本发明专利技术公开了一种连续分段线性电流的控制电路及其控制方法，其中，连续分段线性电流的控制电路，包括用于产生多路不同大小电流的基准电流源模块、运算放大器模块、电流加法器模块，所述基准电流源模块和电流加法器模块均电连接运算放大器模块。本发明专利技术的一种连续分段线性电流的控制电路，通过运算放大器模块根据比较斜率电压和多路预设电压的大小控制基准电流源模块的输出电流大小，进而通过电流加法器模块将多路输出电流进行加法合并得到连续分段线性电流，从而可以根据运算放大器模块内不同的运算放大器个数和电压大小，灵活设置电流分段点和分段斜率，通用性强，可用于任何需要斜率控制的功能模块。
【技术实现步骤摘要】
连续分段线性电流的控制电路及其控制方法
本专利技术属于模拟电路控制
，具体涉及一种连续分段线性电流的控制电路及其控制方法。
技术介绍
斜率控制和斜坡补偿是模拟集成电路设计中经常用到的功能，斜率控制电路常见于功率管的栅极驱动，摆率控制以及延时电路等。而斜坡补偿常见于PWM控制电路的稳定性补偿，在常见的PWM峰值电流模控制电路中，系统PWM占空比大于50％的情况下，环路会出现不稳定的问题,解决这一问题的常见方法就是在环路中引入斜坡补偿。为了对电流或电压做斜率控制或对环路做斜坡补偿，这两种功能均需要先产生分段线性的电流或电压，所以需要一种精确的产生分段线性电流的控制电路和方法。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供一种连续分段线性电流的控制电路，灵活设置电流分段点和分段斜率，通用性强，可用于任何需要斜率控制的功能模块。本专利技术的另一目的是提供一种控制方法。本专利技术所采用的技术方案是：一种连续分段线性电流的控制电路，包括用于产生多路不同大小电流的基准电流源模块、运算放大器模块、电流加法器模块，所述基准电流源模块和电流加法器模块均电连接运算放大器模块，所述运算放大器模块根据比较斜率电压和多路预设电压的大小控制基准电流源模块的输出电流大小，进而通过电流加法器模块将多路输出电流进行加法合并得到连续分段线性电流。优选地，所述运算放大器模块包括第一运算放大器模块OTA1、第二运算放大器模块OTA2和第三运算放大器模块OTA3，所述第一运算放大器模块OTA1、第二运算放大器模块OTA2和第三运算放大器模块OTA3均连接基准电流源模块和电流加法器模块。优选地，所述基准电流源模块包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和参考电流源IBIAS，所述参考电流源IBIAS的一端接地，另一端连接第一MOS管的漏极，所述第一MOS管的栅极并联第一MOS管的漏极、第二MOS管的栅极、第二MOS管的栅极、第三MOS管的栅极和第四MOS管的栅极，所述第一MOS管的源极、第二MOS管的源极、第三MOS管的源极和第四MOS管的源极均接电源。优选地，所述第一运算放大器模块OTA1第五MOS管和第六MOS管，所述第二运算放大器模块OTA2包括第七MOS管和第八MOS管，所述第三运算放大器模块OTA3包括第九MOS管和第十MOS管，所述第五MOS管的源极和第六MOS管的源极均连接第二MOS管的漏极，所述第七MOS管的源极和第八MOS管的源极均连接第三MOS管的漏极，所述第九MOS管的源极和第十MOS管的源极均连接第四MOS管的漏极，所述第六MOS管的栅极连接第一电压V1，所述第八MOS管的栅极连接第二电压V2，所述第十MOS管的栅极连接第三电压V3，所述第五MOS管的栅极、第七MOS管的栅极和第九MOS管的栅极均连接斜率电压Vslope。优选地，所述电流加法器模块包括第十一MOS管、第十二MOS管和第十三MOS管，所述第五MOS管的漏极、第七MOS管的漏极和第九MOS管的漏极均第十一MOS管的漏极和栅极，所述第六MOS管的漏极、第八MOS管的漏极和第十MOS管的漏极均连接第十二MOS管的漏极、栅极和第十三MOS管的栅极，所述第十一MOS管的源极、第十二MOS管的源极和第十三MOS管的源极均接地，所述第十三MOS管的漏极输出连续分段线性电流Islope。优选地，所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管均为PMOS管。优选地，第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管和第十MOS管均为PMOS管。优选地，所述第十一MOS管、第十二MOS管和第十三MOS管均为NMOS管。优选地，所述第一电压V1的电压值小于第二电压V2的电压值，所述第二电压V2的电压值小于第三电压V3的电压值。本专利技术的另一个技术方案是这样实现的：一种应用所述的连续分段线性电流的控制电路的控制方法，包括如下步骤：S1、基准电流源模块产生多路不同大小的电流；S2、运算放大器模块根据比较斜率电压和多路预设电压的大小控制所述S1中的基准电流源模块的输出电流大小；S3、电流加法器模块将所述S2中的多路输出电流进行加法合并得到连续分段线性电流。与现有技术相比，本专利技术的连续分段线性电流的控制电路，通过运算放大器模块根据比较斜率电压和多路预设电压的大小控制基准电流源模块的输出电流大小，进而通过电流加法器模块将多路输出电流进行加法合并得到连续分段线性电流，从而可以根据运算放大器模块内不同的运算放大器个数和电压大小，灵活设置电流分段点和分段斜率，通用性强，可用于任何需要斜率控制的功能模块。附图说明图1是本专利技术实施例1提供的一种连续分段线性电流的控制电路的电路结构示意图；图2是本专利技术实施例1提供的一种连续分段线性电流的控制电路的电路图；图3是本专利技术实施例1提供的一种连续分段线性电流的控制电路的斜率电压Vslope的电路示意图；图4是本专利技术实施例1提供的一种连续分段线性电流的控制电路的电路图斜率电压Vslope和分段线性电流Islope的示意图；图5是本专利技术实施例1提供的一种连续分段线性电流的控制电路的线性电流I1，I2，I3的电流变化示意图；图6是本专利技术实施例1提供的一种连续分段线性电流的控制电路的分段线性电流Islope的电流变化示意图。附图标记说明1-基准电流源模块，11-第一MOS管，12-第二MOS管，13-第三MOS管，14-第四MOS管，2-运算放大器模块，21-第五MOS管，22-第六MOS管，23-第七MOS管，24-第八MOS管，25-第九MOS管，26-第十MOS管，3-电流加法器模块，31-第十一MOS管，32-第十二MOS管，33-第十三MOS管。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。实施例1本专利技术实施例1提供一种连续分段线性电流的控制电路，如图1-6所示，包括用于产生多路不同大小电流的基准电流源模块1、运算放大器模块2、电流加法器模块3，所述基准电流源模块1和电流加法器模块3均电连接运算放大器模块2，所述运算放大器模块2根据比较斜率电压和多路预设电压的大小控制基准电流源模块1的输出电流大小，进而通过电流加法器模块3将多路输出电流进行加法合并得到连续分段线性电流。这样，通过运算放大器模块2根据比较斜率电压和多路预设电压的大小控制基准电流源模块1的输出电流大小，进而通过电流加法器模块3将多路输出电流进行加法合并得到连续分段线性电流，从而可以根据运算放大器模块内不同的运算放大器个数和电压大小，灵活设置电流分段点和分段斜率，通用性强，可用于任何需要斜率控制的功能模块。所述运算放大器模块2包括第一运算放大器模块OTA1、第二运算放大器模块OT本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种连续分段线性电流的控制电路，其特征在于，包括用于产生多路不同大小电流的基准电流源模块(1)、运算放大器模块(2)、电流加法器模块(3)，所述基准电流源模块(1)和电流加法器模块(3)均电连接运算放大器模块(2)，所述运算放大器模块(2)根据比较斜率电压和多路预设电压的大小控制基准电流源模块(1)的输出电流大小，进而通过电流加法器模块(3)将多路输出电流进行加法合并得到连续分段线性电流。/n
【技术特征摘要】
1.一种连续分段线性电流的控制电路，其特征在于，包括用于产生多路不同大小电流的基准电流源模块(1)、运算放大器模块(2)、电流加法器模块(3)，所述基准电流源模块(1)和电流加法器模块(3)均电连接运算放大器模块(2)，所述运算放大器模块(2)根据比较斜率电压和多路预设电压的大小控制基准电流源模块(1)的输出电流大小，进而通过电流加法器模块(3)将多路输出电流进行加法合并得到连续分段线性电流。
2.根据权利要求1所述的连续分段线性电流的控制电路，其特征在于，所述运算放大器模块(2)包括第一运算放大器模块OTA1、第二运算放大器模块OTA2和第三运算放大器模块OTA3，所述第一运算放大器模块OTA1、第二运算放大器模块OTA2和第三运算放大器模块OTA3均连接基准电流源模块(1)和电流加法器模块(3)。
3.根据权利要求2所述的连续分段线性电流的控制电路，其特征在于，所述基准电流源模块(1)包括第一MOS管(11)、第二MOS管(12)、第三MOS管(13)、第四MOS管(14)和参考电流源IBIAS，所述参考电流源IBIAS的一端接地，另一端连接第一MOS管(11)的漏极，所述第一MOS管(11)的栅极并联第一MOS管(11)的漏极、第二MOS管(12)的栅极、第二MOS管(12)的栅极、第三MOS管(13)的栅极和第四MOS管(14)的栅极，所述第一MOS管(11)的源极、第二MOS管(12)的源极、第三MOS管(13)的源极和第四MOS管(14)的源极均接电源。
4.根据权利要求3所述的连续分段线性电流的控制电路，其特征在于，所述第一运算放大器模块OTA1第五MOS管(21)和第六MOS管(22)，所述第二运算放大器模块OTA2包括第七MOS管(23)和第八MOS管(24)，所述第三运算放大器模块OTA3包括第九MOS管(25)和第十MOS管(26)，所述第五MOS管(21)的源极和第六MOS管(22)的源极均连接第二MOS管(12)的漏极，所述第七MOS管(23)的源极和第八MOS管(24)的源极均连接第三MOS管(13)的漏极，所述第九MOS管(25)的源极和第十MOS管(26)的源极均连接第四MOS管(14)的漏极，所述第六MOS管(22)的栅极连接第一电压V1，所述第八MOS管(24)的栅...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭玉华，
申请(专利权)人：玄武石半导体武汉有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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