本公开实施例提供一种设备、半导体装置及其制造方法，其中硬遮罩与一或多个蚀刻停止层在一蚀刻腔室中被蚀刻。在一实施例中，将半导体装置放在位于一第一高度的安装平台上并执行蚀刻工艺，然后将半导体装置移动到腔室内的一第二高度并执行第二蚀刻工艺，其中在移动过程中半导体装置的旋转速度被降低，以减少交叉污染的机会。污染的机会。污染的机会。
【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置的方法
[0001]本专利技术实施例涉及一种半导体制造技术，特别涉及一种去除硬遮罩和蚀刻停止层的蚀刻工艺技术。
技术介绍
[0002]半导体装置使用于各种电子应用中，举例来说，例如个人电脑、手机、数码相机以及其他电子设备。半导体装置的制造一般是通过在半导体基板上按序地沉积绝缘或介电层、导电层和半导体层的材料，并使用光刻和蚀刻工艺将各种材料层图案化，以在其上形成电路组件和元件。
[0003]半导体工业通过持续降低最小特征(feature)尺寸，以持续改善各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻、电容等等)的集成密度，使得更多的组件可集成于既定面积中。然而，随着最小特征尺寸的缩小，所使用的每个工艺中都会出现额外的问题，而这些额外的问题需要被解决。
技术实现思路
[0004]本公开一些实施例提供一种制造半导体装置的方法，包括在一半导体基板上方沉积一蚀刻停止层。所述方法还包括在蚀刻停止层上方沉积一介电层。所述方法还包括在蚀刻停止层上方沉积一硬遮罩(hard mask)层。所述方法还包括使用硬遮罩层对介电层进行图案化，并暴露蚀刻停止层。所述方法还包括施加一第一蚀刻剂以去除硬遮罩层。此外，所述方法包括施加一第二蚀刻剂以去除蚀刻停止层的一部分，其中施加第一蚀刻剂和施加第二蚀刻剂是在同一蚀刻腔室中进行。
[0005]本公开一些实施例提供一种制造半导体装置的方法，包括将一半导体基板放在位于一第一位置的一安装平台上，所述第一位置具有一第一高度。所述方法还包括在安装平台上方分配一第一蚀刻剂，以去除半导体基板上方的一硬遮罩层的至少一部分。所述方法还包括移动安装平台到一第二位置，所述第二位置具有不同于第一高度的一第二高度。此外，所述方法包括在安装平台上方分配一第二蚀刻剂，以去除半导体基板上方的一蚀刻停止层的至少一部分，其中蚀刻停止层通过一介电层与硬遮罩层分开。
[0006]本公开一些实施例提供一种制造半导体装置的方法，包括在一半导体基板上方分配一第一蚀刻剂，以蚀刻半导体基板上方的一硬遮罩层或一蚀刻停止层中的一者，其中在半导体基板以一第一速度转动时，在一第一蚀刻腔室中分配第一蚀刻剂。所述方法还包括将第一速度降低到一第二速度。所述方法还包括在半导体基板以第二速度转动时，调整在第一蚀刻腔室中的半导体基板的高度。所述方法还包括将第二速度提高到一第三速度。此外，所述方法包括在第一蚀刻腔室中的半导体基板的上方分配一第二蚀刻剂，以蚀刻硬遮罩层或蚀刻停止层中的另一者，其中在半导体基板以第三速度转动时，分配第二蚀刻剂。
附图说明
[0007]图1示出根据一些实施例的介电层的图案化。
[0008]第2A至2C图示出根据一些实施例的第一分散(dispersal)工艺。
[0009]图3示出根据一些实施例的半导体装置的第一移动。
[0010]图4示出根据一些实施例的第二分散工艺。
[0011]图5示出根据一些实施例的半导体装置的第二移动。
[0012]第6A至6B图示出根据一些实施例的第三分散工艺。
[0013]图7示出根据一些实施例的半导体装置的第三移动。
[0014]图8示出根据一些实施例的第四分散工艺。
[0015]图9示出根据一些实施例的互连结构(interconnect)的形成。
[0016]附图标记说明如下：
[0017]100：半导体装置
[0018]101：半导体基板
[0019]103：主动装置
[0020]104：接触栓塞
[0021]105：层间介电层
[0022]107：第二介电层
[0023]109：第一导孔
[0024]111：第一沟槽
[0025]113：第一蚀刻停止层
[0026]115：第二蚀刻停止层
[0027]116：第一介电层
[0028]117：第三蚀刻停止层
[0029]118：接触栓塞沟槽
[0030]119：第三介电层
[0031]120：导孔开口
[0032]121：抗反射层
[0033]123：第一硬遮罩
[0034]125：沟槽开口
[0035]200：设备
[0036]201：安装平台
[0037]203：第一液体分配器
[0038]205：第二液体分配器
[0039]207：第三液体分配器
[0040]209：第一层级
[0041]211：第二层级
[0042]213：第三层级
[0043]215：第一液体蚀刻剂
[0044]217：第一废弃液体
[0045]401：第一冲洗液
[0046]403：第二废弃液体
[0047]601：第二液体蚀刻剂
[0048]603：第三废弃液体
[0049]801：第二冲洗液
[0050]803：第四废弃液体
[0051]901：互连结构
[0052]D1：第一距离
[0053]D2：第二距离
[0054]D3：第三距离
[0055]D4：第四距离
[0056]D5：第五距离
[0057]H1：第一高度
[0058]H2：第二高度
[0059]H3：第三高度
具体实施方式
[0060]以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本公开的不同特征。以下描述具体的构件及其排列方式的实施例以阐述本公开。当然，这些实施例仅作为范例，而不该以此限定本公开的范围。例如，在说明书中叙述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，其可能包含第一特征与第二特征是直接接触的实施例，亦可能包含了有附加特征形成于第一特征与第二特征之间，而使得第一特征与第二特征可能未直接接触的实施例。另外，在本公开不同范例中可能使用重复的参考符号及/或标记，此重复为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的各个实施例及/或结构之间有特定的关系。
[0061]再者，空间相关用语，例如“在
……
下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用语，为了便于描述图示中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在附图中示出的方位外，这些空间相关用语意欲包含使用中或操作中的装置的不同方位。设备可能被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，则在此使用的空间相关词也可依此相同解释。
[0062]以下将针对在5nm工艺节点的产线工艺的后端(back end of line process)中用于去除硬遮罩和蚀刻停止层的一道蚀刻工艺来描述实施例。然而，本文中描述的实施例也可以在多种应用中使用，并且讨论不应被解释为限制实施例。
[0063]现在参考图1，图1示出一半导体装置100的中间制造阶段，其中半导体装置100包括半导体基板101、在半导体基板101的主动区域(或氧化物定义(oxide definition，OD)区域本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，包括：在一半导体基板上方沉积一蚀刻停止层；在该蚀刻停止层上方沉积一介电层；在该蚀刻停止层上方沉积一硬遮罩层；使用该硬遮罩层对该介电层进行图案化，并...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐宛萱，黄招胜，郭研究，郑宇利，陈雅慈，杨能杰，周俊利，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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