多相交错并联集成电感及磁集成电路制造技术

技术编号:28135445 阅读:21 留言:0更新日期:2021-04-21 19:02
本发明专利技术提供了一种多相交错并联集成电感,包括:线圈、第一磁芯及与所述第一磁芯贴合的第二磁芯,所述第一磁芯包括第一背柱、至少两个第一边柱及至少两个第一中柱,所述第二磁芯包括第二背柱,将所述第一中柱和所述第一边柱都集成在第一背柱上,所述多相交错并联集成电感能够替换掉多个独立电感,消除了独立电感数量多、体积大的不良影响,提高了系统的功率密度,同时也节省了电感的生产成本。本发明专利技术还提供一种磁集成电路,包括:所述整流电路、功率因数校正电路及滤波电路,功率因数校正电路包括:所述多相交错并联集成电感、开关电路及滤波电路,所述多相交错并联集成电感提高了功率因数校正电路的功率密度,减少了电路中的元器件数量。件数量。件数量。

【技术实现步骤摘要】
多相交错并联集成电感及磁集成电路


[0001]本专利技术涉及电磁领域,特别涉及一种多相交错并联集成电感及磁集成电路。

技术介绍

[0002]在新能源汽车中车载充电机从电网取电,目前常见的处理方法是利用整流电路将电网提供的交流电压整流成直流电压,并将直流电压送入后级以实现车辆用电设备的供电。但是传统的整流电路由于其固有的缺陷,导致整流电路输出的直流电压和电流中谐波含量较大,因此,为了减小供电电路中的谐波,在整流电路之后通常增加一级功率因数校正(PFC)电路,PFC电路由此成为至关重要的电路环节。
[0003]功率因数校正电路通常采用的是Boost电路,参考图1,图1为现有技术中的包括功率因数校正电路的总电路示意图,该总电路包括:整流电路10和功率因数校正电路20,所述功率因数校正电路20采用三相Boost升压电路并联,各相之间相位相互交错,三相相角均分360
°
,从第一相0
°
至第三相相角依次增加,即第一相相角为0
°
,第二相相角为120
°
,第三相相角为240
°
;以此类推,多相(大于三相)并联时则所有相的相角均分360
°
,从第一相0
°
至第n相相角依次增加(n为大于3的正整数)。目前功率因数校正电路存在独立电感元件数量过多、独立电感的总体积过大以及制造独立电感的原材料的使用量过多等问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种多相交错并联集成电感及磁集成电路,以解决多相并联电路中并联的独立电感的数量过多的问题。
[0005]为解决上述技术问题,本专利技术提供一种多相交错并联集成电感,包括:线圈、第一磁芯及与所述第一磁芯贴合的第二磁芯;
[0006]所述第一磁芯包括:第一背柱,所述第一背柱具有2n条侧边;n个第一边柱,n个所述第一边柱间隔地设于所述第一背柱的侧边上;n个第一中柱,每个所述第一中柱设于所述第一背柱上且位于相邻所述第一边柱之间的间隔位置;
[0007]所述第二磁芯包括:第二背柱,所述第二背柱具有2n条侧边,所述第二背柱与所述第一磁芯贴合且与所述第一背柱相互平行,n个所述第一边柱和n个所述第一中柱位于所述第一背柱和所述第二背柱之间;
[0008]其中,所述线圈的数量为n个,一所述线圈套设在一所述第一中柱上,n为大于或等于2的正整数。
[0009]可选的,在所述多相交错并联集成电感中,所述第二磁芯还包括:
[0010]n个第二边柱,n个所述第二边柱间隔地设于所述第二背柱的侧边上,一个所述第二边柱与一个所述第一边柱贴合;以及,
[0011]n个第二中柱,每个所述第二中柱设于所述第二背柱上且位于相邻所述第二边柱之间的间隔位置,一个所述第二中柱与一个所述第一中柱贴合。
[0012]可选的,在所述多相交错并联集成电感中,所述第一边柱的高度与所述第二边柱
的高度相同。
[0013]可选的,在所述多相交错并联集成电感中,所述第一中柱的高度等于或者小于所述第一边柱的高度。
[0014]可选的,在所述多相交错并联集成电感中,所述第二中柱的高度等于或者小于所述第二边柱的高度。
[0015]可选的,在所述多相交错并联集成电感中,所述第一背柱和所述第二背柱均为2n棱柱结构,并且所述第一背柱和所述第二背柱的形状相同。
[0016]可选的,在所述多相交错并联集成电感中,所述第一中柱和所述第二中柱均为圆柱结构,并且所述第一中柱和所述第二中柱的形状相同。
[0017]可选的,在所述多相交错并联集成电感中,所述第一边柱靠近所述第一背柱的中心具有两个侧面且均为弧面,每个所述弧面的开口分别朝向相邻的所述第一中柱。
[0018]可选的,在所述多相交错并联集成电感中,所述第一边柱和所述第二边柱的形状相同。
[0019]可选的,在所述多相交错并联集成电感中,所述第一磁芯的材料为铁氧体,所述第二磁芯的材料和所述第一磁芯的材料相同。
[0020]可选的,在所述多相交错并联集成电感中,相邻的两个所述第一中柱的间距相等,相邻的所述第一中柱和所述第一边柱的间距相等。
[0021]基于同一专利技术构思,本专利技术还提供一种磁集成电路,包括:
[0022]整流电路,用于将交流电压转换成直流电压并向后级输出直流电压和直流电流;以及,
[0023]功率因数校正电路,用于消除所述整流电路输出的直流电压和直流电流中的谐波;
[0024]其中,所述功率因数校正电路包括:
[0025]多相交错并联集成电感,用于抑制整流电路输出的直流电流的高频纹波以及用于储存直流电流的部分能量,所述多相交错并联集成电感置于所述整流电路的后端,所述多相交错并联集成电感的输出分支至少包括两路;
[0026]开关电路,用于控制所述多相交错并联集成电感中的直流电流,所述开关电路置于所述多相交错并联集成电感的后端;以及,
[0027]滤波电路,用于去除所述直流电压的纹波,所述滤波电路置于所述开关电路的后端;
[0028]其中,所述多相交错并联集成电感包括:线圈、第一磁芯及与所述第一磁芯贴合的第二磁芯;
[0029]所述第一磁芯包括:第一背柱,所述第一背柱具有2n条侧边;n个第一边柱,n个所述第一边柱间隔地设于所述第一背柱的侧边上;n个第一中柱,每个所述第一中柱设于所述第一背柱上且位于相邻所述第一边柱之间的间隔位置;
[0030]所述第二磁芯包括:第二背柱,所述第二背柱具有2n条侧边,所述第二背柱与所述第一磁芯贴合且与所述第一背柱相互平行,n个所述第一边柱和n个所述第一中柱位于所述第一背柱和所述第二背柱之间;
[0031]其中,所述线圈的数量为n个,一所述线圈套设在一所述第一中柱上,n为大于或等
于2的正整数。
[0032]可选的,在所述磁集成电路中,所述多相交错并联集成电感的输出分支包括三路,所述多相交错并联集成电感为三相交错并联集成电感,所述多相交错并联集成电感的第一背柱具有6条侧边,所述多相交错并联集成电感的线圈、第一边柱及第一中柱的数量均为三个。
[0033]综上,本专利技术提供一种多相交错并联集成电感,包括:线圈、第一磁芯及与所述第一磁芯贴合的第二磁芯,所述第一磁芯包括第一背柱、至少两个第一边柱及至少两个第一中柱,所述第二磁芯包括第二背柱,一所述线圈套设在一所述第一中柱上,将所述第一中柱和所述第一边柱都集成在第一背柱上,由此,所述多相交错并联集成电感能够替换多个独立电感,消除了独立电感数量多、体积大的不良影响。本专利技术还提供一种磁集成电路,包括:所述整流电路、功率因数校正电路及滤波电路,功率因数校正电路包括:所述多相交错并联集成电感、开关电路及滤波电路,所述多相交错并联集成电感能够代替并联的多个独立电感来去除所述磁集成电路中的谐波,减小了公共磁路的面积,提高了功率因数校正电路的功率密度,减少了磁集成电路的元器件数量,节约了原材料,提高了生产效率本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多相交错并联集成电感,其特征在于,包括:线圈、第一磁芯及与所述第一磁芯贴合的第二磁芯;所述第一磁芯包括:第一背柱,所述第一背柱具有2n条侧边;n个第一边柱,n个所述第一边柱间隔地设于所述第一背柱的侧边上;n个第一中柱,每个所述第一中柱设于所述第一背柱上且位于相邻所述第一边柱之间的间隔位置;所述第二磁芯包括:第二背柱,所述第二背柱具有2n条侧边,所述第二背柱与所述第一磁芯贴合且与所述第一背柱相互平行,n个所述第一边柱和n个所述第一中柱位于所述第一背柱和所述第二背柱之间;其中,所述线圈的数量为n个,一所述线圈套设在一所述第一中柱上,n为大于或等于2的正整数。2.根据权利要求1所述的多相交错并联集成电感,其特征在于,所述第二磁芯还包括:n个第二边柱,n个所述第二边柱间隔地设于所述第二背柱的侧边上,一个所述第二边柱与一个所述第一边柱贴合;以及,n个第二中柱,每个所述第二中柱设于所述第二背柱上且位于相邻所述第二边柱之间的间隔位置,一个所述第二中柱与一个所述第一中柱贴合。3.根据权利要求2所述的多相交错并联集成电感,其特征在于,所述第一边柱的高度与所述第二边柱的高度相同。4.根据权利要求3所述的多相交错并联集成电感,其特征在于,所述第一中柱的高度等于或者小于所述第一边柱的高度。5.根据权利要求3所述的多相交错并联集成电感,其特征在于,所述第二中柱的高度等于或者小于所述第二边柱的高度。6.根据权利要求1所述的多相交错并联集成电感,其特征在于,所述第一背柱和所述第二背柱均为2n棱柱结构,并且所述第一背柱和所述第二背柱的形状相同。7.根据权利要求2所述的多相交错并联集成电感,其特征在于,所述第一中柱和所述第二中柱均为圆柱结构,并且所述第一中柱和所述第二中柱的形状相同。8.根据权利要求7所述的多相交错并联集成电感,其特征在于,所述第一边柱靠近所述第一背柱的中心具有两个侧面且均为弧面,每个所述弧面的开口分别朝向相邻的所述第一中柱。9.根据权利要求8所述的多相交错并联集成电感,其特征在于,所述第一边柱和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:袁文琦吴伟华刘卫星
申请(专利权)人:联合汽车电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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