一种数控衰减器芯片制造技术

本发明专利技术公开一种数控衰减器芯片，包括第一衰减位单位、第二衰减位单元、第三衰减位单元和第四衰减位单元，所述四个衰减单位均为变型T型电阻结构且衰减倍数分别为4dB、2dB、0.5dB/1dB/1.5dB和8dB；所述第一衰减位单元的第一输入端接收电信号，所述电信号由所述第一衰减位单元的第一输出端输出并依次通过所述第二衰减位单元、第三衰减位单位和第四衰减位单位并由第四输出端输出衰减后的电信号。由第四输出端输出衰减后的电信号。由第四输出端输出衰减后的电信号。

【技术实现步骤摘要】
一种数控衰减器芯片


[0001]本专利技术涉及雷达的信号处理领域。更具体地，涉及一种数控衰减器芯片。

技术介绍

[0002]在过去的几十年里，全固态有源相控阵雷达技术得到了快速发展，人们对于相控阵雷达中T/R组件也更加关注，与此同时，对于高性能小尺寸的幅相多功能芯片的需求也日益提升。而作为幅相多功能芯片的关键模块，数控衰减器电路由于其工作状态及技术指标较多，成为了T/R组件中设计难度及设计成本较高的电路之一。其中描述数控衰减器的主要技术指标有：工作频段、衰减位数、衰减量、衰减精度、插入损耗、衰减附加相移、输入输出驻波、输入功率、开关速度等。因此，对于衰减器的高性能及小尺寸的设计就显得尤为重要。

技术实现思路

[0003]为解决上述问题至少之一，本专利技术的一个目的在于提供一种数控衰减器芯片，
[0004]包括第一衰减位单位、第二衰减位单元、第三衰减位单元和第四衰减位单元，所述四个衰减单位均为变型T型电阻结构且衰减倍数分别为4dB、2dB、0.5dB/1dB/1.5dB和8dB；所述第一衰减位单元的第一输入端接收电信号，所述电信号由所述第一衰减位单元的第一输出端输出并依次通过所述第二衰减位单元、第三衰减位单位和第四衰减位单位并由第四输出端输出衰减后的电信号。
[0005]所述第一衰减位单元包括第一晶体管、第二晶体管、第一微带线、第二微带线、第三微带线、第四微带线、第五微带线、第六微带线、第七微带线、第八微带线、第九微带线、第十微带线、第十一微带线、第十二微带线、第十三微带线、第十四微带线、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器和第一电容器，
[0006]其中，所述第一微带线的第一端作为所述第一输入端并接收电信号，第二端与所述第二微带线的第一端相连接；所述第二微带线的第二端与所述第一晶体管的第一端相连接，所述第一晶体管的第二端与所述第三微带线的第一端相连接，第三端连接第一控制单元；所述第三微带线的第二端与所述第四微带线的第一端相连接，所述第四微带线的第二端作为所述第一输出端并输出初次衰减信号；
[0007]所述第五微带线的第一端与所述第一微带线的第二端相连接，第二端与所述第七微带线的第一端相连，所述第七微带线的第二端通过所述第一电阻器与所述第八微带线的第一端相连；所述第八微带线的第二端与所述第九微带线的第一端相连接，所述第九微带线的第二端通过所述第二电阻器与所述第十微带线的第一端相连接，所述第十微带线的第二端通过所述第六微带线与所述第三微带线的第二端相连接；
[0008]所述第十一微带线的第一端与所述第八微带线的第二端相连接，第二端与所述第二晶体管的第一端相连接；所述第二晶体管的第二端与所述第十二微带线的第一端相连，第三端连接第二控制单元；所述第十二微带线的第二端通过所述第三电阻器与所述第十三微带线的第一端相连接，所述第十三微带线的第二端依次通过所述第一电容器和所述第十
四微带线后接地。
[0009]所述第二衰减位单元包括第三晶体管、第四电阻器、第二电容器、第十五微带线、第十六微带线、第十七微带线、第十八微带线、第十九微带线和第二十微带线，
[0010]其中，
[0011]所述第十六微带线的第一端作为第二输入端与所述第四微带线的第一输出端相连接并接收所述初次衰减信号，第二端通过所述第十七微带线与所述第三晶体管的第一端相连接；所述第三晶体管的第二端通过所述第十八微带线与所述第四电阻器的第一端相连，第三端连接第三控制单元；所述第四电阻器的第二端与所述第十九微带线的第一端相连接，所述第十九微带线的第二端依次通过所述第二电容器和所述第二十微带线后接地；
[0012]所述第十六微带线的第一端与所述第十五微带线的第二端相连，第二端作为第二输出端并输出二次衰减信号。
[0013]所述第三衰减位单元包括第三电容器、第四电容器、第五电阻器、第六电阻器、第四晶体管、第五晶体管、第二十一微带线、第二十二微带线、第二十三微带线、第二十四微带线、第二十五微带线、第二十六微带线、第二十七微带线、第二十八微带线、第二十九微带线和第三十微带线，其中，
[0014]所述第二十一微带线的第一端作为第三输入端与所述第二输出端相连接并接收所述二次衰减信号，第二端与所述第二十二微带线的第一端相连；所述第二十二微带线的第二端作为第三输出端并输出三次衰减信号；
[0015]所述第二十三微带线的第一端与所述第二十一微带线的第二端相连，第二端与所述第四晶体管的第一端相连接，所述第四晶体管的第二端依次通过所述第二十四微带线、第五电阻器、第二十五微带线、第三电容器和所述第二十六微带线后接地，第三端连接第四控制单元；
[0016]所述第二十七微带线的第一端与所述第二十一微带线的第二端相连，第二端与所述第五晶体管的第一端相连接，所述第五晶体管的第二端依次通过所述第二十八微带线、第六电阻器、第二十九微带线、第四电容器和所述第三十微带线后接地；第三端连接第五控制单元。
[0017]所述第四衰减位单元包括第六晶体管、第七晶体管、第八电阻器、第九电阻器、第五电容器、第三十一微带线、第三十二微带线、第三十三微带线、第三十四微带线、第三十五微带线、第三十六微带线、第三十七微带线、第三十八微带线、第三十九微带线、第四十微带线、第四十一微带线、第四十二微带线、第四十三微带线和第四十四微带线，其中，
[0018]所述第三十一微带线的第一端作为第四输入端与所述第三衰减位单元的第三输出端相连并接收所述三次衰减信号，第二端通过所述第三十二微带线与所述第六晶体管的第一端相连接，所述第六晶体管的第二端通过所述第三十三微带线与所述第三十四微带线的第一端相连接，第三端连接第六控制单元，所述第三十四微带线的第二端作为第四输出端输出四次衰减信号；
[0019]所述第三十五微带线的第一端与所述第三十一微带线的第二端相连，第二端依次通过所述第三十七微带线和第七电阻器后与所述第三十八微带线第一端相连接，所述第三十八微带线的第二端依次通过所述第三十九微带线、第八电阻器、第四十微带线和第三十六微带线后与所述微带线的第一端相连接；
[0020]所述第四十一微带线的第一端与所述三十八微带线的第二端相连接，第二端与所述第七晶体管的第一端相连接，所述第七晶体管的第二端与所述第四十二微带线的第一端相连接，第三端连接第七控制单元；所述第四十二微带线的第二端依次通过所述第九电阻器、第四十三微带线、第五电容器和第四十四微带线后接地。
[0021]所述第一晶体管和第二晶体管异步工作，所述异步工作具体指当所述第一晶体管处于开启状态时，所述第二晶体管处于关闭状态，此时所述第一衰减位单元为直通路径；当所述第一晶体管处于关闭状态时，所述第二晶体管处于开启状态，此时所述第一衰减位单元为衰减路径，其衰减倍数为4dB。
[0022]所述第三衰减位单元能够实现四种状态，当所述第四晶体管和第五晶体管均为关闭状态，所述第三衰减位单元为直通电路；当所述第四晶体管处于开启状态且所述第五晶体管处于关闭状态时，所述第三衰减位单元的衰减倍数本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种数控衰减器芯片，其特征在于，包括第一衰减位单位、第二衰减位单元、第三衰减位单元和第四衰减位单元，所述四个衰减单位均为变型T型电阻结构且衰减倍数分别为4dB、2dB、0.5dB/1dB/1.5dB和8dB；所述第一衰减位单元的第一输入端接收电信号，所述电信号由所述第一衰减位单元的第一输出端输出并依次通过所述第二衰减位单元、第三衰减位单位和第四衰减位单位并由第四输出端输出衰减后的电信号。2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一衰减位单元包括第一晶体管(Sc1)、第二晶体管(Sc2)、第一微带线、第二微带线、第三微带线、第四微带线、第五微带线、第六微带线、第七微带线、第八微带线、第九微带线、第十微带线、第十一微带线、第十二微带线、第十三微带线、第十四微带线、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器和第一电容器，其中，所述第一微带线的第一端作为所述第一输入端并接收电信号，第二端与所述第二微带线的第一端相连接；所述第二微带线的第二端与所述第一晶体管(Sc1)的第一端相连接，所述第一晶体管的第二端与所述第三微带线的第一端相连接，第三端连接第一控制单元；所述第三微带线的第二端与所述第四微带线的第一端相连接，所述第四微带线的第二端作为所述第一输出端并输出初次衰减信号；所述第五微带线的第一端与所述第一微带线的第二端相连接，第二端与所述第七微带线的第一端相连，所述第七微带线的第二端通过所述第一电阻器与所述第八微带线的第一端相连；所述第八微带线的第二端与所述第九微带线的第一端相连接，所述第九微带线的第二端通过所述第二电阻器与所述第十微带线的第一端相连接，所述第十微带线的第二端通过所述第六微带线与所述第三微带线的第二端相连接；所述第十一微带线的第一端与所述第八微带线的第二端相连接，第二端与所述第二晶体管(Sc2)的第一端相连接；所述第二晶体管(Sc2)的第二端与所述第十二微带线的第一端相连，第三端连接第二控制单元；所述第十二微带线的第二端通过所述第三电阻器与所述第十三微带线的第一端相连接，所述第十三微带线的第二端依次通过所述第一电容器和所述第十四微带线后接地。3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第二衰减位单元包括第三晶体管、第四电阻器、第二电容器、第十五微带线、第十六微带线、第十七微带线、第十八微带线、第十九微带线和第二十微带线，其中，所述第十六微带线的第一端作为第二输入端与所述第四微带线的第一输出端相连接并接收所述初次衰减信号，第二端通过所述第十七微带线与所述第三晶体管的第一端相连接；所述第三晶体管的第二端通过所述第十八微带线与所述第四电阻器的第一端相连，第三端连接第三控制单元；所述第四电阻器的第二端与所述第十九微带线的第一端相连接，所述第十九微带线的第二端依次通过所述第二电容器和所述第二十微带线后接地；所述第十六微带线的第一端与所述第十五微带线的第二端相连，第二端作为第二输出端并输出二次衰减信号。4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第三衰减位单元包括第三电容器、第四电容器、第五电阻器、第六电阻器、第四晶体管、第五晶体管、第二十一微带线、第二十二微带线、第二十三微带线、第二十四微带线、
第二十五微带线、第二十六微带线、第二十七微带线、第二十八微带线、第二十九微带线和第三十微带线，其中，所述第二十一微带线的第一端作为第三输入端与所述第二输出端相连接并接收所述二次衰减信号，第二端与所述第二十二微带线的第一端相连；所述第二十二微带线的第二端作为第三输出端并输出三次衰减信号；所述第二十三微带线的第一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：万祥，郝迦琛，杨帆，刘浩，
申请(专利权)人：北京无线电测量研究所，
类型：发明
国别省市：