单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置，包括：用于固定晶圆的卡置装置；在卡置装置中形成有供应气道，在卡置装置的表面上形成有隆起环；晶圆固定在卡置装置上时，晶圆的第一面和卡置装置表面之间表面气道，隆起环环绕在晶圆的边缘周侧且隆起环和晶圆边缘之间形成边缘气道；背面气体通过供应气道流入到表面气道中形成气垫，背面气体从边缘气道流出到晶圆外；晶圆的第二面为需要进行湿法刻蚀的表面，在湿法刻蚀中，边缘气道的背面气体完全阻止湿法刻蚀液流从晶圆的边缘流到第一面。本发明专利技术能完全避免湿法刻蚀液从晶圆边缘流到非刻蚀面，从而能对晶圆的非刻蚀面形成很好的保护，从而能提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造设备，特别是涉及一种单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置。
技术介绍
晶圆清洗即湿法刻蚀如晶圆背面清洗是晶圆制造过程中一种重要工艺过程，广泛用于闪存(Flash)，功率(Power)器件等多种产品流程中。湿法刻蚀工艺能采用一批次(lot)的多片清洗实现，也能采用单片清洗实现。本专利技术涉及单片湿法刻蚀机台。如图1所示，是现有单片湿法刻蚀机台的卡置装置101的结构示意图；图2是图1的晶圆103边缘处的放大图；现有单片湿法刻蚀机台包括：用于固定晶圆103的卡置装置101；在所述卡置装置101中形成有连通到所述卡置装置101表面的供应气道102。所述晶圆103固定在所述卡置装置101上时，所述晶圆103的第一面103a和所述卡置装置101表面之间表面气道。背面气体106通过所述供应气道102流入到所述表面气道中形成气垫109。所述晶圆103的第二面103b为需要进行湿法刻蚀的表面。在所述卡置装置101上具有多个顶针105，所述晶圆103的放置在所述顶针105上。图1中显示了两个所述顶针105。各所述顶针105均匀分布在同一圆周上。所述顶针105对应的圆周位于所述晶圆103的边缘内侧。在剖面结构上，所述供应气道102呈Y字型分布。所述背面气体106包括氮气。所述湿法刻蚀液107通过供液装置从所述晶圆103的第二面103b的上方流入到所述晶圆103的第二面103b上。所述卡置装置101设置在转动装置上，在所述湿法刻蚀过程中，所述卡置装置101在所述转动装置带动下进行如标记108所示的旋转并使所述晶圆103选择，所述晶圆103旋转时能使所述湿法刻蚀液107在离心力的左右下均匀分布，且部分标记为107a对应的所述湿法刻蚀液会甩出所述晶圆103。所述供液装置包括供液管和设置在所述供液管上的供液喷嘴104。在进行所述湿法刻蚀时，所述供液管供应湿法刻蚀液107并从所述供液喷嘴104喷出。所述供液管的上游设置有回吸装置；在湿法刻蚀完成后，所述回吸装置工作并将所述湿法刻蚀液107从所述供液喷嘴104和所述供液管中回吸。所述晶圆103的第一面103a为背面，所述晶圆103的第二面103b被正面，半导体器件形成在所述晶圆103的第二面103b上。在所述湿法刻蚀中，刻蚀终点将会终止与所述晶圆103的第一面103a的边缘区域上。如图3A所示，是采用图1现有单片湿法刻蚀机台进行湿法刻蚀前的晶圆103结构图；在所述晶圆103上形成有氧化层201，所述晶圆103的第二面103b上的氧化层201需要被刻蚀掉。如图3B所示，是采用图1现有单片湿法刻蚀机台进行湿法刻蚀后的晶圆103结构图；可以看出，所述晶圆103的第二面103b上的氧化层201被刻蚀掉；同时结合图2所示可知，所述气垫109中对应的所述背面气体106并不能将所述晶圆103的边缘全部保护，而是会留有一定的边缘距离，这个边缘距离对应的所述晶圆103的第一面103a上的氧化层201也会被刻蚀掉。这使得所述晶圆103的第一面103a的边缘区域会失去氧化层201的保护，会对所述晶圆103的正面工艺带来不利影响。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置，能完全避免湿法刻蚀液从晶圆边缘流到非刻蚀面，从而能对晶圆的非刻蚀面形成很好的保护，从而能提高产品良率。为解决上述技术问题，本专利技术提供的单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置包括：用于固定晶圆的卡置装置；在所述卡置装置中形成有连通到所述卡置装置表面的供应气道，在所述卡置装置的表面上形成有隆起环。所述晶圆固定在所述卡置装置上时，所述晶圆的第一面和所述卡置装置表面之间表面气道，所述隆起环环绕在所述晶圆的边缘周侧且所述隆起环和所述晶圆边缘之间形成边缘气道。背面气体通过所述供应气道流入到所述表面气道中形成气垫，所述背面气体从所述边缘气道流出到所述晶圆外。所述晶圆的第二面为需要进行湿法刻蚀的表面，在所述湿法刻蚀中，所述边缘气道的所述背面气体完全阻止湿法刻蚀液流从所述晶圆的边缘流到所述晶圆的第一面。进一步的改进是，在所述卡置装置上具有多个顶针，所述晶圆的放置在所述顶针上。进一步的改进是，各所述顶针均匀分布在同一圆周上。进一步的改进是，所述顶针对应的圆周位于所述晶圆的边缘内侧。进一步的改进是，在剖面结构上，所述供应气道呈Y字型分布。进一步的改进是，所述晶圆的边缘包括顶部侧面和底部侧面，所述晶圆的顶部侧面和底部侧面都呈圆弧型结构。进一步的改进是，所述隆起环的内侧面具有和所述晶圆的底部侧面相匹配的圆弧结构。进一步的改进是，所述背面气体包括氮气。进一步的改进是，所述湿法刻蚀液通过供液装置从所述晶圆的第二面的上方流入到所述晶圆的第二面上。进一步的改进是，所述卡置装置设置在转动装置上，在所述湿法刻蚀过程中，所述卡置装置在所述转动装置带动下旋转。进一步的改进是，所述供液装置包括供液管和设置在所述供液管上的供液喷嘴。在进行所述湿法刻蚀时，所述供液管供应湿法刻蚀液并从所述供液喷嘴喷出。进一步的改进是，所述供液管的上游设置有回吸装置；在湿法刻蚀完成后，所述回吸装置工作并将所述湿法刻蚀液从所述供液喷嘴和所述供液管中回吸。进一步的改进是，所述晶圆的第一面为背面，所述晶圆的第二面被正面，半导体器件形成在所述晶圆的第二面上。进一步的改进是，所述晶圆包括硅晶圆。进一步的改进是，所述晶圆的直径包括6英寸、8英寸和12英寸以上。本专利技术通过在卡置装置表面设置位于晶圆边缘外周的隆起环，隆起环能和晶圆的边缘之间形成边缘气道，背面气体就能将晶圆的边缘完全保护，完全阻止湿法刻蚀液流从晶圆的边缘流到晶圆的第一面，所以本专利技术能完全避免湿法刻蚀液从晶圆边缘流到非刻蚀面，从而能对晶圆的非刻蚀面形成很好的保护，从而能提高产品良率。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明：图1是现有单片湿法刻蚀机台的卡置装置的结构示意图；图2是图1的晶圆边缘处的放大图；图3A是采用图1现有单片湿法刻蚀机台进行湿法刻蚀前的晶圆结构图；图3B是采用图1现有单片湿法刻蚀机台进行湿法刻蚀后的晶圆结构图；图4是本专利技术实施例单片湿法刻蚀机台的卡置装置的结构示意图；图5是图4的晶圆边缘处的放大图；图6A是采用图4本专利技术实施例单片湿法刻蚀机台进行湿法刻蚀前的晶圆结构图；图6B是采用图4本专利技术实施例单片湿法刻蚀机台进行湿法刻蚀后的晶圆结构图。具体实施方式如图4所示，是本专利技术实施例单片湿法刻蚀机台的卡置装置1的结构示意图；图5是图4的晶圆3边缘处的放大图；本专利技术实施例单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置包括：用于固定本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置，其特征在于，包括：/n用于固定晶圆的卡置装置；/n在所述卡置装置中形成有连通到所述卡置装置表面的供应气道，在所述卡置装置的表面上形成有隆起环；/n所述晶圆固定在所述卡置装置上时，所述晶圆的第一面和所述卡置装置表面之间表面气道，所述隆起环环绕在所述晶圆的边缘周侧且所述隆起环和所述晶圆边缘之间形成边缘气道；/n背面气体通过所述供应气道流入到所述表面气道中形成气垫，所述背面气体从所述边缘气道流出到所述晶圆外；/n所述晶圆的第二面为需要进行湿法刻蚀的表面，在所述湿法刻蚀中，所述边缘气道的所述背面气体完全阻止湿法刻蚀液流从所述晶圆的边缘流到所述晶圆的第一面。/n

【技术特征摘要】
1.一种单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置，其特征在于，包括：
用于固定晶圆的卡置装置；
在所述卡置装置中形成有连通到所述卡置装置表面的供应气道，在所述卡置装置的表面上形成有隆起环；
所述晶圆固定在所述卡置装置上时，所述晶圆的第一面和所述卡置装置表面之间表面气道，所述隆起环环绕在所述晶圆的边缘周侧且所述隆起环和所述晶圆边缘之间形成边缘气道；
背面气体通过所述供应气道流入到所述表面气道中形成气垫，所述背面气体从所述边缘气道流出到所述晶圆外；
所述晶圆的第二面为需要进行湿法刻蚀的表面，在所述湿法刻蚀中，所述边缘气道的所述背面气体完全阻止湿法刻蚀液流从所述晶圆的边缘流到所述晶圆的第一面。


2.如权利要求1所述的单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置，其特征在于：在所述卡置装置上具有多个顶针，所述晶圆的放置在所述顶针上。


3.如权利要求2所述的单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置，其特征在于：各所述顶针均匀分布在同一圆周上。


4.如权利要求3所述的单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置，其特征在于：所述顶针对应的圆周位于所述晶圆的边缘内侧。


5.如权利要求1所述的单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置，其特征在于：在剖面结构上，所述供应气道呈Y字型分布。


6.如权利要求1所述的单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置，其特征在于：所述晶圆的边缘包括顶部侧面和底部侧面，所述晶圆的顶部侧面和底部侧面都呈圆弧型结构。


7.如权利要求6所述的单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘跃，刘宁，宋振伟，张守龙，金新，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32