本发明专利技术抑制有机物质生成装置中的泡沫的发生。本发明专利技术涉及一种气体处理方法，其具有：使至少包含二氧化碳和氮的原料气体通过容纳有吸附二氧化碳的吸附材料的吸附部，降低所述原料气体中的二氧化碳浓度的吸附工序；将通过所述吸附工序而降低了二氧化碳浓度的所述原料气体供给至生成有机物质的有机物质生成装置的供给工序；对通过所述吸附部之前或之后的所述原料气体中的二氧化碳浓度和氮浓度或者供给至所述有机物质生成装置的二氧化碳浓度和氮浓度进行测定的监测工序，其中，在所述监测工序中监测得到的二氧化碳浓度和氮浓度的总浓度超过阈值的情况下，所述吸附工序具有提高所述吸附部降低所述原料气体中的二氧化碳浓度的能力的能力调整工序。度的能力的能力调整工序。度的能力的能力调整工序。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】气体处理方法和气体处理装置
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][0001]本专利技术涉及对至少包含二氧化碳和氮的原料气体进行处理的气体处理方法和气体处理装置。
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技术介绍
][0002]作为产业废弃物、通常废弃物的处理方法，已知有通过热分解进行的气化方法。通过该方法，通过将废弃物进行热分解，而得到包含一氧化碳和氢的原料气体。原料气体可用于各种用途。例如专利文献1中，将原料气体导入容纳有包含微生物的培养液的培养槽中，通过微生物发酵生成乙醇等的有机物质。
[0003][现有技术文献][0004][专利文献][0005][专利文献1]日本特开2018
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58042号公报
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技术实现思路
][0006][专利技术所解决的技术问题][0007]在培养槽等由原料气体生成有机物质的有机物质生成装置中，易于因反应而在液面上产生泡沫。认为当过度产生泡沫时，泡沫进入有机物质生成装置的下游侧的装置而导致故障、污染。
[0008]本专利技术的目的在于：以抑制有机物质生成装置中的泡沫的发生的方式对原料气体进行处理。
[0009][解决问题的技术手段][0010]本专利技术人为了解决所述问题而进行深入研究。其结果，着眼于不用于或几乎不用于有机物质生成装置中有机物质的生成的二氧化碳和氮，发现通过在这些的总浓度超过阈值的情况下降低原料气体中的二氧化碳浓度，而能够解决所述问题，从而完成了本专利技术。即，本专利技术的主旨如下所述。
[0011][1]一种气体处理方法，其具有：
[0012]使至少包含二氧化碳和氮的原料气体通过容纳有吸附二氧化碳的吸附材料的吸附部，降低所述原料气体中的二氧化碳浓度的吸附工序；
[0013]将通过所述吸附工序而降低了二氧化碳浓度的所述原料气体供给至生成有机物质的有机物质生成装置的供给工序；以及
[0014]对通过所述吸附部之前或之后的所述原料气体中的二氧化碳浓度和氮浓度或者供给至所述有机物质生成装置的二氧化碳浓度和氮浓度进行测定的监测工序，
[0015]在所述监测工序中监测得到的二氧化碳浓度和氮浓度的总浓度超过阈值的情况下，所述吸附工序具有提高所述吸附部降低所述原料气体中的二氧化碳浓度的能力的能力调整工序。
[0016][2]根据[1]所述的气体处理方法，其中，
[0017]所述吸附工序中使用的所述吸附部包含第1吸附部和第2吸附部，所述第1吸附部和第2吸附部交替进行使二氧化碳被吸附材料吸附的吸附处理和放出被吸附材料吸附的二氧化碳的再生处理，
[0018]在监测工序中监测得到的二氧化碳浓度和氮浓度的总浓度超过阈值的情况下，所述能力调整工序缩短所述第1吸附部和所述第2吸附部交替进行的所述吸附处理和所述再生处理的切换周期。
[0019][3]根据[1]或[2]所述的气体处理方法，其中，
[0020]所述吸附工序中使用的所述吸附部包含第1吸附部和第2吸附部，所述第1吸附部和第2吸附部交替进行使二氧化碳被吸附材料吸附的吸附处理和放出被吸附材料吸附的二氧化碳的再生处理，
[0021]在监测工序中监测得到的二氧化碳浓度和氮浓度的总浓度超过阈值的情况下，所述能力调整工序降低供给至包含所述第1吸附部和所述第2吸附部的所述吸附部的原料气体的流量。
[0022][4]根据[1]～[3]中任一项所述的气体处理方法，其中，
[0023]所述原料气体为进一步包含氢和一氧化碳的合成气体。
[0024][5]根据[4]所述的气体处理方法，其中，
[0025]所述有机物质以一氧化碳和氢为原料而生成。
[0026][6]根据[1]～[5]中任一项所述的气体处理方法，其中，
[0027]所述吸附工序通过压力摆动吸附方式来降低所述原料气体中的二氧化碳浓度。
[0028][7]一种气体处理装置，其为至少包含二氧化碳和氮的原料气体的气体处理装置，其中，
[0029]所述气体处理装置具有：
[0030]具有容纳有吸附二氧化碳的吸附材料的吸附部、将所述原料气体导入所述吸附部的导入部以及将所述原料气体从所述吸附部导出的导出部，并且降低所述原料气体中的二氧化碳浓度的吸附装置；
[0031]将通过所述吸附装置而降低了二氧化碳浓度的所述原料气体供给至生成有机物质的有机物质生成装置的供给装置；
[0032]对通过所述吸附部之前或之后的所述原料气体中的二氧化碳浓度和氮浓度进行测定的监测部；以及
[0033]在通过所述监测部测定得到的二氧化碳浓度和氮浓度的总浓度超过阈值的情况下，以提高所述吸附部降低所述原料气体中的二氧化碳浓度的能力的方式对所述吸附部、所述导入部或所述导出部进行控制的控制部。
[0034][8]根据[7]所述的气体处理装置，其中，
[0035]所述吸附装置的所述吸附部包含第1吸附部和第2吸附部，所述第1吸附部和第2吸附部交替进行使二氧化碳被吸附材料吸附的吸附处理和放出被吸附材料吸附的二氧化碳的再生处理，
[0036]在通过所述吸附部之前或之后的所述原料气体中的二氧化碳浓度和氮浓度的总浓度或者供给至所述有机物质生成装置的所述原料气体中的二氧化碳浓度和氮浓度的总浓度超过阈值的情况下，所述控制部缩短所述第1吸附部和所述第2吸附部交替进行的所述
吸附处理和所述再生处理的切换周期。
[0037][9]根据[7]或[8]所述的气体处理装置，其中，
[0038]所述吸附装置的所述吸附部包含第1吸附部和第2吸附部，所述第1吸附部和第2吸附部交替进行使二氧化碳被吸附材料吸附的吸附处理和放出被吸附材料吸附的二氧化碳的再生处理，
[0039]在通过所述吸附部之前或之后的所述原料气体中的二氧化碳浓度和氮浓度的总浓度或者供给至所述有机物质生成装置的所述原料气体中的二氧化碳浓度和氮浓度的总浓度超过阈值的情况下，所述控制部降低供给至包含所述第1吸附部和所述第2吸附部的所述吸附部的原料气体的流量。
[0040][10]根据[7]～[9]中任一项所述的气体处理装置，其中，
[0041]所述吸附部通过压力摆动吸附方式来降低所述原料气体中的二氧化碳浓度。
[0042][专利技术的效果][0043]通过本专利技术，能够以抑制有机物质生成装置中的泡沫的发生的方式对原料气体进行处理。
[附图说明][0044][图1]图1是用于说明本专利技术的一实施方式的图，其为用于说明气体处理装置适用的气体处理系统的概要构成的方框图。
[0045][图2]图2是用于说明图1的气体处理系统的气体处理装置的概要构成的方框图。
[0046][图3]图3是示意性地表示图1的气体处理系统的吸附装置的一个实例的图。
[0047][图4]图4是示意性地表示图1的气体处理系统的有机物质生成装置的图。
[0048][图5]图5是用于说明吸附装置的控制方法的一个实例的图。
[0049][图6]图6是用于说明吸附装置的控制方法的一个实例的图。
[0050][图7]图7是示意性地表示吸附装置的一变形例的图。本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种气体处理方法，其具有：使至少包含二氧化碳和氮的原料气体通过容纳有吸附二氧化碳的吸附材料的吸附部，降低所述原料气体中的二氧化碳浓度的吸附工序；将通过所述吸附工序而降低了二氧化碳浓度的所述原料气体供给至生成有机物质的有机物质生成装置的供给工序；以及对通过所述吸附部之前或之后的所述原料气体中的二氧化碳浓度和氮浓度或者供给至所述有机物质生成装置的二氧化碳浓度和氮浓度进行测定的监测工序，在所述监测工序中监测得到的二氧化碳浓度和氮浓度的总浓度超过阈值的情况下，所述吸附工序具有提高所述吸附部降低所述原料气体中的二氧化碳浓度的能力的能力调整工序。2.根据权利要求1所述的气体处理方法，其中，所述吸附工序中使用的所述吸附部包含第1吸附部和第2吸附部，所述第1吸附部和第2吸附部交替进行使二氧化碳被吸附材料吸附的吸附处理和放出被吸附材料吸附的二氧化碳的再生处理，在监测工序中监测得到的二氧化碳浓度和氮浓度的总浓度超过阈值的情况下，所述能力调整工序缩短所述第1吸附部和所述第2吸附部交替进行的所述吸附处理和所述再生处理的切换周期。3.根据权利要求1或2所述的气体处理方法，其中，所述吸附工序中使用的所述吸附部包含第1吸附部和第2吸附部，所述第1吸附部和第2吸附部交替进行使二氧化碳被吸附材料吸附的吸附处理和放出被吸附材料吸附的二氧化碳的再生处理，在监测工序中监测得到的二氧化碳浓度和氮浓度的总浓度超过阈值的情况下，所述能力调整工序降低供给至包含所述第1吸附部和所述第2吸附部的所述吸附部的原料气体的流量。4.根据权利要求1～3中任一项所述的气体处理方法，其中，所述原料气体为进一步包含氢和一氧化碳的合成气体。5.根据权利要求4所述的气体处理方法，其中，所述有机物质以一氧化碳和氢为原料而生成。6.根据权利要求1～5中任一项所述的气体处理方法，其中，所述吸附工序通过压力摆动吸附方式来降低所述原料气体中的二氧化碳浓度。7.一种气体处理装置，其为至少包含二氧化碳和氮的原料气体...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏山和都，滨地心，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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