成像光学元件组、成像镜头及电子装置制造方法及图纸

一种成像光学元件组、成像镜头及电子装置。成像光学元件组具有光轴，并包含物侧透镜、像侧透镜及遮光片。遮光片设置于物侧透镜与像侧透镜之间，并包含物侧外表面、像侧外表面、外径部、内径部及高度补偿结构。物侧外表面朝向成像光学元件组的物侧。像侧外表面与物侧外表面相对设置。外径部具有外径面连接物侧外表面与像侧外表面。内径部定义遮光片的中心开孔，并具有内径面连接物侧外表面与像侧外表面。高度补偿结构为全环型，并环绕中心开孔，且用以调整内径面与外径面之间沿平行光轴方向上的高度差。借此，降低遮光片于压叠应力与热应力下的翘曲量。

【技术实现步骤摘要】
成像光学元件组、成像镜头及电子装置
本揭示内容是关于一种成像光学元件组与成像镜头，且特别是一种应用在可携式电子装置上的成像光学元件组与成像镜头。
技术介绍
近年来，可携式电子装置发展快速，例如智能电子装置、平板电脑等，已充斥在现代人的生活中，而装载在可携式电子装置上的成像镜头及其成像光学元件组也随之蓬勃发展。但随着科技愈来愈进步，使用者对于成像光学元件组的品质要求也愈来愈高，其中遮光片为影响成像品质的主要因素之一。请参照图7，图7绘示现有技术的电子装置70的示意图，其中电子装置70的成像镜头经烘烤制程。电子装置70中配置有一遮光片720，其中心夹层为塑胶材质，特别为PET材质。遮光片720于成像镜头(图未标示)的组装过程中会经历压叠应力与长时间温度的急遽变化，一般来说，压叠应力的重量于数十公斤内，温度变化于5小时内由室温25℃至100℃之间震荡，上述的压叠应力重量与温度变化范围并不以此为限。由于组装过程中环境条件变动的情况下，习用遮光片720的物理结构容易产生不可恢复的变异，其变异可为遮光片720的内孔发生翘曲或不规则的扭曲，其中翘曲量为56.6μm至75.5μm，翘曲量并不以上述范围为限，故造成遮光片720的遮蔽效率下降，并导致成像品质的劣化与肇生光学解像能力低于预期的情况。
技术实现思路
本揭示内容提供一种成像光学元件组、成像镜头及电子装置，通过调整遮光片的结构有助于增加遮光片的遮蔽效率，且改善翘曲的问题。依据本揭示内容一实施方式提供一种成像光学元件组，其具有一光轴，并包含至少一物侧透镜、至少一像侧透镜及至少一遮光片。遮光片设置于物侧透镜与像侧透镜之间，并包含一物侧外表面、一像侧外表面、一外径部、一内径部及一高度补偿结构。物侧外表面朝向成像光学元件组的一物侧。像侧外表面与物侧外表面相对设置。外径部具有一外径面连接物侧外表面与像侧外表面。内径部定义遮光片的一中心开孔，并具有一内径面连接物侧外表面与像侧外表面。高度补偿结构为全环型，并环绕中心开孔，且用以调整内径面与外径面之间沿平行光轴方向上的高度差。其中，高度补偿结构的最大高度为H，内径面与外径面之间沿平行光轴方向上的高度差为Δd，其满足下列条件：0.0≤Δd/H<0.85。依据前段所述实施方式的成像光学元件组，其中高度补偿结构的最大高度为H，内径面与外径面之间沿平行光轴方向上的高度差为Δd，其可满足下列条件：0.0≤Δd/H<0.55。另外，其可满足下列条件：0.0≤Δd/H<0.35。依据前段所述实施方式的成像光学元件组，其中遮光片的厚度为s，其可满足下列条件：0.0mm<s<0.12mm。依据前段所述实施方式的成像光学元件组，其中高度补偿结构的最大高度为H，遮光片的厚度为s，其可满足下列条件：0.7≤H/s<5.0。依据前段所述实施方式的成像光学元件组，其中高度补偿结构与相邻的一透镜可有实体接触。依据前段所述实施方式的成像光学元件组，其中高度补偿结构相邻的透镜可包含一全环型结构面，用以与高度补偿结构对应并实体接触。依据前段所述实施方式的成像光学元件组，其中内径面与外径面之间沿平行光轴方向上的高度差为Δd，其可满足下列条件：0.0mm≤Δd<0.02mm。依据前段所述实施方式的成像光学元件组，其中高度补偿结构由遮光片的外径面至中心开孔可依序包含一第一侧壁与一第二侧壁。第一侧壁由物侧外表面与像侧外表面中的一者往远离另一者的方向延伸。第二侧壁由物侧外表面与像侧外表面中的一者往靠近另一者的方向延伸。依据前段所述实施方式的成像光学元件组，其中遮光片的中心开孔可为成像光学元件组的一光圈。依据本揭示内容一实施方式提供成像镜头，包含一镜筒与前述实施方式的成像光学元件组。成像光学元件组设置于镜筒内，且成像光学元件组的遮光片的中心开孔与镜筒的一最小中心开孔对应。依据本揭示内容一实施方式提供一种电子装置，包含前述实施方式的成像镜头与一电子感光元件。电子感光元件设置于成像镜头的一成像面。附图说明图1A绘示依照本专利技术第一实施例中电子装置的示意图，其中电子装置的成像镜头未经烘烤制程；图1B绘示依照图1A第一实施例中电子装置的另一示意图，其中电子装置的成像镜头经烘烤制程；图1C绘示图1A第一实施例中遮光片的示意图；图1D绘示图1A第一实施例中遮光片的侧视图；图1E绘示图1A第一实施例中遮光片的物侧外表面的示意图；图1F绘示图1A第一实施例中遮光片的部分剖视图；图1G绘示图1A第一实施例中遮光片的像侧外表面的示意图；图1H绘示图1A第一实施例中遮光片的另一部分剖视图；图2A绘示依照本专利技术第二实施例中电子装置的示意图，其中电子装置的成像镜头未经烘烤制程；图2B绘示依照图2A第二实施例中电子装置的另一示意图，其中电子装置的成像镜头经烘烤制程；图2C绘示图2A第二实施例中遮光片的示意图；图2D绘示图2A第二实施例中遮光片的侧视图；图2E绘示图2A第二实施例中遮光片的物侧外表面的示意图；图2F绘示图2A第二实施例中遮光片的部分剖视图；图2G绘示图2A第二实施例中遮光片的像侧外表面的示意图；图2H绘示图2A第二实施例中遮光片的另一部分剖视图；图3A绘示依照本专利技术第三实施例中电子装置的示意图，其中电子装置的成像镜头未经烘烤制程；图3B绘示依照图3A第三实施例中电子装置的另一示意图，其中电子装置的成像镜头经烘烤制程；图3C绘示图3A第三实施例中遮光片的示意图；图3D绘示图3A第三实施例中遮光片的侧视图；图3E绘示图3A第三实施例中遮光片的物侧外表面的示意图；图3F绘示图3A第三实施例中遮光片的部分剖视图；图3G绘示图3A第三实施例中遮光片的像侧外表面的示意图；图3H绘示图3A第三实施例中遮光片的另一部分剖视图；图4A绘示依照本专利技术第四实施例中电子装置的示意图，其中电子装置的成像镜头未经烘烤制程；图4B绘示依照图4A第四实施例中电子装置的另一示意图，其中电子装置的成像镜头经烘烤制程；图4C绘示图4A第四实施例中遮光片的示意图；图4D绘示图4A第四实施例中遮光片的侧视图；图4E绘示图4A第四实施例中遮光片的物侧外表面的示意图；图4F绘示图4A第四实施例中遮光片的部分剖视图；图4G绘示图4A第四实施例中遮光片的像侧外表面的示意图；图4H绘示图4A第四实施例中遮光片的另一部分剖视图；图5A绘示依照本专利技术第五实施例中电子装置的示意图，其中电子装置的成像镜头未经烘烤制程；图5B绘示依照图5A第五实施例中电子装置的另一示意图，其中电子装置的成像镜头经烘烤制程；图5C绘示图5A第五实施例中遮光片的示意图；图5D绘示图5A第五实施例中遮光片的侧视图；图5E绘示图5A第五实施例中遮光片的物侧外表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成像光学元件组，其特征在于，其具有一光轴，并包含：/n至少一物侧透镜；/n至少一像侧透镜；以及/n至少一遮光片，该至少一遮光片设置于该至少一物侧透镜与该至少一像侧透镜之间，并包含：/n一物侧外表面，其朝向该成像光学元件组的一物侧；/n一像侧外表面，其与该物侧外表面相对设置；/n一外径部，其具有一外径面连接该物侧外表面与该像侧外表面；/n一内径部，其定义该至少一遮光片的一中心开孔，并具有一内径面连接该物侧外表面与该像侧外表面；以及/n一高度补偿结构，其为全环型，并环绕该中心开孔，且用以调整该内径面与该外径面之间沿平行该光轴方向上的高度差；/n其中，该高度补偿结构的最大高度为H，该内径面与该外径面之间沿平行该光轴方向上的高度差为Δd，其满足下列条件：/n0.0≤Δd/H<0.85。/n

【技术特征摘要】
20191115 TW 108141659;20190912 US 62/899,2091.一种成像光学元件组，其特征在于，其具有一光轴，并包含：
至少一物侧透镜；
至少一像侧透镜；以及
至少一遮光片，该至少一遮光片设置于该至少一物侧透镜与该至少一像侧透镜之间，并包含：
一物侧外表面，其朝向该成像光学元件组的一物侧；
一像侧外表面，其与该物侧外表面相对设置；
一外径部，其具有一外径面连接该物侧外表面与该像侧外表面；
一内径部，其定义该至少一遮光片的一中心开孔，并具有一内径面连接该物侧外表面与该像侧外表面；以及
一高度补偿结构，其为全环型，并环绕该中心开孔，且用以调整该内径面与该外径面之间沿平行该光轴方向上的高度差；
其中，该高度补偿结构的最大高度为H，该内径面与该外径面之间沿平行该光轴方向上的高度差为Δd，其满足下列条件：
0.0≤Δd/H<0.85。


2.根据权利要求1所述的成像光学元件组，其特征在于，该高度补偿结构的最大高度为H，该内径面与该外径面之间沿平行该光轴方向上的高度差为Δd，其满足下列条件：
0.0≤Δd/H<0.55。


3.根据权利要求1所述的成像光学元件组，其特征在于，该遮光片的厚度为s，其满足下列条件：
0.0mm<s<0.12mm。


4.根据权利要求3所述的成像光学元件组，其特征在于，该高度补偿结构的最大高度为H，该遮光片的厚度为s，其满足下列条件：
0.7≤H/s<5.0。

【专利技术属性】
技术研发人员：郑至伟，周明达，
申请(专利权)人：大立光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71