超高频表贴陶瓷垂直互联结构及封装结构制造技术

本发明专利技术提供了一种超高频表贴陶瓷垂直互联结构及封装结构，属于芯片封装微波信号互联技术领域，超高频表贴陶瓷垂直互联结构包括陶瓷介质、正面引脚焊盘、背面引脚焊盘和类同轴结构，正面引脚焊盘设置在陶瓷介质正面上且周围设有GND区域，背面引脚焊盘设置在陶瓷介质背面上且周围设有GND区域，类同轴结构包括平行设置的射频信号垂直过渡孔和接地垂直过渡孔，射频信号垂直过渡孔与陶瓷正面引脚焊盘垂直布置；封装结构包括超高频表贴陶瓷垂直互联结构。本发明专利技术的优点是可提高射频垂直传输性能，其能在陶瓷之间实现DC‑40GHz宽带高频信号的传输，且其结构为垂直互联结构，在40GHz以内，可以实现射频信号良好的垂直传输，回波损耗S11和S22优于‑10dB。

【技术实现步骤摘要】
超高频表贴陶瓷垂直互联结构及封装结构
本专利技术属于芯片封装微波信号互联
，更具体地说，是涉及一种超高频表贴陶瓷垂直互联结构及封装结构。
技术介绍
随着电子设备小型化及集成度的需求越来越高，这就要求采用高性能高可靠的射频垂直互联结构。对于芯片级封装垂直互联结构的实现，目前混合集成电路中应用的陶瓷材料主要有氮化铝HTCC、氧化铝HTCC和LTCC陶瓷基板，这三种陶瓷都是共烧陶瓷。HTCC基板由于烧结温度较高，内部布线和通孔填充的导体材料采用的是高熔点的钨、钼、锰等金属材料，这些材料的方阻较大，在高频下会造成信号传输损耗大、信号延迟等缺陷，因此不利于高频信号的应用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种超高频表贴陶瓷垂直互联结构，旨在解决HTCC基板内部导体方阻大，在高频下造成信号传输损耗大，信号延迟的技术问题。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：提供一种超高频表贴陶瓷垂直互联结构，包括陶瓷介质、正面引脚焊盘、背面引脚焊盘和类同轴结构，正面引脚焊盘设置在所述陶瓷介质正面上，所述正面引脚焊盘周围设有GND区域；背面引脚焊盘设置在所述陶瓷介质背面上，与所述正面引脚焊盘平行设置，所述背面引脚焊盘周围设有GND区域；类同轴结构设于所述正面引脚焊盘和所述背面引脚焊盘之间，包括平行设置的射频信号垂直过渡孔和接地垂直过渡孔，所述正面引脚焊盘和所述背面引脚焊盘之间通过所述射频信号垂直过渡孔连通，所述接地垂直过渡孔为多个，且均围绕所述射频信号垂直过渡孔的圆周向均匀布设；所述射频信号垂直过渡孔的轴向与所述正面引脚焊盘平面垂直设置。作为本申请另一实施例，所述正面引脚焊盘为上窄下宽的弧形构件，且弧形构件呈凸字型。作为本申请另一实施例，所述正面引脚焊盘包括正面焊盘、键合焊盘和过渡段，正面焊盘设置在所述射频信号垂直过渡孔正面并与所述射频信号垂直过渡孔连通；键合焊盘用于与芯片键合；过渡段设置并连接在所述正面焊盘和所述键合焊盘之间，所述正面焊盘、所述键合焊盘和所述过渡段组成形成凸字型结构。作为本申请另一实施例，所述正面焊盘为圆形构件，所述键合焊盘和所述过渡段均呈长方形构件。作为本申请另一实施例，所述射频信号垂直过渡孔为内导体，多个所述接地垂直过渡孔为外导体，所述射频信号垂直过渡孔和多个所述接地垂直过渡孔共同形成以所述陶瓷介质为基材的类同轴结构。作为本申请另一实施例，所述背面引脚焊盘包括背面焊盘和焊接段，背面焊盘设置在所述射频信号垂直过渡孔背面并与所述射频信号垂直过渡孔连通；焊接段与所述背面焊盘连接，并用于与PCB板焊接配合连接。作为本申请另一实施例，所述正面焊盘和所述背面焊盘之间通过所述射频信号垂直过渡孔连通并实现信号传递。作为本申请另一实施例，所述背面焊盘为圆形构件，所述焊接段为长方形构件。作为本申请另一实施例，所述陶瓷介质的厚度为0.5mm,所述正面引脚焊盘和所述背面引脚焊盘的镀层均为镍钯金，镍钯金的厚度为0.065mm。本专利技术提供的超高频表贴陶瓷垂直互联结构的有益效果在于：与现有技术相比，本专利技术超高频表贴陶瓷垂直互联结构，通过在陶瓷介质上设置正面引脚焊盘、背面引脚焊盘，通过设置射频信号垂直过渡孔连通并实现信号传输，接地垂直过渡孔为多个，且均围绕射频信号垂直过渡孔的圆周向均匀布设，射频信号垂直过渡孔的轴向与所述正面引脚焊盘平面垂直设置；解决了HTCC基板内部导体方阻大，在高频下造成信号传输损耗大，信号延迟的技术问题，优点是可提高射频垂直传输性能，其能在陶瓷之间实现DC-40GHz宽带高频信号的传输，且其结构为垂直互联结构，在40GHz以内，可以实现射频信号良好的垂直传输，回波损耗S11和S22优于-10dB，超高频表贴陶瓷垂直互联结构设计简单，适合回流焊工艺，操作简便。本专利技术还提供了一种封装结构，封装结构包括上述的超高频表贴陶瓷垂直互联结构。本专利技术提供的封装结构的有益效果在于：与现有技术相比，本专利技术封装结构包括了超高频表贴陶瓷垂直互联结构，可提高射频垂直传输性能，其能在陶瓷之间实现DC-40GHz宽带高频信号的传输，且其结构为垂直互联结构，在40GHz以内，可以实现射频信号良好的垂直传输，回波损耗S11和S22优于-10dB，超高频表贴陶瓷垂直互联结构设计简单，适合回流焊工艺，操作简便。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的超高频表贴陶瓷垂直互联结构的正面结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的超高频表贴陶瓷垂直互联结构的背面结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的超高频表贴陶瓷垂直互联结构的剖视结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的超高频表贴陶瓷垂直互联结构的透视结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的超高频表贴陶瓷垂直互联结构的正面轴测图；图6为本专利技术实施例提供的超高频表贴陶瓷垂直互联结构的背面轴测图；图7为本专利技术实施例提供的超高频表贴陶瓷垂直互联结构的正面透视图。图中：1、陶瓷介质；2、正面引脚焊盘；21、正面焊盘；22、键合焊盘；23、过渡段；3、背面引脚焊盘；31、背面焊盘；32、焊接段；4、射频信号垂直过渡孔；5、接地垂直过渡孔。具体实施方式为了使本专利技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。请一并参阅图1至图7，现对本专利技术提供的超高频表贴陶瓷垂直互联结构进行说明。所述超高频表贴陶瓷垂直互联结构，包括陶瓷介质1、正面引脚焊盘2、背面引脚焊盘3和类同轴结构，正面引脚焊盘2设置在陶瓷介质1正面上，正面引脚焊盘2周围设有GND区域；背面引脚焊盘3设置在陶瓷介质1背面上，与正面引脚焊盘2平行设置，背面引脚焊盘3周围设有GND区域；类同轴结构设于正面引脚焊盘2和背面引脚焊盘3之间，包括平行设置的射频信号垂直过渡孔4和接地垂直过渡孔5，正面引脚焊盘2和背面引脚焊盘3之间通过射频信号垂直过渡孔4连通，接地垂直过渡孔5为多个，且均围绕射频信号垂直过渡孔4的圆周向均匀布设；射频信号垂直过渡孔4的轴向与正面引脚焊盘2平面垂直设置。本专利技术提供的超高频表贴陶瓷垂直互联结构，与现有技术相比，本专利技术超高频表贴陶瓷垂直互联结构，通过在陶瓷介质1上设置正面引脚焊盘2、背面引脚焊盘3，通过设置射频信号垂直过渡孔4连通并实现信号传输，接地垂直过渡孔5为多个，且均围绕射频信号垂直过渡孔4的圆周向均匀布设，射频信号垂直过渡孔4的轴向与正面引脚焊盘2平面垂直设置；解决了HTCC基板内部导体方阻大，在高频下造成信号传输损耗大，信号延迟的技术问题，优点是可提高射频垂直传输性能，其能在陶瓷之间实现DC-40GHz宽本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.超高频表贴陶瓷垂直互联结构，其特征在于，包括：/n陶瓷介质；/n正面引脚焊盘，设置在所述陶瓷介质正面上，所述正面引脚焊盘周围设有GND区域；/n背面引脚焊盘，设置在所述陶瓷介质背面上，与所述正面引脚焊盘平行设置，所述背面引脚焊盘周围设有GND区域；以及/n类同轴结构，设于所述正面引脚焊盘和所述背面引脚焊盘之间，包括平行设置的射频信号垂直过渡孔和接地垂直过渡孔，所述正面引脚焊盘和所述背面引脚焊盘之间通过所述射频信号垂直过渡孔连通，所述接地垂直过渡孔为多个，且均围绕所述射频信号垂直过渡孔的圆周向均匀布设；所述射频信号垂直过渡孔的轴向与所述正面引脚焊盘平面垂直设置。/n

【技术特征摘要】
1.超高频表贴陶瓷垂直互联结构，其特征在于，包括：
陶瓷介质；
正面引脚焊盘，设置在所述陶瓷介质正面上，所述正面引脚焊盘周围设有GND区域；
背面引脚焊盘，设置在所述陶瓷介质背面上，与所述正面引脚焊盘平行设置，所述背面引脚焊盘周围设有GND区域；以及
类同轴结构，设于所述正面引脚焊盘和所述背面引脚焊盘之间，包括平行设置的射频信号垂直过渡孔和接地垂直过渡孔，所述正面引脚焊盘和所述背面引脚焊盘之间通过所述射频信号垂直过渡孔连通，所述接地垂直过渡孔为多个，且均围绕所述射频信号垂直过渡孔的圆周向均匀布设；所述射频信号垂直过渡孔的轴向与所述正面引脚焊盘平面垂直设置。


2.如权利要求1所述的超高频表贴陶瓷垂直互联结构，其特征在于，所述正面引脚焊盘为上窄下宽的弧形构件，且弧形构件呈凸字型。


3.如权利要求1所述的超高频表贴陶瓷垂直互联结构，其特征在于，所述正面引脚焊盘包括：
正面焊盘，设置在所述射频信号垂直过渡孔正面并与所述射频信号垂直过渡孔连通；
键合焊盘，用于与芯片键合；以及
过渡段，设置并连接在所述正面焊盘和所述键合焊盘之间，所述正面焊盘、所述键合焊盘和所述过渡段组成形成凸字型结构。


4.如权利要求3所述的超高频表贴陶瓷垂直互联结构，其特征在于，所述正...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱春雨，李萌，白银超，赵瑞华，王磊，赵正桥，王晟，苏晓晨，韩猛，刘星，高占岭，杨添延，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13