基片处理装置和基片处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：能够保持基片的基片保持部；使上述基片保持部绕旋转轴线旋转的旋转驱动部；向上述基片的周缘部释放处理液的处理液喷嘴；和气体喷嘴，其在自上述处理液从上述处理液喷嘴的释放口被释放的时刻起至到达上述基片上的着落点的时刻的期间，向上述处理液释放气体。根据本发明专利技术，能防止或抑制从基片脱离后的处理液再附着于基片。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置和基片处理方法
本专利技术涉及基片处理装置和基片处理方法。
技术介绍
在半导体器件的制造中，执行有以下步骤(称为“倾斜蚀刻”)，即：对于半导体晶片等的圆形基片的周缘部上的不需要的膜，用药液进行湿蚀刻来除去。专利文献1公开了一种用于进行倾斜蚀刻的装置。专利文献1公开的倾斜蚀刻装置包括：将基片以水平姿势保持并使其绕铅垂轴线旋转的真空吸盘；和对旋转的基片的周缘部供给蚀刻用的药液的喷嘴。另外，专利文献1所公开的倾斜蚀刻装置具有用于防止在供给到基片后从基片飞散(脱离)的处理液再附着到基片的环状的防护壁。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-086638号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供一种防止或抑制从基片脱离后的处理液再附着于基片的技术。用于解决问题的技术手段一实施方式的基片处理装置包括：能够保持基片的基片保持部；使上述基片保持部绕旋转轴线旋转的旋转驱动部；向上述基片的周缘部释放处理液的处理液喷嘴；和气体喷嘴，其在自上述处理液从上述处理液喷嘴的释放口被释放的时刻起至到达上述基片上的着落点的时刻的期间，向上述处理液释放气体。专利技术效果根据本专利技术，能够防止或抑制从基片脱离后的处理液再附着于基片。附图说明图1是一实施方式的基片处理装置的概略横截平面图。图2是图1的基片处理装置的处理单元的概略纵截面图。图3是说明处理单元所进行的液处理的图。图4是说明处理单元所进行的液处理的图。图5是说明处理单元所进行的液处理的图。图6是说明处理单元所进行的液处理的图。图7A是说明与来自药液喷嘴的药液释放相关联的各种参数的立体图。图7B是说明从药液喷嘴释放的药液着落于基片后的动作的平面图。图8A是说明脱离后的药液的再附着防止的第1方式的平面图。图8B是说明脱离后的药液的再附着防止的第1方式的侧视图。图9A是说明脱离后的药液的再附着防止的第2方式的平面图。图9B是说明脱离后的药液的再附着防止的第2方式的侧视图。图10A是说明脱离后的药液的再附着防止的第3方式的平面图。图10B是说明脱离后的药液的再附着防止的第3方式的侧视图。图11是说明脱离后的药液的再附着防止的第4方式的侧视图。图12是说明实验结果的图表。图13是说明实验结果的图表。附图标记说明31基片保持部32旋转驱动部41A处理液(药液)喷嘴PF着落点43A气体喷嘴。具体实施方式以下，参照附图对基片处理装置的一实施方式进行说明。图1是表示本实施方式的基片处理系统的概略构成的图。以下，为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，以Z轴正方向为铅垂向上方向。如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2和处理站3相邻设置。送入送出站2包括载体載置部11和输送部12。载体載置部11能够载置用于将多个基片即本实施方式中的半导体晶片(以下晶片W)以水平状态收纳的多个载体C。输送部12与载体載置部11相邻设置，在内部具有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13具有保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片输送装置13能够进行向水平方向和铅垂方向的移动和以铅垂轴为中心的旋转，使用晶片保持机构在载体C与交接部14之间进行晶片W的输送。处理站3与输送部12相邻设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16在输送部15的两侧排列设置。输送部15在内部具有基片输送装置17。基片输送装置17具有保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片输送装置17能够进行向水平方向和铅垂方向的移动和以铅垂轴为中心的旋转，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶片W的输送。处理单元16对由基片输送装置17输送的晶片W进行规定的基片处理。另外，基片处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如为计算机，包括控制部18和存储部19。在存储部19中存储有对在基片处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行存储于存储部19的程序，对基片处理系统1的动作进行控制。此外，上述程序是存储于计算机可读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19的程序。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。在如上述那样构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13从载置于载体载置部11的载体C中取出晶片W，将取出的晶片W载置在交接部14。被载置于交接部14的晶片W利用处理站3的基片输送装置17从交接部14被取出，送入处理单元16。被送入到处理单元16的晶片W经处理单元16处理后，由基片输送装置17从处理单元16送出，载置在交接部14。然后，载置于交接部14的处理完成的晶片W被基片输送装置13送回载体载置部11的载体C。接着，参照图2说明处理单元16。图2是表示处理单元16的概略构成的图。处理单元16具有腔室(外壳)20，在腔室20收纳基片保持机构30、处理流体供给部40和回收杯体50。在腔室20的顶部设有FFU(FanFilterUnit，风机过滤单元)21。FFU21在腔室20内形成向下的气流。基片保持旋转机构30包括：将晶片W以水平姿势保持的基片保持部31；使基片保持部31绕铅垂轴线(旋转轴线)旋转的旋转驱动部32。基片保持部31对晶片W的背面中央部进行吸附而形成为保持晶片W的真空腔室。旋转驱动部32形成为电机，电机的旋转轴的上端与真空吸盘连结。通过使电机动作，能够使晶片W绕铅垂轴线旋转。处理流体供给部40向晶片W的周缘部供给处理液、处理气体等的处理流体。处理流体供给部40具有药液供给部41、清洗液供给部42和气体供给部43。药液供给部41包括药液喷嘴41A、药液喷嘴驱动机构41B和药液供给机构41C。药液喷嘴驱动机构41B能够使药液喷嘴41A在处理位置(用于对晶片W供给药液的位置)与待机位置之间移动，且使药液喷嘴41A的朝向变化(详细后述)。药液供给机构41C对药液喷嘴41A供给药液(例如蚀刻液)。虽然未有详细图示，但是，药液供给机构41C由工厂设备、罐等的与药液供给源连接的配管(管路)和设置在配管的流动控制器件(开闭阀、流量计、流量控制阀等)等构成。清洗液供给部42包括清洗喷嘴42A、清洗喷嘴驱动机构42B和清洗液供给机构42C。清洗喷嘴驱动机构42B能够使清洗喷嘴42A在处理位置(用于对晶片W供给处理液的位置)与待机位置之间移动，且使清洗喷嘴42A的朝向变化(详细后述)。清洗液供给机构42C对清洗喷嘴42A供给清洗液(例如DIW)。虽然未有详细图示，但是，清洗液供给机构42C由工厂设备、罐等的与清洗液供给源连接的配管(管路)和设置在配管的流动控制器件(开闭本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：/n能够保持基片的基片保持部；/n使所述基片保持部绕旋转轴线旋转的旋转驱动部；/n向所述基片的周缘部释放处理液的处理液喷嘴；和/n气体喷嘴，其在自所述处理液从所述处理液喷嘴的释放口被释放的时刻起至到达所述基片上的着落点的时刻的期间，向所述处理液释放气体。/n

【技术特征摘要】
20190927 JP 2019-1776601.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
能够保持基片的基片保持部；
使所述基片保持部绕旋转轴线旋转的旋转驱动部；
向所述基片的周缘部释放处理液的处理液喷嘴；和
气体喷嘴，其在自所述处理液从所述处理液喷嘴的释放口被释放的时刻起至到达所述基片上的着落点的时刻的期间，向所述处理液释放气体。


2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
从所述旋转轴线的方向看时，所述气体喷嘴的释放口配置在比所述处理液喷嘴的释放口靠近所述基片的中心的位置。


3.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述气体喷嘴的释放口具有朝向所述处理液的飞行轨迹的开口，其中，所述飞行轨迹是所述处理液从所述处理液喷嘴的释放口到所述基片上的着落点的飞行轨迹。


4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：
在定义了以从所述着落点引到所述旋转轴线的垂线的垂足为中心，以连结所述垂线的垂足与所述着落点的线段为半径，且位于与所述旋转轴线正交的平面上的圆的情况下，
使连结从述处理液喷嘴的释放口引到所述基片的表面上的垂线的垂足和所述着落点的直线，与所述着落点处的所述圆的切线所成的角度为θ时，
所述处理液喷嘴设置成，在所述气体喷嘴没有释放所述气体时，使所述角度θ成为比90度小的第1角度，
所述气体喷嘴设置成能够使从所述处理液喷嘴释放的所述处理液转向，以使得在所述气体喷嘴释放所述气体时使所述角度θ成为比所述第1角度接近90度的第2角度。


5.如权利要求3或4所述的基片处理装置，其特征在于：
使连结从述处理液喷嘴的释放口引到所述基片的表面上的垂线的垂足和所述着落点的直线，与连结所述处理液喷嘴的释放口与所述着落点的直线所成的角度为φ时，
所述处理液喷嘴设置成，在所述气体喷嘴没有释放所述气体时，使所述角度φ成为比90度小的第1角度，
所述气体喷嘴设置成能够使从所述处理液喷嘴释放的所述处理液转向，以使得在所述气体喷嘴释放所述气体时使所述角度φ成为比所述第1角度接近0度的第2角度。


6.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述气体喷嘴的释放口具有朝向着落点的开口，其中该着落点是从所述处理液喷嘴释放出的所述处理液在基片上的着落点。


7.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：
在定义了以从所述着落点引到所述旋转轴线的垂线的垂足为中心，以连结所述垂线的垂足与所述着落点的线段为半径，且位于与所述旋转轴线正交的平面上的圆的情况下，
从所述基片的旋转轴线的方向看时，表示从所述着落点向所述基片的外方脱离的所述处理液的主体朝向的矢量，与所述着落点处的所述圆的切线所成的角度为θS时，
所述处理液喷嘴设置成，在所述气体喷嘴没有释放所述气体时，使所述角度θS成为比90度小的第1角度，
所述气体喷嘴设置成能够使从所述着落点脱离的所述处理液转向，以使得在所述气体喷嘴释放所述气体时使所述角度θS成为比所述第1角度接近90度的第2角度。


8.如权利要求6或7所述的基片处理装置，其特征在于：
所述气体喷嘴的所述释放口具有横向较长的隙缝形状。


9.如权利要求1至8中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述气体是被加热了的气体。


10.如权利要求1至9中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
还包括使所述气体喷嘴的朝向变化的气体喷嘴朝向调节机构。


11.如权利要求10所述的基片处理装置，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤田阳，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP