载置台和等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种载置台和等离子体处理装置。提供使基板温度的面内均匀性提高的载置台。提供一种载置台，该载置台具有：载置面，其用于载置基板；电极，其配置在所述载置面的下方，用于施加偏压电力；供电线，其配置在所述电极的下方，用于施加偏压电力；以及供电端子，其将所述电极和所述供电线电连接，该供电端子与所述电极连接的面的面积大于与所述供电线连接的面的面积。

【技术实现步骤摘要】
载置台和等离子体处理装置
本公开涉及载置台和等离子体处理装置。
技术介绍
存在如下情况：在等离子体处理装置的载置台的载置面设有静电卡盘和边缘环(也称为聚焦环。)，在静电卡盘和边缘环埋设吸附电极、偏压施加用电极、加热器等。例如，在专利文献1中，公开了作为供电端子与电极连接的圆筒形状的触头构造。专利文献1：日本特开2018－110216号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题由于电流流过供电端子而在触头部分发热，在该影响下，基板的温度有时会变得不均匀。本公开提供一种能够使基板温度的面内均匀性提高的技术。用于解决问题的方案根据本公开的一技术方案，提供一种载置台，该载置台具有：载置面，其用于载置基板；电极，其配置在所述载置面的下方，用于施加偏压电力；供电线，其配置在所述电极的下方，用于施加偏压电力；以及供电端子，其将所述电极和所述供电线电连接，该供电端子与所述电极连接的面的面积大于与所述供电线连接的面的面积。专利技术的效果根据一技术方案，能够使基板温度的面内均匀性提高。附图说明图1是表示一实施方式所涉及的等离子体处理装置的一个例子的剖面示意图。图2是表示一实施方式所涉及的载置台的构造的一个例子的图。图3是表示一实施方式所涉及的载置台的各电极与电源之间的连接的一个例子的图。图4是表示一实施方式所涉及的电极触头的一个例子的图。图5是表示一实施方式所涉及的电极触头的另一例子的图。图6是表示一实施方式所涉及的载置台的A－A截面、B－B截面、C－C截面的图。具体实施方式以下，参照附图说明用于实施本公开的方式。在各附图中，存在对同样的构成部分标注相同的附图标记，并省略重复的说明的情况。[等离子体处理装置]图1是概略地表示一实施方式所涉及的等离子体处理装置1的图。图1所示的等离子体处理装置1为电容耦合型的装置。等离子体处理装置1具有腔室10。腔室10在其中提供了内部空间10s。腔室10包含腔室主体12。腔室主体12具有大致圆筒形状。在腔室主体12的内侧提供了内部空间10s。腔室主体12由例如铝形成。在腔室主体12的内壁面上设有具有耐腐蚀性的膜。具有耐腐蚀性的膜可以是由氧化铝、氧化钇这样的陶瓷形成的膜。在腔室主体12的侧壁形成有通路12p。在基板W于内部空间10s与腔室10的外部之间被输送时基板W穿过通路12p。通路12p能够利用闸阀12g开闭。闸阀12g沿着腔室主体12的侧壁设置。在腔室主体12的底部上设有支承部13。支承部13由绝缘性材料形成。支承部13具有大致圆筒形状。支承部13在内部空间10s之中自腔室主体12的底部向上方延伸。在支承部13上设有构件15。构件15可以由石英这样的绝缘体形成。构件15可以是具有环形状的板状体。等离子体处理装置1还具备基板载置台，即一个例示性的实施方式所涉及的载置台14。载置台14被支承部13支承。载置台14设于内部空间10s之中。载置台14构成为在腔室10内，即内部空间10s之中支承基板W。载置台14具有下部电极18和一个例示性的实施方式所涉及的静电卡盘20。载置台14可以还具有电极板16。电极板16由例如铝这样的导体形成，具有大致圆盘形状。下部电极18设于电极板16上。下部电极18由例如铝(Al)、钛(Ti)这样的导体形成，具有大致圆盘形状。下部电极18与电极板16电连接。下部电极18的外周面和电极板16的外周面由支承部13包围。电极板16和下部电极18为支承静电卡盘20的基台的一个例子。静电卡盘20设于下部电极18上。静电卡盘20的边缘和边缘环26由构件15包围。静电卡盘20支承基板W和一个例示性的实施方式所涉及的边缘环26。基板W具有例如圆盘形状，载置在静电卡盘20上。边缘环26以包围基板W的边缘的方式搭载在静电卡盘20上。边缘环26的外缘部分可以在构件15之上延伸。边缘环26为具有环形状的构件。边缘环26没有被限定，但可以由硅、碳化硅或者石英形成。边缘环26也被称为聚焦环。在下部电极18的内部设有流路18f。自设于腔室10的外部的冷却单元22经由配管22a向流路18f供给热交换介质(例如制冷剂)。供给到流路18f的热交换介质经由配管22b向冷却单元22返回。对于等离子体处理装置1，利用热交换介质与下部电极18之间的热交换来调整载置在静电卡盘20上的基板W的温度。在等离子体处理装置1设有气体供给线路24。气体供给线路24将来自传热气体供给机构的传热气体(例如He气体)向静电卡盘20的上表面与基板W的下表面之间供给。等离子体处理装置1还具备上部电极30。上部电极30设于载置台14的上方。上部电极30借助构件32支承于腔室主体12的上部。构件32由具有绝缘性的材料形成。上部电极30和构件32封闭腔室主体12的上部开口。上部电极30可以包含顶板34和支承体36。顶板34的下表面为靠内部空间10s侧的下表面，划分出内部空间10s。顶板34可以由焦耳热较少的低电阻的导电体或者半导体形成。在顶板34形成有多个气体喷出孔34a。多个气体喷出孔34a沿顶板34的板厚方向贯通顶板34。支承体36将顶板34支承为装卸自如。支承体36由铝这样的导电性材料形成。在支承体36的内部设有气体扩散室36a。在支承体36形成有多个气体孔36b。多个气体孔36b自气体扩散室36a向下方延伸。多个气体孔36b与多个气体喷出孔34a分别连通。在支承体36形成有气体导入口36c。气体导入口36c与气体扩散室36a连接。在气体导入口36c连接有气体供给管38。在气体供给管38连接有气体供给部GS。气体供给部GS包含气体源组40、阀组41、流量控制器组42以及阀组43。气体源组40经由阀组41、流量控制器组42以及阀组43连接于气体供给管38。气体源组40包含多个气体源。阀组41和阀组43均包含多个开闭阀。流量控制器组42包含多个流量控制器。流量控制器组42的多个流量控制器分别为质量流量控制器或者压力控制式的流量控制器。气体源组40的多个气体源分别经由阀组41的对应的开闭阀、流量控制器组42的对应的流量控制器以及阀组43的对应的开闭阀连接于气体供给管38。对于等离子体处理装置1，沿着腔室主体12的内壁面以装卸自如的方式设有屏蔽件46。屏蔽件46还设于支承部13的外周。屏蔽件46防止蚀刻副产物等反应产物在腔室主体12附着。屏蔽件46例如通过在由铝形成的构件的表面形成具有耐腐蚀性的膜来构成。具有耐腐蚀性的膜可以是由氧化钇这样的陶瓷形成的膜。在支承部13与腔室主体12的侧壁之间设有挡板48。挡板48例如通过在由铝形成的构件的表面形成具有耐腐蚀性的膜来构成。具有耐腐蚀性的膜可以是由氧化钇这样的陶瓷形成的膜。在挡板48形成有多个贯通孔。在挡板48的下方、且是腔室主体12的底部设有排气口12e。在排气口12e经由排气管52连接有排气装置50。排气装置50具有压力调整阀和涡轮分子泵这样的真空泵。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种载置台，其中，/n该载置台具有：/n载置面；/n电极，其配置在所述载置面的下方，用于施加偏压电力；/n供电线，其配置在所述电极的下方，用于施加偏压电力；以及/n供电端子，其将所述电极和所述供电线电连接，该供电端子与所述电极连接的面的面积大于与所述供电线连接的面的面积。/n

【技术特征摘要】
20191001 JP 2019-1815741.一种载置台，其中，
该载置台具有：
载置面；
电极，其配置在所述载置面的下方，用于施加偏压电力；
供电线，其配置在所述电极的下方，用于施加偏压电力；以及
供电端子，其将所述电极和所述供电线电连接，该供电端子与所述电极连接的面的面积大于与所述供电线连接的面的面积。


2.根据权利要求1所述的载置台，其中，
所述载置面具有用于载置基板的第1载置面和用于载置配置在所述基板的周围的边缘环的第2载置面，
所述电极具有：
第1电极，其配置在所述第1载置面的下方；以及
第2电极，其配置在所述第2载置面的下方。


3.根据权利要求2所述的载置台，其中，
与所述第2电极连接的所述供电端子沿所述边缘环的周向以均等的间隔配置。...

【专利技术属性】
技术研发人员：田村一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP