在到载晶片软膜5上，同时可装在1～4片，并通过抽真空口2将晶片6表面抽真空，实现对晶片6的吸附；
[0031]2.通过可移动载晶片头1将晶片6移动到与环形抛光垫7接触，开启晶片旋转电机3和支撑垫旋转电机9使晶片6和环形抛光垫7同方向旋转；
[0032]3.在晶片6和环形抛光垫7旋转的同时，向环形抛光垫7上匀速添加磨料，磨料为KOH和BN或SiC的混合物；
[0033]4.完成晶片6的抛光后，通过移动可移动载晶片头1将晶片6与环形抛光垫7分开，在加热筒12的等离子高压头10处施加600—10KV的高电压，使高压管13中的氩气在高电压下变成等离子体，向阴极移动到晶片6上，使用等离子去表面的正负离子结合，进一步去掉晶体6的不平处，增加晶体6表面的平坦度；
[0034]5.抛光结束，去掉高压，取出晶片6，进行晶片6的另一面抛光。
[0035]本实施方式只是对本专利的示例性说明，并不限定它的保护范围，本领域技术人员还可以对其局部进行改变，只本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶片等离子CMP抛光的装置，其特征在于：包括装载机构(14)、抛光机构(15)和加热筒(12)，装载机构(14)布置在抛光机构(15)上方，加热筒(12)安装在抛光机构(15)上；所述装载机构(14)包括可移动载晶片头(1)、抽真空口(2)、晶片旋转电机(3)、等离子阴极片(4)、载晶片软膜(5)和晶片(6)，可移动载晶片头(1)底部安装有晶片旋转电机(3)，晶片旋转电机(3)上安装有等离子阴极片(4)，载晶片软膜(5)放置在等离子阴极片(4)上，载晶片软膜(5)用于放置晶片(6)，在...
【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：哈尔滨化兴软控科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。