阵列基板及阵列基板的断线修复方法技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及阵列基板的断线修复方法，阵列基板包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的信号线、修复线和绝缘层；所述绝缘层位于所述信号线的下方，所述信号线上具有断点，所述修复线的两端分别连接在所述信号线的断点的两侧，所述修复线由液态金属滴注成膜后形成，所述修复线包括多个相连的线段，所述绝缘层上设置有凹槽，所述凹槽位于相邻的两个所述线段的连接拐角的下方。本发明专利技术提供一种阵列基板及阵列基板的断线修复方法，可以改善阵列基板上信号线修补出现铜变色辉点的情况。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及阵列基板的断线修复方法
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板及阵列基板的断线修复方法。
技术介绍
液晶显示面板一般由相对设置的阵列基板、彩膜基板以及夹持在阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层组成。阵列基板上设置有金属线、数据线等用来传输数据的信号线，对于金属氧化物阵列基板，在工艺流程中，信号线容易发生断线不良。现有技术中，针对信号线发生的断线不良，修补时普遍采用六羰基钨W(CO)6的成膜方式，利用钨W原子堆积在断线的断口处，起到金属连接导通的作用。但是，在金属氧化物阵列基板的断线修补过程中，六羰基钨W(CO)6容易扩散到断线周围的区域，包含薄膜晶体管TFT所在位置，导致TFT开关受损，外观上TFT区域的铜Cu出现变色，像素呈现辉点不良。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及阵列基板的断线修复方法，可以改善阵列基板上信号线修补出现铜变色辉点的情况。本专利技术一方面提供一种阵列基板，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的信号线、修复线和绝缘层；所述绝缘层位于所述信号线的下方，所述信号线上具有断点，所述修复线的两端分别连接在所述信号线的断点的两侧，所述修复线由液态金属滴注成膜后形成，所述修复线包括多个相连的线段，所述绝缘层上设置有凹槽，所述凹槽位于相邻的两个所述线段的连接拐角的下方。如上所述的阵列基板，所述修复线包括依次连接的第一段、第二段和第三段，所述第一段和所述第三段垂直于所述信号线的延伸方向且分别与所述断点两侧的所述信号线连接，所述第二段平行于所述信号线的延伸方向。如上所述的阵列基板，所述修复线的成膜线宽为8μm-10μm，所述修复线的膜厚为如上所述的阵列基板，所述凹槽的深度小于所述绝缘层的厚度，所述凹槽的宽度大于所述修复线的成膜线宽，所述凹槽的开口为方形或圆形，所述凹槽的深度方向的截面为倒梯形。如上所述的阵列基板，所述液态金属为银。本专利技术另一方面提供一种阵列基板的断线修复方法，包括：提供阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的信号线、修复线和绝缘层，所述绝缘层位于所述信号线的下方，所述信号线上具有断点；在所述绝缘层上开设凹槽，所述凹槽与所述信号线不重合；采用针头沿着滴注路径滴注液态金属，所述滴注路径的起始端和终止端分别经过所述信号线的断点的两侧，所述滴注路径经过所述凹槽并在所述凹槽处转折；烘烤以使所述液态金属形成修复线。如上所述的阵列基板的断线修复方法，所述滴注路径包括依次连接的第一段、第二段和第三段，所述第一段和所述第三段垂直于所述信号线的延伸方向，所述第二段平行于所述信号线的延伸方向，所述第一段和所述第二段、所述第二段和所述第三段在所述凹槽处形成连接拐角。如上所述的阵列基板的断线修复方法，所述采用针头沿着滴注路径滴注液态金属，具体包括：所述针头保持预设移动速度和第一预设流量沿着所述滴注路径移动，且在所述凹槽的上方转向。如上所述的阵列基板的断线修复方法，所述采用针头沿着滴注路径滴注液态金属，具体包括：所述针头保持预设移动速度和第一预设流量沿着所述滴注路径上除所述凹槽外的路径移动，在所述凹槽的上方静止后采用第二预设流量滴注预设时间并转向，所述第二预设流量小于所述第一预设流量。如上所述的阵列基板的断线修复方法，所述在所述绝缘层上开设凹槽，具体包括：采用固定波长的激光，在所述绝缘层上开设具有预设形状和尺寸的凹槽，所述凹槽的深度小于所述绝缘层的厚度，所述凹槽的宽度大于所述修复线的成膜线宽，所述凹槽的开口为方形或圆形，所述凹槽的深度方向的截面为倒梯形。本申请实施例提供的阵列基板及阵列基板的断线修复方法，选用无成膜衍射类的材料代替现有技术中的W(CO)6，可以从根本上解决W(CO)6造成的铜变色和辉点问题；并且，通过预先在绝缘层上对应修复线拐角处的位置开槽，可以避免修复线在拐角处膜厚堆积，可以避免修复线成膜不均导致的线不良。附图说明为了更清楚地说明本专利技术或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术提供的阵列基板断线采用六羰基钨修复时发生热分解的结构示意图；图2为现有技术提供的阵列基板断线采用六羰基钨修复时发生光分解的结构示意图；图3为现有技术提供的采用六羰基钨修复断线的阵列基板上TFT区域出现Cu变色的示意图；图4为现有技术提供的采用六羰基钨修复断线的阵列基板呈现辉点不良的示意图；图5为现有技术提供的架桥耦合和Cu变色呈现辉点的示意图；图6为图5对应的暗点化后的示意图；图7为本申请一实施例提供的断线修复的原理示意图；图8为本申请一实施例提供的针头的滴注速度对成膜厚度的影响示意图；图9为本申请一实施例提供的针头的控制电流对成膜厚度的影响示意图；图10为本申请一实施例提供的采用U型修复线的阵列基板的局部结构俯视示意图；图11为图10中D-D对应的剖面示意图；图12为图10对应的阵列基板的修复线的实际成型示意图；图13为图12对应的修复线的膜厚与位置关系示意图；图14为本申请又一实施例提供的阵列基板的局部结构俯视示意图；图15为图14中E-E对应的剖面示意图；图16为图14对应的修复线的膜厚与位置关系示意图。附图标记：100-衬底基板；200-信号线；21-断点；22-六羰基钨；23-钨；300-修复线；31-第一段；32-第二段；33-第三段；400-绝缘层；41-凹槽；500-金属线；600-金属氧化物半导体层。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术中的附图，对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要理解的是，在现有技术中，当金属氧化物阵列基板在工艺流程中发生信号线断线不良时，普遍采用六羰基钨W(CO)6的成膜方式，利用钨W原子堆积在断线的断口处以修补断线。图1为现有技术提供的阵列基板断线采用六羰基钨修复时发生热分解的结构示意图，图2为现有技术提供的阵列基板断线采用六羰基钨修复时发生光分解的结构示意图，图1和图2中所示的箭头代表激光照射。阵列基板包括衬底基板100和信号线200，信号线200具有断点21，使用六羰基钨W(CO)6对断点21进行修复时，利用的是六羰基钨W(CO)6在激光照射下，可以发生图1所示的热分解和图2所示的光分解的现象。在将W(CO)6沉积在断点21处时，一部分W(CO)6首先发生热分解，产生W原子沉积到断点21内，另一部分已经沉积在断点21内的W本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的信号线、修复线和绝缘层；/n所述绝缘层位于所述信号线的下方，所述信号线上具有断点，所述修复线的两端分别连接在所述信号线的断点的两侧，所述修复线由液态金属滴注成膜后形成，所述修复线包括多个相连的线段，所述绝缘层上设置有凹槽，所述凹槽位于相邻的两个所述线段的连接拐角的下方。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的信号线、修复线和绝缘层；
所述绝缘层位于所述信号线的下方，所述信号线上具有断点，所述修复线的两端分别连接在所述信号线的断点的两侧，所述修复线由液态金属滴注成膜后形成，所述修复线包括多个相连的线段，所述绝缘层上设置有凹槽，所述凹槽位于相邻的两个所述线段的连接拐角的下方。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述修复线包括依次连接的第一段、第二段和第三段，所述第一段和所述第三段垂直于所述信号线的延伸方向且分别与所述断点两侧的所述信号线连接，所述第二段平行于所述信号线的延伸方向。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述修复线的成膜线宽为8μm-10μm，所述修复线的膜厚为


4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽的深度小于所述绝缘层的厚度，所述凹槽的宽度大于所述修复线的成膜线宽，所述凹槽的开口为方形或圆形，所述凹槽的深度方向的截面为倒梯形。


5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述液态金属为银。


6.一种阵列基板的断线修复方法，其特征在于，包括：
提供阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的信号线、修复线和绝缘层，所述绝缘层位于所述信号线的下方，所述信号线上具有断点；
在所述绝缘层上开设凹槽，所述凹槽与所述信号线不重合；
采用...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵一静，黄学勇，邱涛，杨宇丹，蒋雷，
申请(专利权)人：成都中电熊猫显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51