一种基于三电平T型拓扑布局的变流器制造技术

本实用新型专利技术涉及电气设备技术领域，尤其涉及一种基于三电平T型拓扑布局的变流器，其中，包括：一电容组；复数个变流单元，每个变流单元与电容组通过一第一母排可拆卸地连接；电容组通过一第二母排可拆卸地连接一第一母排；每个变流单元通过一第三母排可拆卸地连接一第一母排；用以通过拆除第一母排、第二母排以及第三母排，以实现电容组和每个变流单元之间的独立安装。有益效果：通过将每个变流单元与电容组通过第一母排可拆卸地连接，使得通过拆除第一母排、第二母排以及第三母排，实现电容组和每个变流单元之间的独立安装，以及维护和更换操作，且无需增加整流二极管，以减小损耗和空间。

【技术实现步骤摘要】
一种基于三电平T型拓扑布局的变流器
本技术涉及电气设备
，尤其涉及一种基于三电平T型拓扑布局的变流器。
技术介绍
变流器是使电源系统的电压、频率、相数和其他电量或特性发生变化的电器设备。在实际应用中，有些情况中需要将交流电源变成直流电源，这就是整流电路，而在另外一些情况中需要将直流电源变成交流电源，这种对应于整流的逆向过程，定义为逆变电路。在一定条件下，一套晶闸管电路既可以作整流电路又可作逆变电路，这种装置称为变流器。现有技术中的变流器采用两电平拓扑结构，该结构的损耗较高，且工作效率较低。另外，目前针对三电平拓扑布局的常用结构主要有I型和T型两种，其中I型电路比T心电路多两个整流二极管，因此，I型电路所占空间较大且损耗较多。因此，针对上述技术问题，成为本领域技术人员亟待解决的难题。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种一种基于三电平T型拓扑布局的变流器。具体技术方案如下：本技术提供一种基于三电平T型拓扑布局的变流器，其中，包括：一电容组；复数个变流单元，每个所述变流单元与所述电容组通过一第一母排可拆卸地连接；所述电容组通过一第二母排可拆卸地连接一第一母排；每个所述变流单元通过一第三母排可拆卸地连接一第一母排；用以通过拆除所述第一母排、所述第二母排以及所述第三母排，以实现所述电容组和每个所述变流单元之间的独立安装。优选的，每个所述变流单元包括一控制电路，所述控制电路包括：至少四个MOS管，至少四个所述MOS管包括一第一MOS管、一第二MOS管、一第三MOS管以及一第四MOS管；至少两个电容，至少两个电容包括一第一电容以及一第二电容。优选的，所述控制电路还包括：一三相输出端；三个输入端，所述三个输入端分别包括一第一输入端、一第二输入端以及一第三输入端。优选的，所述第一MOS管连接于所述第一输入端和所述三相输出端之间；所述第一MOS管的漏极连接至所述第一输入端，所述第一MOS管的源极连接至所述三相输出端。优选的，所述第二MOS管连接于所述第三输入端和所述三相输出端之间；所述第二MOS管漏极连接至所述三相输出端，所述第二MOS管的源极连接至所述第三输入端。优选的，所述第一电容的正极连接至所述第一输入端，所述第一电容的负极连接至所述第二输入端。优选的，所述第二电容的正极连接至所述第二输入端，所述第二电容的负极连接至所述第三输入端。优选的，所述第三MOS管的漏极连接至所述三相输出端。优选的，所述第四MOS管的漏极连接至所述第二输入端，所述第四MOS管的源极连接至所述第三MOS管的源极。优选的，所述电容组中的电容与所述第二母排串联；和\或所述电容组中的电容与所述第二母排并联；每个所述变流单元与所述第三母排串联；和\或每个所述变流单元与所述第三母排并联。上述技术方案具有如下优点或有益效果：通过将每个变流单元与电容组通过第一母排可拆卸地连接，使得通过拆除第一母排、第二母排以及第三母排，实现电容组和每个变流单元之间的独立安装，以及维护和更换操作，以解决变流器因为体积大、重量过重带来的安装、维护和更换不便的问题，且无需增加整流二极管，以减小损耗和空间。附图说明参考所附附图，以更加充分的描述本技术的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本技术范围的限制。图1为本技术的实施例的整体结构示意图；图2为本技术的实施例的变流单元的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，但不作为本技术的限定。本技术提供一种基于三电平T型拓扑布局的变流器，如图1所示，其中，包括：一电容组1；复数个变流单元2，每个变流单元2与电容组1通过一第一母排3可拆卸地连接；电容组1通过一第二母排(图中未显示)可拆卸地连接一第一母排3；每个变流单元2通过一第三母排20可拆卸地连接一第一母排3；用以通过拆除第一母排3、第二母排(图中未显示)以及第三母排20，以实现电容组1和每个变流单元2之间的独立安装。本实施例中，采用的是基于三电平T型拓扑布局的变流器，即通过将电容组1与每个变流单元2通过第一母排3可拆卸地连接，从而可通过拆除第一母排3、第二母排(图中未显示)以及第三母排20，实现电容组1和每个变流单元2之间的独立安装，以及维护和更换操作，以解决变流器因为体积大、重量过重带来的安装、维护和更换不便的问题，且无需增加整流二极管，以减小损耗和空间。进一步地，本实施例中，电容组1和每个变流单元2中都有各自独立的母排，即第二母排(图中未显示)为电容组1中独立的母排，第三母排20为每个变流单元2中独立的母排。进一步地，与现有技术中的两电平拓扑结构相比，本实施例中的三电平结构除了使单个晶体管阻断电压减半之外，还具有谐波小、损耗低、效率高等优点。另外，需要说明的是，本实施例中的第一母排3、第二母排(图中未显示)以及第三母排20均为直流母排。在一种较优的实施例中，如图2所示，每个变流单元2包括一控制电路21，控制电路21包括：至少四个MOS管，至少四个MOS管包括一第一MOS管Q1、一第二MOS管Q2、一第三MOS管Q3以及一第四MOS管Q4；至少两个电容，至少两个电容包括一第一电容C1以及一第二电容C2。具体地，每个变流单元2包括有第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4以及第一电容C1和第二电容C2，通过该六个电气部件电连接形成本实施例中的控制电路21。在一种较优的实施例中，控制电路21还包括：一三相输出端U\V\W；三个输入端，三个输入端分别包括一第一输入端PBUS、一第二输入端M以及一第三输入端NBUS。具体地，如图2所示，本实施例中的第一输入端PBUS为第一母排3的正极，第二输入端M为第一母排3的中间端，第三输入端NBUS为第一母排3的负极。在一种较优的实施例中，第一MOS管Q1连接于第一输入端PBUS和三相输出端U\V\W之间；第一MOS管Q1的漏极连接至第一输入端PBUS，第一MOS管Q1的源极连接至三相输出端U\V\W。在一种较优的实施例中，第二MOS管Q2连接于第三输入端NBUS和三相输出端U\V\W之间；第二MOS管Q2漏极连接至三相输出端U\V本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于三电平T型拓扑布局的变流器，其特征在于，包括：/n一电容组；/n复数个变流单元，每个所述变流单元与所述电容组通过一第一母排可拆卸地连接；/n所述电容组通过一第二母排可拆卸地连接一第一母排；/n每个所述变流单元通过一第三母排可拆卸地连接一第一母排；/n用以通过拆除所述第一母排、所述第二母排以及所述第三母排，以实现所述电容组和每个所述变流单元之间的独立安装。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于三电平T型拓扑布局的变流器，其特征在于，包括：
一电容组；
复数个变流单元，每个所述变流单元与所述电容组通过一第一母排可拆卸地连接；
所述电容组通过一第二母排可拆卸地连接一第一母排；
每个所述变流单元通过一第三母排可拆卸地连接一第一母排；
用以通过拆除所述第一母排、所述第二母排以及所述第三母排，以实现所述电容组和每个所述变流单元之间的独立安装。


2.如权利要求1所述的变流器，其特征在于，每个所述变流单元包括一控制电路，所述控制电路包括：
至少四个MOS管，至少四个所述MOS管包括一第一MOS管、一第二MOS管、一第三MOS管以及一第四MOS管；
至少两个电容，至少两个电容包括一第一电容以及一第二电容。


3.如权利要求2所述的变流器，其特征在于，所述控制电路还包括：
一三相输出端；
三个输入端，所述三个输入端分别包括一第一输入端、一第二输入端以及一第三输入端。


4.如权利要求3所述的变流器，其特征在于，所述第一MOS管连接于所述第一输入端和所述三相输出端之间；
所述第一MOS管的漏极连接至所述第一输入端，所述第一MO...

【专利技术属性】
技术研发人员：仲华，齐亮，王旭，陈江洪，陈尚文，于涛，潘嘉科，陈光，肖智明，
申请(专利权)人：上海电气富士电机电气技术有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31