本发明专利技术提供了一种发光装置。该发光装置包括基材层以及设置于基材层的第一表面的像素隔离结构，像素隔离结构之间形成多个相互隔离的子像素区域，发光装置还包括：多个发光单元，一一设置于子像素区域中，用于发出不同波长的光，发光单元为电致发光器件，各发光单元的原始外量子效率具有差异；多个光提取结构，一一设置于至少部分子像素区域中，用于提高对应的发光单元的外量子效率，使得各发光单元的实际外量子效率差异减少。上述发光装置中通过将对应于不同发光单元的光提取结构差异化设置，能够对不同发光单元的外量子效率进行优化，使不同发光单元最终的外量子效率接近，实现同步老化，延长装置的使用寿命。延长装置的使用寿命。
【技术实现步骤摘要】
发光装置
[0001]本专利技术涉及光学
，具体而言，涉及一种发光装置。
技术介绍
[0002]随着科学技术的发展，轻薄、响应速度快、色彩鲜艳的OLED(有机发光二极管)显示设备逐渐受到人们的关注，传统的LCD(液晶显示器)受到威胁，因此纷纷引入量子点(quantum dots)至传统的LCD的背光模组中以推出量子点电视，从而将显示设备的色域提升至OLED的水准。
[0003]然而，现有技术中OLED烧屏现象严重，本质上体现了装置寿命低的现状，尤其是蓝色子像素的衰减更快。
[0004]为了解决上述“针对蓝光效率低衰减快的现状”的技术问题，现有技术中普遍采用以下手段：
[0005]1、增大蓝色子像素面积：如一般将其面积设计成红绿子像素面积的1.5-2倍等，但延长使用寿命不太显著，原因在于RGB子像素的效率还是不够高，且受限于像素密度和算法渲染等要求，子像素的面积与排布改动空间不大，因此改善空间非常有限。
[0006]2、施加光提取结构提升装置效率，虽然RGB的效率都明显提升了，但由于其基本采用相同的光提取结构，对RGB有相近的提取倍率，因此反而加剧了三者效率的差距，老化不同步的趋势会更加明显，即蓝色子像素的衰减相对更快，色彩呈现会受到很大影响，因此，这种施加相同光提取结构的方式对产品使用寿命的提升也不高。
技术实现思路
[0007]本专利技术的主要目的在于提供一种发光装置，以解决现有技术中发光装置寿命较短的问题。
[0008]为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种发光装置，包括基材层以及设置于基材层的第一表面的像素隔离结构，像素隔离结构之间形成多个相互隔离的子像素区域，发光装置还包括：多个发光单元，一一设置于子像素区域中，用于发出不同波长的光，发光单元为电致发光器件，各发光单元的原始外量子效率具有差异；多个光提取结构，一一设置于至少部分子像素区域中，用于提高对应的发光单元的外量子效率，使得各发光单元的实际外量子效率差异减少。
[0009]进一步地，各发光单元的实际外量子效率差异在
±
15％以内。
[0010]进一步地，定义原始外量子效率最高的发光单元为第一发光单元，原始外量子效率最低的发光单元为第三发光单元，原始外量子效率介于第一发光单元和第三发光单元之间的发光单元为第二发光单元；多个发光单元和多个光提取结构一一对应，光提取结构对第一发光单元的外量子效率提升比为X1，光提取结构对第二发光单元的外量子效率提升比为X2，光提取结构对第三发光单元的外量子效率提升比为X3，X1、X2和X3不相等，定义其中，n选自1～3中的任一个自然数，Q1为对应发光单元的原始外量子效率，Q2为
对应发光单元的实际外量子效率。
[0011]进一步地，X3＞X2＞X1，优选地，X3≤3。
[0012]进一步地，光提取结构为具有散射粒子的光散射层，第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元对应的光散射层不同。
[0013]进一步地，光散射层中散射粒子的D50不同，优选在150～350nm范围之内，更优选在220～245nm范围之内。
[0014]进一步地，光散射层中散射粒子的D90不同，优选在150～350nm范围之内，更优选在220～245nm范围之内。
[0015]进一步地，各光提取结构中散射粒子的体积百分比、散射粒子的粒径以及散射粒子的折光指数均相同，定义与第一发光单元对应的光提取结构的厚度为H1，与第二发光单元对应的光提取结构的厚度为H2，与第三发光单元对应的光提取结构的厚度为H3，H1、H2和H3不相等。
[0016]进一步地，H1、H2和H3依次递增，优选H1≤300nm，H2≤500nm，H3≤1000nm；或H1、H2和H3依次递减，优选H1≥1500nm，H2≥1200nm，H3≥1000nm。
[0017]进一步地，发光装置还包括第一中间层，第一中间层设置于至少一个子像素区域中发光单元和光提取结构的之间；优选第一中间层的厚度为100nm～1μm，优选第一中间层的折光指数为1.65～2。
[0018]进一步地，发光装置还包括封装单元，封装单元用于封装发光单元，发光装置还包括第二中间层，第二中间层设置于至少一个子像素区域中光提取结构和封装单元的之间，优选第二中间层的厚度为20nm～150nm，优选第二中间层的折光指数为1.5～1.8。
[0019]进一步地，各光提取结构的厚度、各光提取结构中散射粒子的粒径以及散射粒子的折光指数均相同，定义与第一发光单元对应的光提取结构中散射粒子的体积百分比为V1，与第二发光单元对应的光提取结构中散射粒子的体积百分比为V2，与第三发光单元对应的光提取结构中散射粒子的体积百分比为V3，V1、V2和V3不相等，优选V3＞V2＞V1。
[0020]进一步地，光提取结构的厚度为300～800nm中的任意值，散射粒子的体积百分比为50～95％；或光提取结构的厚度为800～1200nm中的任意值，散射粒子的体积百分比为35～50％；或光提取结构的厚度为1200～1800nm中的任意值，散射粒子的体积百分比为10～35％。
[0021]进一步地，各光提取结构的厚度、各光提取结构中散射粒子的体积百分比以及散射粒子的粒径均相同，定义与第一发光单元对应的光提取结构中散射粒子的折光指数为K1，与第二发光单元对应的光提取结构中散射粒子的折光指数为K2，与第三发光单元对应的光提取结构中散射粒子的折光指数为K3，K1、K2和K3不相等，优选K3＞K2＞K1，优选散射粒子的折光指数为2～2.6。
[0022]应用本专利技术的技术方案，提供了一种包括发光单元和光提取结构的发光装置，发光单元为多个，用于发出不同颜色的光，光提取结构为多个，一一设置于至少部分子像素区域中，用于提高对应的发光单元的外量子效率，使得各个发光单元实际的外量子效率差异减少。上述发光装置中通过将对应于不同发光单元的光提取结构差异化设置，能够对不同发光单元的外量子效率进行优化，使不同发光单元最终的外量子效率接近，实现同步老化，延长装置的使用寿命。
具体实施方式
[0023]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将结合实施例来详细说明本专利技术。
[0024]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0025]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括基材层以及设置于所述基材层的第一表面的像素隔离结构，所述像素隔离结构之间形成多个相互隔离的子像素区域，其特征在于，所述发光装置还包括：多个发光单元，一一设置于各所述子像素区域中，用于发出不同波长的光，所述发光单元为电致发光器件，各所述发光单元的原始外量子效率具有差异；多个光提取结构，一一设置于至少部分所述子像素区域中，用于提高对应的所述发光单元的外量子效率，使得各所述发光单元的实际外量子效率差异减少。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，各所述发光单元的实际外量子效率差异在
±
15％以内。3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，定义原始外量子效率最高的所述发光单元为第一发光单元，原始外量子效率最低的所述发光单元为第三发光单元，原始外量子效率介于所述第一发光单元和所述第三发光单元之间的所述发光单元为第二发光单元；多个所述发光单元和多个所述光提取结构一一对应，所述光提取结构对所述第一发光单元的外量子效率提升比为X1，所述光提取结构对所述第二发光单元的外量子效率提升比为X2，所述光提取结构对所述第三发光单元的外量子效率提升比为X3，所述X1、所述X2和所述X3不相等，定义其中，n选自1～3中的任一个自然数，Q1为对应所述发光单元的原始外量子效率，Q2为对应所述发光单元的实际外量子效率。4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，X3＞X2＞X1，优选地，X3≤3。5.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述光提取结构为具有散射粒子的光散射层，所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元对应的所述光散射层不同。6.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，所述光散射层中所述散射粒子的D50不同，优选在150～350nm范围之内，更优选在220～245nm范围之内。7.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，所述光散射层中所述散射粒子的D90不同，优选在150～350nm范围之内，更优选在220～245nm范围之内。8.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，各所述光提取结构中所述散射粒子的体积百分比、所述散射粒子的粒径以及所述散射粒子的折光指数均相同，定义与所述第一发光单元对应的所述光提取结构的厚度为H1，与所述第二发光单元对应的所述光提取结构的厚度为H2，与所述第三发光单元对应的所述光提取结构的厚度为H3，所述H1、所述H2和所述H3不相等。9.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：任华进，顾辛艳，甄常刮，
申请(专利权)人：纳晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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