磁头以及磁记录装置制造方法及图纸

提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头和电气电路。磁头包括磁极、第1屏蔽件、和设置在磁极与第1屏蔽件之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、第2磁性层、设置在第1磁性层与第2磁性层之间的第1层以及设置在第1磁性层与第1层之间的第1非磁性层，所述第1层包含选自由Ta、Zr、Hf、Mo、W、Tc、Re、Ru、Rh、Os、Ir、Pd、Pt、Mn、Cr、V、Ti、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、GD、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中的至少一种。电气电路向层叠体供给电流。

【技术实现步骤摘要】
磁头以及磁记录装置本申请以日本专利申请2019-182718(申请日2019年10月3日)为基础，根据该申请享受优先权。本申请通过参照该申请，包含该申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及磁头以及磁记录装置。
技术介绍
使用磁头向HDD(HardDiskDrive，硬盘驱动器)等的磁存储介质记录信息。在磁头以及磁记录装置中，希望提高记录密度。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。用于解决问题的技术方案根据本专利技术的实施方式，磁记录装置包括磁头和电气电路。所述磁头包括：磁极；第1屏蔽件；以及层叠体，其设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间。所述层叠体包括：第1磁性层；第2磁性层；第1层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间，包含选自由Ta、Zr、Hf、Mo、W、Tc、Re、Ru、Rh、Os、Ir、Pd、Pt、Mn、Cr、V、Ti、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中的至少一种；以及第1非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第1层之间。所述层叠体的电阻相对于在所述层叠体中流动的电流密度的变化的变化率，在所述电流密度处于第1范围时具有第1值，在所述电流密度处于第2范围时具有第2值，在所述电流密度处于第3范围时具有第3值。所述第2范围处于所述第1范围与所述第3范围之间。所述第2值比所述第1值高，所述第2值比所述第3值高。所述电气电路向所述层叠体供给所述第3范围内的电流密度的电流。根据上述结构的磁头，能够提供能提高记录密度的磁头以及磁记录装置。附图说明图1的(a)和图1的(b)是例示第1实施方式涉及的磁记录装置的示意性剖视图。图2是例示实施方式涉及的磁头的特性的图表。图3是例示磁头的特性的图表。图4是例示磁头的特性的图表。图5是例示磁头的特性的图表。图6是例示第1实施方式涉及的磁记录装置的示意性剖视图。图7是例示磁记录装置的特性的表。图8是例示第1实施方式涉及的磁记录装置的示意性剖视图。图9是例示第1实施方式涉及的磁记录装置的示意性剖视图。图10是例示第1实施方式涉及的磁记录装置的示意性剖视图。图11的(a)～图11的(c)是例示磁头的特性的图表。图12是例示磁头的特性的图表。图13是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。图14是例示第1实施方式涉及的磁记录装置的示意性立体图。图15是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。图16是例示第2实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性立体图。图17是例示第2实施方式涉及的磁记录装置的示意性立体图。图18的(a)和图18的(b)是例示第2实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性立体图。标号说明20层叠体；20D电气电路；21～23第1磁性层～第3磁性层；21M、22M磁化；22Ma参数；22Mx成分；25第1层；26第2层；30磁极；30D记录电路；30F介质对向面；30M磁化；30Mx成分；30c线圈；30i绝缘部；31、32第1屏蔽件、第2屏蔽件；31M磁化；41～43第1非磁性层～第3非磁性层；60记录部；70再现部；71磁再现元件；72a、72b第1再现磁屏蔽件、第2再现磁屏蔽件；80磁记录介质；81磁记录层；82介质基板；83磁化；85介质移动方向；θ1角度；110～115磁头；150磁记录装置；154悬架；155臂；156音圈马达；157轴承部；158头万向架组件；159头滑块；159A空气流入侧；159B空气流出侧；160头堆叠组件；161支承框架；162线圈；180记录用介质盘；180M主轴马达；181记录介质；190信号处理部；210磁记录装置；AR箭头；BER1变化量；D1第1方向；G增益；Iw记录电流；J20电流密度；JR1～JR3第1范围～第3范围；Jo值；Jth阈值；Lg距离；OW1变化量；R1电阻；ST1、ST2第1状态、第2状态；Sp变化；T1、T2第1端子、第2端子；V1施加电压；W1、W2布线；i1电流；je1电子流；sp1～sp9试料；t21、t22、t25、t41、t42、t43厚度；tm时间具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的各实施方式进行说明。附图是示意性或者概念性的附图，各部分的厚度和宽度的关系、部分间的大小的比率等并不一定限于与现实的情况相同。即使是在表示相同的部分的情况下，有时也通过附图以彼此的尺寸、比率不同的方式来表示。在本申请说明书和各图中，对与关于前面出现的附图已经描述过的要素同样的要素标记同一标号，适当省略详细的说明。(第1实施方式)图1的(a)和图1的(b)是例示第1实施方式涉及的磁记录装置的示意性剖视图。如图1的(a)所示，实施方式涉及的磁记录装置210包括磁头110和磁记录介质80。通过磁头110向磁记录介质80记录信息。磁记录介质80例如是垂直记录介质。关于磁记录介质80的例子，将在后面进行描述。如图1的(a)所示，磁头110包括磁极30、第1屏蔽件31以及层叠体20。层叠体20设置在磁极30与第1屏蔽件31之间。层叠体20包括第1磁性层21、第2磁性层22、第1层25以及第1非磁性层41。第1层25设置在第1磁性层21与第2磁性层22之间。第1层25例如包含选自由Ta、Zr、Hf、Mo、W、Tc、Re、Ru、Rh、Os、Ir、Pd、Pt、Mn、Cr、V、Ti、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组(第1组)中的至少一种。第1非磁性层41设置在第1磁性层21与第1层25之间。磁极30例如是主磁极。磁极30和第1屏蔽件31例如形成磁路。如后述的那样，在磁极30(或者/以及第1屏蔽件31)设置有线圈。从磁极30产生与在线圈中流动的记录电流相应的记录磁场。所产生的记录磁场的至少一部分朝向磁记录介质80。记录磁场的至少一部分被施加于磁记录介质80。磁记录介质80中的被施加了记录磁场的部分的磁化的方向由记录磁场来控制。由此，向磁记录介质80记录与记录磁场的方向相应的信息。例如，记录磁场的至少一部分在朝向了磁记录介质80之后，朝向第1屏蔽件31。将从磁极30朝向第1屏蔽件31的方向设为X轴方向。X轴方向例如是沿磁道(downtrack，循着轨道)方向。在该例子中，第2磁性层22位于第1磁性层21与第1屏蔽件31之间。在磁极30与第1屏蔽件31之间具有第1磁性层21。在第1磁性层21与第1屏蔽件31之间具有第1非磁性层41。在第1非磁性层41与第1屏蔽件31之间具有第1层25。在第1层25与第1屏蔽件31之间具有第2磁性层22。例如，第1层25与第1非磁性层41以及第2磁性层22相接。例如，第1非磁性层41与第1磁性层21以及第1层25相接。能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁记录装置，具备：/n磁头；和/n电气电路，/n所述磁头包括：/n磁极；/n第1屏蔽件；以及/n层叠体，其设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间，/n所述层叠体包括：/n第1磁性层；/n第2磁性层；/n第1层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间，包含选自由Ta、Zr、Hf、Mo、W、Tc、Re、Ru、Rh、Os、Ir、Pd、Pt、Mn、Cr、V、Ti、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中的至少一种；以及/n第1非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第1层之间，/n所述层叠体的电阻相对于在所述层叠体中流动的电流密度的变化的变化率，在所述电流密度处于第1范围时具有第1值，在所述电流密度处于第2范围时具有第2值，在所述电流密度处于第3范围时具有第3值，所述第2范围处于所述第1范围与所述第3范围之间，所述第2值比所述第1值高，所述第2值比所述第3值高，/n所述电气电路向所述层叠体供给所述第3范围内的电流密度的电流。/n

【技术特征摘要】
20191003 JP 2019-1827181.一种磁记录装置，具备：
磁头；和
电气电路，
所述磁头包括：
磁极；
第1屏蔽件；以及
层叠体，其设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间，
所述层叠体包括：
第1磁性层；
第2磁性层；
第1层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间，包含选自由Ta、Zr、Hf、Mo、W、Tc、Re、Ru、Rh、Os、Ir、Pd、Pt、Mn、Cr、V、Ti、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中的至少一种；以及
第1非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第1层之间，
所述层叠体的电阻相对于在所述层叠体中流动的电流密度的变化的变化率，在所述电流密度处于第1范围时具有第1值，在所述电流密度处于第2范围时具有第2值，在所述电流密度处于第3范围时具有第3值，所述第2范围处于所述第1范围与所述第3范围之间，所述第2值比所述第1值高，所述第2值比所述第3值高，
所述电气电路向所述层叠体供给所述第3范围内的电流密度的电流。


2.根据权利要求1所述的磁记录装置，
所述第1磁性层包含：
第1元素，其包含选自由Fe、Ni以及Co构成的组中的至少一种；和
第2元素，其包含选自由Cr、V、Mn、Ti以及Sc构成的组中的至少一种。


3.根据权利要求1所述的磁记录装置，
所述第2磁性层包括选自由第1材料层、第2材料层以及第3材料层构成的组中的至少一个，
所述第1材料层包含CoFe，
所述第2材料层包括第1CoFe层、第2CoFe层、以及设置在所述第1CoFe层与所述第2CoFe层之间的NiFe层，
所述第3材料层包括多个CoFe层和设置在所述多个CoFe层之间的Ni层。


4.根据权利要求1所述的磁记录装置，
所述层叠体还包括第2非磁性层，
所述第1磁性层位于所述第2非磁性层与所述第1非磁性层之间，
所述第2非磁性层包含选自由Ta、Cr以及Cu构成的组中的至少一种，
所述第2非磁性层的厚度为2nm以上且5nm以下。


5.根据权利要求1所述的磁记录装置，
所述层叠体还包括第3非磁性层，
所述第2磁性层处于所述第1层与所述第3非磁性层之间，
所述第3非磁性层包含选自由Cr、Cu、Ag以及Au构成的组中的至少一种，
所述第3非磁性层的厚度为1nm以上且4nm以下。


6.根据权利要求5所述的磁记录装置，
所述层叠体还包括第3磁性层，
在所述第2磁性层与所述第3磁性层...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩崎仁志，高岸雅幸，成田直幸，永泽鹤美，首藤浩文，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP