【技术实现步骤摘要】
一种新式的N型层磷掺杂工艺方法
本专利技术涉及半导体工艺领域,尤其涉及一种新式的N型层磷掺杂工艺方法。
技术介绍
现有的磷掺杂工艺方法,采用N2携带POCL3,通过高温下POCL3分解出P2O5,再由P2O5与Si反应得到N型掺杂的磷杂质。反应方程式为:5POCL3→PCL5+P2O54PCL5+5O2→2P2O5+5CL22P2O5+5SI→SIO2+4PPOCL3进行磷掺杂工艺,存在以下缺点:1.由于POCL3分解物具有,腐蚀性,硅片表面很容易被腐蚀。2.高温下经过化学反应后得到磷含量不稳定,磷掺杂后均匀性差。综上所述,该工艺扩散后表面浓度均匀性差,工艺稳定性差,过程复杂。
技术实现思路
本专利技术针对以上问题,提供了一种加工简便,工艺扩散后表面浓度均匀性好的一种新式的N型层磷掺杂工艺方法。本专利技术的技术方案是:一种新式的N型层磷掺杂工艺方法,包括以下步骤:1)、在Si表面沉积一层含有磷元素的多晶硅层;2)、在含有磷元素的多晶硅层上沉积一层Si3N4层,保护含有磷元素的多晶硅层;3)、将含有磷元素的多晶硅层和Si3N4保护层在一定温度、一定气氛下热处理一定时间,使得磷向Si扩散,形成N型层;4)、后处理,即获得产品。所述含磷元素的多晶硅层通过LPCVD炉制备。步骤1)制备获得的含有磷元素的多晶硅层的厚度为0.6um-1.2um,RS为4-16欧姆/平方厘米。步骤2)中沉积的 ...
【技术保护点】
1.一种新式的N型层磷掺杂工艺方法,其特征在于,包括以下步骤:/n1)、在Si表面沉积一层含有磷元素的多晶硅层;/n2)、在含有磷元素的多晶硅层上沉积一层Si
【技术特征摘要】
1.一种新式的N型层磷掺杂工艺方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)、在Si表面沉积一层含有磷元素的多晶硅层;
2)、在含有磷元素的多晶硅层上沉积一层Si3N4层,保护含有磷元素的多晶硅层;
3)、将含有磷元素的多晶硅层和Si3N4保护层在一定温度、一定气氛下热处理一定时间,使得磷向Si扩散,形成N型层;
4)、后处理,即获得产品。
2.根据权利要求1所述的一种新式的N型层磷掺杂工艺方法,其特征在于,所述含磷元素的多晶硅层通过LPCVD炉制备。
3.根据权利要求1所述的一种新式的N型层磷掺杂工艺方法,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:陆益,王毅,
申请(专利权)人:扬州扬杰电子科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。