存储介质、半导体机台的控制方法及控制装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种存储介质、半导体机台的控制方法及控制装置。半导体机台的控制方法包括：在第一腔室对第一半导体器件进行工艺处理之后，控制在第一时间段内对所述第一腔室进行清洁；在第二腔室对第二半导体器件进行工艺处理之后，控制在第二时间段内对所述第二腔室进行清洁，其中，所述第一腔室对所述第一半导体器件进行的处理工艺和所述第二腔室对所述第二半导体器件进行的处理工艺相同，所述第一时间段和所述第二时间段相邻，且所述第一时间段和所述第二时间段错开。本发明专利技术解决了半导体器件的生产效率较低的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
存储介质、半导体机台的控制方法及控制装置
本专利技术涉及半导体器件
，特别涉及一种存储介质、半导体机台的控制方法及控制装置。
技术介绍
现有半导体机台的腔室在对半导体器件进行工艺处理之后，均需要进行清洁。在半导体器件量产的过程中，若是对腔室进行清洁，会导致后续的半导体器件停留在前一个工艺的腔室，无法进行后续的工艺处理，这会影响半导体器件的生产效率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种存储介质、半导体机台的控制方法及控制装置，以解决半导体器件的生产效率较低的技术问题。本专利技术提供一种半导体机台的控制方法，包括：在第一腔室对第一半导体器件进行工艺处理之后，控制在第一时间段内对所述第一腔室进行清洁；在第二腔室对第二半导体器件进行工艺处理之后，控制在第二时间段内对所述第二腔室进行清洁，其中，所述第一腔室对所述第一半导体器件进行的处理工艺和所述第二腔室对所述第二半导体器件进行的处理工艺相同，所述第一时间段和所述第二时间段相邻，且所述第一时间段和所述第二时间段错开。其中，所述第一时间段包括第一开始时刻和第一结束时刻，所述第二时间段包括第二开始时刻和第二结束时刻；“所述第一时间段和所述第二时间段错开”包括：所述第二开始时刻位于所述第一开始时刻和所述第一结束时刻之间。其中，所述第一时间段包括第一开始时刻和第一结束时刻，所述第二时间段包括第二开始时刻和第二结束时刻；“所述第一时间段和所述第二时间段错开”包括：所述第二开始时刻和所述第一结束时刻重合；或者，所述第二开始时刻和所述第一结束时刻之间具有时间差。其中，所述第一腔室对第一数量N1的所述第一半导体器件进行工艺处理后，所述第一腔室进行清洁；所述第二腔室对第二数量N2的所述第二半导体器件进行工艺处理后，所述第二腔室进行清洁；每个所述第一半导体器件进行工艺处理的时间和每个所述第二半导体器件进行工艺处理的时间均为T1，所述第一腔室和所述第二腔室进行清洁的时间均为T2；所述控制方法满足条件式：N1≥N2+T2/T1。其中，所述第一腔室对所述第一半导体器件进行第三时间段T3的工艺处理后，所述第一腔室进行清洁；所述第二腔室对所述第二半导体器件进行第四时间段T4的工艺处理后，所述第二腔室进行清洁；每个所述第一半导体器件进行工艺处理的工艺时间和每个所述第二半导体器件进行工艺处理的工艺时间均为T1，所述第一腔室和所述第二腔室进行清洁的清洁时间均为T2；所述控制方法满足条件式：T3≥T4+T2。其中，所述第一腔室对所述第一半导体器件进行的处理工艺为在所述第一半导体器件上形成薄膜，所述第二腔室对所述第二半导体器件进行的处理工艺为在所述第二半导体器件上形成薄膜；在所述第一半导体器件上形成薄膜的过程中，所述第一腔室的腔壁上形成薄膜，在所述第二半导体器件上形成薄膜的过程中，所述第二腔室的腔壁上形成薄膜；在所述第一腔室的腔壁上的薄膜厚度达到第一厚度H1时，所述第一腔室进行清洁；在所述第二腔室的腔壁上的薄膜厚度达到第二厚度H2时，所述第二腔室进行清洁；每个所述第一半导体器件进行工艺处理的工艺时间和每个所述第二半导体器件进行工艺处理的工艺时间均为T1，每个所述第一半导体器件和每个所述第二半导体器件上形成的薄膜厚度均为H0，所述第一腔室和所述第二腔室进行清洁的清洁时间均为T2；所述控制方法满足条件式：H1≥H2+(T2/T1)*H0。本专利技术提供一种半导体机台的控制装置，包括：感应单元与控制单元；所述感应单元用于在感应到第一腔室对第一半导体器件进行工艺处理之后，将第一感应信号传递给所述控制单元，所述控制单元控制在第一时间段内对所述第一腔室进行清洁；所述感应单元还用于在感应到第二腔室对第二半导体器件进行工艺处理之后，将第二感应信号传递给所述控制单元，所述控制单元控制在第二时间段内对所述第二腔室进行清洁，其中，所述第一腔室对所述第一半导体器件进行的处理工艺和所述第二腔室对所述第二半导体器件进行的处理工艺相同，所述第一时间段和所述第二时间段相邻，且所述第一时间段和所述第二时间段错开。其中，所述控制装置还包括清洁单元；“所述控制单元控制在第一时间段内对所述第一腔室进行清洁”包括：所述控制单元在接收到所述第一感应信号时，产生第一控制信号，并将所述第一控制信号传递给所述清洁单元，所述清洁单元在接收到所述第一控制信号后，对所述第一腔室进行清洁；“所述控制单元控制在第二时间段内对所述第二腔室进行清洁”包括：所述控制单元在接收到所述第二感应信号时，产生第二控制信号，并将所述第二控制信号传递给所述清洁单元，所述清洁单元在接收到所述第二控制信号后，对所述第二腔室进行清洁。本专利技术提供一种半导体机台的控制装置，包括：处理器和存储器，所述存储器用于存储在所述处理器上运行的可执行指令，所述处理器用于在运行所述可执行指令时，执行上述的控制方法。本专利技术提供一种存储介质，其上存储有可执行指令，所述可执行指令用于在处理器运行时，执行上述的控制方法。综上所述，本申请通过设置两个腔室(第一腔室和第二腔室)对一个批次的半导体器件(第一半导体器件和第二半导体器件)进行工艺处理，且控制第一腔室进行清洁的第一时间段和第二腔室进行清洁的第二时间段错开，使得第一腔室和第二腔室不同时被进行清除残余物，其中的一个腔室清洁时，另一个腔室可以对一个批次的半导体器件进行工艺处理，处于后续的半导体器件可以在不进行清除残余物的腔室内进行工艺处理，这使得一个批次的半导体器件的工艺流程是通路，不会停滞在某一个工艺节点的腔室，这提升了半导体器件的生产效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的半导体机台的控制方法的流程示意图。图2为本专利技术实施例提供的半导体机台的控制装置的组成结构示意图。图3为本专利技术实施例提供的半导体机台的结构示意图。图4为本专利技术实施例提供的半导体机台的控制装置的硬件组成结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术的提供一种半导体机台的控制方法。请参阅图1，图1为本专利技术提供的一种半导体机台控制方法的流程示意图。本申请通过设置两个腔室(第一腔室和第二腔室)对一个批次的半导体器件(第一半导体器件和第二半导体器件)进行工艺处理，且控制第一腔室进行清洁的第一时间段和第二腔室进行清洁的第二时间段错开，使得第一腔室和第二腔室不同时被进行清除残余物，其中的一个腔室清洁时，另一个腔室可以对一个批次的半导体器件进行工艺处理，处于后续的半导体器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体机台的控制方法，其特征在于，包括：/n在第一腔室对第一半导体器件进行工艺处理之后，控制在第一时间段内对所述第一腔室进行清洁；/n在第二腔室对第二半导体器件进行工艺处理之后，控制在第二时间段内对所述第二腔室进行清洁，其中，所述第一腔室对所述第一半导体器件进行的处理工艺和所述第二腔室对所述第二半导体器件进行的处理工艺相同，所述第一时间段和所述第二时间段相邻，且所述第一时间段和所述第二时间段错开。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体机台的控制方法，其特征在于，包括：
在第一腔室对第一半导体器件进行工艺处理之后，控制在第一时间段内对所述第一腔室进行清洁；
在第二腔室对第二半导体器件进行工艺处理之后，控制在第二时间段内对所述第二腔室进行清洁，其中，所述第一腔室对所述第一半导体器件进行的处理工艺和所述第二腔室对所述第二半导体器件进行的处理工艺相同，所述第一时间段和所述第二时间段相邻，且所述第一时间段和所述第二时间段错开。


2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第一时间段包括第一开始时刻和第一结束时刻，所述第二时间段包括第二开始时刻和第二结束时刻；
“所述第一时间段和所述第二时间段错开”包括：所述第二开始时刻位于所述第一开始时刻和所述第一结束时刻之间。


3.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第一时间段包括第一开始时刻和第一结束时刻，所述第二时间段包括第二开始时刻和第二结束时刻；
“所述第一时间段和所述第二时间段错开”包括：所述第二开始时刻和所述第一结束时刻重合；或者，所述第二开始时刻和所述第一结束时刻之间具有时间差。


4.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第一腔室对第一数量N1的所述第一半导体器件进行工艺处理后，所述第一腔室进行清洁；所述第二腔室对第二数量N2的所述第二半导体器件进行工艺处理后，所述第二腔室进行清洁；每个所述第一半导体器件进行工艺处理的时间和每个所述第二半导体器件进行工艺处理的时间均为T1，所述第一腔室和所述第二腔室进行清洁的时间均为T2；所述控制方法满足条件式：N1≥N2+T2/T1。


5.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第一腔室对所述第一半导体器件进行第三时间段T3的工艺处理后，所述第一腔室进行清洁；所述第二腔室对所述第二半导体器件进行第四时间段T4的工艺处理后，所述第二腔室进行清洁；每个所述第一半导体器件进行工艺处理的工艺时间和每个所述第二半导体器件进行工艺处理的工艺时间均为T1，所述第一腔室和所述第二腔室进行清洁的清洁时间均为T2；所述控制方法满足条件式：T3≥T4+T2。


6.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第一腔室对所述第一半导体器件进行的处理工艺为在所述第一半导体器件上形成薄膜，所述第二腔室对所述第二半导体器件进行的处理工艺为在所述第二半导体器件上形成薄膜；在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕术亮，杭雨薇，李远，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42