本发明专利技术提供一种深孔和深沟槽的清洗装置及清洗方法，包括具有前开口和侧开口的盆状镂空支架，枢接件带动所述盆状镂空支架相对于所述喷嘴装置以一角度设置；旋转轴通过所述枢接件带动所述盆状镂空支架相对于所述旋转轴的轴心旋转；喷嘴装置，包括垂直于所述盆状镂空支架上方设置的上喷嘴，利用重力和离心力将硅片上的水甩出，使得位于深沟槽底部或深孔底部的药液或水快速甩干，具有显著的意义。具有显著的意义。具有显著的意义。
【技术实现步骤摘要】
深孔和深沟槽的清洗装置及清洗方法
[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种深孔和深沟槽的清洗装置及清洗方法。
技术介绍
[0002]伴随集成电路制造工艺的不断进步，半导体器件的体积正变得越来越小，在半导体器件的制作过程中，深沟槽得到广泛应用。在某些器件中，深沟槽的深度已达30微米以上。
[0003]一般的清洗技术是将硅片正面朝上，然后浸入湿法清洗槽内进行清洗。完成清洗后，通过甩干将清洗药液从硅片表面去除。对于具有较大深宽比的深沟槽或深孔，清洗药液或水堆积在深沟槽或深孔的底部，比较难通过甩干移出硅片，堆积的清洗药液或水造成对深沟槽或深孔结构内薄膜的严重损伤，影响器件的可靠性。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种深孔和深沟槽的清洗方法及深孔和深沟槽的清洗装置。
[0005]为实现上述目的，本专利技术第一方面提供一种深孔和深沟槽的清洗装置，其特征在于，包括：硅片承载组件，所述硅片承载组件为具有前开口和侧开口的盆状镂空支架，硅片从所述侧开口装载且正面朝向所述前开口；所述盆状镂空支架包括底板和若干夹持组件，所述底板的正面与所述前开口相对，所述夹持组件自所述底板的正面沿所述前开口方向自下而上分层设置，且固定在所述侧开口两侧的盆状镂空支架上，所述夹持组件支撑并固定硅片；第一传动件，包括枢接件和旋转轴；所述枢接件的第一端旋转连接底板背面的底板中心，第二端枢接所述旋转轴的第一端；喷嘴装置，包括垂直于所述盆状镂空支架上方设置的上喷嘴，所述上喷嘴向所述盆状镂空支架垂直向下喷洒清洗液；其中，所述盆状镂空支架相对于所述底板中心旋转；所述枢接件带动所述盆状镂空支架相对于所述喷嘴装置以一角度设置；所述旋转轴通过所述枢接件带动所述盆状镂空支架相对于所述旋转轴的轴心旋转。
[0006]优选地，所述角度为0
°
，所述上喷嘴喷洒清洗液，所述盆状镂空支架相对于所述底板中心旋转；所述清洗液包括药液或水中的一种，所述上喷嘴包括药液上喷嘴和水上喷嘴，所述药液上喷嘴喷洒药液，所述水上喷嘴喷洒水。
[0007]优选地，所述喷嘴装置还包括相对设置在所述盆状镂空支架两侧的侧喷嘴，所述侧喷嘴分别从所述侧开口和所述侧开口相对的侧面，沿水平方向向所述盆状镂空支架喷洒水。
[0008]优选地，所述角度为180
°
，所述上喷嘴停止喷洒清洗液，所述侧喷嘴喷洒水，所述盆状镂空支架相对于所述底板中心旋转。
[0009]优选地，还包括：第二传动件，旋转连接所述旋转轴的第二端；所述第二传动件通过所述第一传动件带动所述盆状镂空支架相对于所述第二传动件的传动中心旋转。
[0010]优选地，所述角度为大于90
°
且小于180
°
，所述侧喷嘴停止喷洒水，所述旋转轴通过所述枢接件带动所述盆状镂空支架相对于所述旋转轴的轴心旋转，且所述第二传动件通过所述第一传动件带动所述盆状镂空支架相对于所述第二传动件的传动中心旋转。
[0011]优选地，所述夹持组件包括沿所述侧开口左右相对设置的第一夹持件和第二夹持件。
[0012]优选地，所述第一夹持件与所述第二夹持件设置有内陷的凹槽，所述凹槽具有与所述硅片外缘相配合的弧形，所述硅片的外缘卡设在所述凹槽内。
[0013]本专利技术第二方面提供一种深孔和深沟槽的清洗装置的清洗方法，其特征在于，包括：
[0014]步骤S01：通过所述侧开口装载硅片，所述夹持组件支撑并固定硅片，且所述硅片的正面朝向所述前开口；
[0015]步骤S02：所述枢接件带动所述盆状镂空支架相对于所述喷嘴装置以0
°
设置，所述上喷嘴向所述盆状镂空支架垂直向下喷洒清洗液，所述盆状镂空支架相对于所述底板中心旋转；
[0016]步骤S03：所述枢接件带动所述盆状镂空支架相对于所述喷嘴装置以180
°
设置，所述上喷嘴停止喷洒清洗液，所述盆状镂空支架相对于所述底板中心旋转。
[0017]优选地，N次循环重复步骤S02和步骤S03，N为大于等于1的整数。
[0018]从上述技术方案可以看出，本专利技术通过所述盆状镂空支架相对于所述底板中心旋转；所述枢接件带动所述盆状镂空支架相对于所述喷嘴装置以一角度设置；所述旋转轴通过所述枢接件带动所述盆状镂空支架相对于所述旋转轴的轴心旋转，从而使清洗液均匀浸没硅片正面，保证清洗液均匀涂敷在硅片正面表面，提高清洗效率；然后，第二传动件通过所述第一传动件带动所述盆状镂空支架相对于所述第二传动件的传动中心旋转，利用重力和离心力将硅片上的水甩出，使得位于深沟槽底部或深孔底部的药液或水快速甩干，具有显著的意义。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1示出了一种根据本专利技术实施例的一种深孔和深沟槽的清洗装置的结构示意图
[0021]图2示出了硅片装载后的沿前开口方向的清洗装置俯视图
[0022]图3示出了盆状镂空支架的前开口朝上，上喷嘴垂直向下向盆状镂空支架装载喷洒清洗液的示意图
具体实施方式
[0023]为使本专利技术的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本专利技术的内容作进一步说明。当然本专利技术并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本专利技术的保护范围内。
[0024]需要说明的是，在下述的具体实施方式中，在详述本专利技术的实施方式时，为了清楚地表示本专利技术的结构以便于说明，特对附图中的结构不依照一般比例绘图，并进行了局部放大、变形及简化处理，因此，应避免以此作为对本专利技术的限定来加以理解。
[0025]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面进一步结合图1示出了一种根据本专利技术实施例的一种深孔和深沟槽的清洗装置的结构示意图。如图1所示，本专利技术的一种深孔和深沟槽的清洗装置，包括：硅片承载组件，所述硅片承载组件为具有前开口和侧开口的盆状镂空支架1，硅片从所述侧开口装载且正面朝向所述前开口；所述盆状镂空支架1包括底板和若干夹持组件2，所述盆状镂空支架1的底部呈盆状，侧壁为镂空支架，底板位于所述盆状的底部，所述底板的正面与所述前开口相对，所述底板的形状包括圆形或多边形，具体视安装空间以及硅片尺寸而定，在此不做限定。所述盆状镂空支架1内为空心内腔，所述夹持组件2自所述底板的正面沿所述前开口方向自下而上分层设置，且固定在所述侧开口两侧的盆状镂空支架1上，所述夹持组件2支撑并固定硅片3；第一传动件，包括枢接件(未图示)和旋转轴4；所述枢接件的第一端旋转连接底板背面的底板中心，第二端枢接所述旋转轴4的第一端；喷嘴装置(未图示)，包括垂直于所述盆状镂空支架1上方设置的上喷嘴(未图示)，所述上喷嘴向所述盆状镂本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种深孔和深沟槽的清洗装置，其特征在于，包括：硅片承载组件，所述硅片承载组件为具有前开口和侧开口的盆状镂空支架，硅片从所述侧开口装载且正面朝向所述前开口；所述盆状镂空支架包括底板和若干夹持组件，所述底板的正面与所述前开口相对，所述夹持组件自所述底板的正面沿所述前开口方向自下而上分层设置，且固定在所述侧开口两侧的盆状镂空支架上，所述夹持组件支撑并固定硅片；第一传动件，包括枢接件和旋转轴；所述枢接件的第一端旋转连接底板背面的底板中心，第二端枢接所述旋转轴的第一端；喷嘴装置，包括垂直于所述盆状镂空支架上方设置的上喷嘴，所述上喷嘴向所述盆状镂空支架垂直向下喷洒清洗液；其中，所述盆状镂空支架相对于所述底板中心旋转；所述枢接件带动所述盆状镂空支架相对于所述喷嘴装置以一角度设置；所述旋转轴通过所述枢接件带动所述盆状镂空支架相对于所述旋转轴的轴心旋转。2.如权利要求1所述的深孔和深沟槽的清洗装置，其特征在于，所述角度为0
°
，所述上喷嘴喷洒清洗液，所述盆状镂空支架相对于所述底板中心旋转；所述清洗液包括药液或水中的一种，所述上喷嘴包括药液上喷嘴和水上喷嘴，所述药液上喷嘴喷洒药液，所述水上喷嘴喷洒水。3.如权利要求1所述的深孔和深沟槽的清洗装置，其特征在于，所述喷嘴装置还包括相对设置在所述盆状镂空支架两侧的侧喷嘴，所述侧喷嘴分别从所述侧开口和所述侧开口相对的侧面，沿水平方向向所述盆状镂空支架喷洒水。4.如权利要求3所述的深孔和深沟槽的清洗装置，其特征在于，所述角度为180
°
，所述上喷嘴停止喷洒清洗液，所述侧喷嘴喷洒水，所述盆状镂空支架相对于所述底板中心旋转。5.如权利要求4所述的深孔和深沟槽的清洗装置，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：康晓旭，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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