【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】真空处理装置和基板输送方法
[0001]本公开涉及一种真空处理装置和输送基板的技术。
技术介绍
[0002]进行半导体器件的制造工序中的真空处理的真空处理装置具备切换常压气氛和真空气氛的加载互锁模块,将收纳于输送容器而进行输送的半导体晶圆(以下称为“晶圆”。)经由常压输送室向加载互锁模块输送。并且,在将加载互锁模块内从常压气氛切换成真空气氛之后,经由真空输送室向例如多个真空处理部分别输送晶圆。
[0003]在例如专利文献1中记载有如下结构:在具备对水平排列的两张晶圆W进行处理的处理模块的真空处理装置中,在切换常压气氛和真空气氛的加载互锁模块,左右并列地配置有两张基板。对于该真空处理装置,构成为能够利用输送臂在加载互锁模块与处理模块之间一次交接两张晶圆。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2013
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171872号公报
技术实现思路
[0007]专利技术要解决的问题
[0008]本公开是在这样的状况下做成的,针对在真空气氛下对基板进行处理的真空处理装置,提供一种防止装置的占用空间的增加的技术。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]本公开的真空处理装置具备:加载互锁模块,其具备:壳体,其内部在常压气氛和真空气氛切换自如,该壳体具备分别形成于左右的开闭自如的第1基板输送口和形成于后侧的开闭自如的第2基板输送口;和多个基板保持部,其在所述壳体内分别将基板保持于左右;
[001 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种真空处理装置,其中,该真空处理装置具备:加载互锁模块,其具备:壳体,其内部在常压气氛和真空气氛切换自如,该壳体具备分别形成于左右的开闭自如的第1基板输送口和形成于后侧的开闭自如的第2基板输送口;和多个基板保持部,其在所述壳体内分别将基板保持于左右;真空气氛的真空输送室,其与所述壳体的后侧连接,所述第2基板输送口在该真空输送室开口;处理模块,其与所述真空输送室连接,用于对所述基板进行真空处理;真空输送机构,其在所述加载互锁模块、所述输送室以及所述处理模块之间输送所述基板;常压气氛的常压输送室,其以各所述第1基板输送口在该常压输送室开口的方式跨所述壳体的上方或下方而从该壳体的左右的一侧形成到另一侧,该常压输送室具备与该壳体重叠的作为所述基板的输送区域的层叠输送区域;多个送入送出端口,其分别设于所述常压输送室的外侧的左右,用于送入送出供所述基板收纳的输送容器;以及常压输送机构,其在被送入到各所述送入送出端口的所述输送容器与各所述基板保持部之间经由所述层叠输送区域输送所述基板。2.根据权利要求1所述的真空处理装置,其中,所述常压输送机构在左右的一方的所述送入送出端口与左右的另一方的所述基板保持部之间经由所述层叠输送区域来进行所述基板的交接。3.根据权利要求1所述的真空处理装置,其中,在所述层叠输送区域设置有载置所述基板的载置部。4.根据权利要求3所述的真空处理装置,其中,所述载置部包括载置要向所述加载互锁模块输送的处理前的所述基板的处理前载置部。5.根据权利要求4所述的真空处理装置,其中,所述处理前载置部具备对准机构,该对准机构包括:旋转部,其使从该常压输送机构接收到的所述基板旋转,以进行所述基板与所述常压输送机构之间的对位;和检测部,其向旋转的所述基板的包括周缘部在内的区域照射光,并接收经由该区域穿过来的光。6.根据权利要求3所述的真空处理装置,其中,所述载置部包括使从所述加载互锁模块送出来的所述基板待机的处理后待机部。7.根据权利要求1所述的真空处理装置,其中,以上下重叠的方式设置有多个所述加载互锁模块。8.根据权利要求1所述的真空处理装置,其中,所述基板保持部以将各所述基板保持为以平面观察时所述基板的排列方向呈沿着前后和左右的2
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2的矩阵状的方式设置有4个。9.根据权利要求1所述的真空处理装置,其中,所述加载互锁模块使所述壳体的内部分隔出供左侧的基板保持部配置的空间和供右侧的基板保持部配置的空间。
10.根据权利要求1所述的真空处理装置,其中,所述送入送出端口相对于所述壳体分别设置于左侧、右侧,并且,各送入送出端口设置于常压输送室的前侧。11.根据权利要求1所述的真空处理装置,其中,所述常压输送室以跨所述壳体的下方的方式从该壳体的左右的一方向另一方延伸,所述层叠输送区域形成于所述壳体的下方。12.根据权利要求1所述的真空处理装置,其中,所述常压输送机构具备:第1常压输送机构,其相对于所述壳体设置于左右的一方,仅进行所述基板相对于所述多个基板保持部中的左右的一方的基板保持部的交接,并且相对于所述载置部交接所述基板;以及第2常压输送机构,其相对于所述壳体设置于左右...
【专利技术属性】
技术研发人员:若林真士,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:
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